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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BCV47E6433HTMA1	0.0786	RFQ	6619	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCV47			360兆w			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																															60 V	500 MA								100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	170MHz
BAT17-05E6327HTSA1	0.0700	RFQ	12	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）			TO-236-3，SC-59，SOT-23-3							PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000					130 MA												150兆											0.75pf @ 0v，1MHz										肖特基 -1对普通阴极	4V			15 @ @ 5mA，10kHz
IRF7452Tr	-	RFQ	7052	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					100 v	4.5A（ta）	10V	60mohm @ 2.7a，10v	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
AIKW50N65DF5XKSA1	10.4300	RFQ	9998	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	aikw50	标准		270 w			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30							400V，25a，12ohm，15V																							沟	650 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	1018 NC	21NS/156NS
IRF7702	-	RFQ	4582	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）				8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			P通道					12 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	14mohm @ 8a，4.5V	1.2V @ 250µA	81 NC @ 4.5 V	±8V	3470 pf @ 10 V	-	1.5W（TC）
irlr3303trl	-	RFQ	6441	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	= 94-4007	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	35A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 21a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IRGS4064DTRLPBF	-	RFQ	4903	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		101 w			D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001535958	Ear99	8541.29.0095	800							400V，10a，22ohm，15V																	62 ns						沟	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V，10a	29µJ（在）上，200µJ（200µJ）	32 NC	27NS/79NS
IDW50E60	-	RFQ	6673	Infineon技术	-	大部分	积极的				通过洞	TO-247-3			标准				pg-to247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				600 v	2 V @ 50 A	115 ns	40 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	80a	-
IQD063N15NM5CGATMA1	4.8300	RFQ	5141	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的													下载		（1 （无限）	到达不受影响				5,000
irlr3103trr	-	RFQ	3181	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	55A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 33a，10v	1V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±16V	1600 pf @ 25 V	-	107W（TC）
BC818K40E6327HTSA1	0.0493	RFQ	7129	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC818			500兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															25 v	500 MA								100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
IPP60R060P7	1.0000	RFQ	1121	Infineon技术	Coolmos™P7	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO220-3-123	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道					600 v	48A（TC）	10V	60mohm @ 15.9a，10v	4V @ 800µA	67 NC @ 10 V	±20V	2895 PF @ 400 V	-	164W（TC）
SGP20N60HS	1.2500	RFQ	520	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	SGP20N	标准		178 w			pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1							400V，20a，16ohm，15V																							npt	600 v	36 a	80 a	3.15V @ 15V，20A	690µJ	100 NC	18NS/207NS
IRG4BC20UDPBF	-	RFQ	4566	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3		标准		60 W			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000							480V，6.5a，50ohm，15V																	37 ns						-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
STT1900N18P55XPSA2	496.0600	RFQ	6730	Infineon技术	TT	托盘	积极的		125°C（TJ）		底盘安装	模块					1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件			448-STT1900N18P55XPSA2	Ear99	8541.30.0080	1						300 MA												1.8 kV	2 v	17000a @ 50Hz	200 MA								2 scr
IKD15N60RBTMA1	0.9100	RFQ	12	Infineon技术	Trechstop®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		250 w			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500							400V，15A，15欧姆，15V																	110 ns						沟	600 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	900µJ	90 nc	16NS/183NS
AUIRGP4066D1	-	RFQ	7462	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	AUIRGP4066	标准		454 w			TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400							400V，75A，10欧姆，15V																	240 ns						沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	4.24mj（在）上，2.17MJ off）	225 NC	50NS/200NS
BCV61CE6327	-	RFQ	8327	Infineon技术	-	大部分	积极的	30V		当前镜子	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BCV61						PG-SOT143-4	-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000				100mA																																							2 NPN，基本收集器交界处
IPD200N15N3GATMA1	3.0600	RFQ	57	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD200		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					150 v	50A（TC）	8V，10V	20mohm @ 50a，10v	4V @ 90µA	31 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 75 V	-	150W（TC）
BCP68E6327	0.0500	RFQ	6	Infineon技术	-	大部分	积极的													下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	6,000
IMIC32V06X6SA1	-	RFQ	3529	Infineon技术	*	托盘	过时的													-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001660382	过时的	0000.00.0000	1
SPD04N80C3ATMA1	1.9600	RFQ	811	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD04N80		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					800 v	4A（TC）	10V	1.3OHM @ 2.5A，10V	3.9V @ 240µA	31 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 100 V	-	63W（TC）
IPW95R060PFD7XKSA1	14.9500	RFQ	194	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道					950 v	74.7a（TC）	10V	60mohm @ 57a，10v	3.5V @ 2.85mA	315 NC @ 10 V	±20V	9378 PF @ 400 V	-	446W（TC）
IPP070N06L g	-	RFQ	9760	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	IPP070N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道					60 V	80A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 80a，10v	2V @ 150µA	126 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 30 V	-	214W（TC）
AUIRF4905S	6.4600	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRF4905		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道					55 v	42A（TC）	10V	20mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BSO615N	-	RFQ	1448	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO615		MOSFET （金属 o化物）	2W			PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							60V	2.6a		150MOHM @ 2.6a，4.5V	2V @ 20µA	20NC @ 10V		380pf @ 25V	逻辑级别门
IRGP4066DPBF	-	RFQ	4313	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	IRGP4066	标准		454 w			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400							400V，75A，10欧姆，15V																	155 ns						沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.47mj（在）上，2.16mj off）	150 NC	50NS/200NS
ipd16cne8n g	-	RFQ	1936年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD16C		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					85 v	53A（TC）	10V	16mohm @ 53a，10v	4V @ 61µA	48 NC @ 10 V	±20V	3230 PF @ 40 V	-	100W（TC）
BSM100GB120DLCHOSA1	176.8650	RFQ	5659	Infineon技术	-	托盘	上次购买		-40°C〜125°C		底盘安装	模块	BSM100			830 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																													-	1200 v	100 a		-							是的
Auirfr8405trl	2.9200	RFQ	2788	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR8405		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					40 V	100A（TC）	10V	1.98mohm @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	155 NC @ 10 V	±20V	5171 PF @ 25 V	-	163W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²