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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	（ID） - 最大
SI4420DYPBF	-	RFQ	6014	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道							30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	1V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±20V	2240 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRF7604TRPBF	-	RFQ	7336	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道							20 v	3.6a（ta）	2.7V，4.5V	90MOHM @ 2.4a，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	20 NC @ 4.5 V	±12V	590 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
IRGR4607DTRPBF	-	RFQ	2771	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准			58 w		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000						400V，1.5A，100OHM，15V																	48 ns					-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
IGZ50N65H5XKSA1	4.5858	RFQ	3918	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IGZ50N65	标准			273 w		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240						400V，25a，12ohm，15V																						沟	650 v	85 a	200 a	2.1V @ 15V，50a	（410µJ）（在190µJ上）	109 NC	20NS/250NS
AUIRFB8405	6.2200	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AUIRFB8405			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							40 V	120A（TC）	10V	2.5MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
BCX70JE6433	0.0400	RFQ	10	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,013																													45 v	100 ma											20NA（ICBO）					NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	250MHz
AIDW16S65C5XKSA1	4.5924	RFQ	9632	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买			通过洞	TO-247-3	AIDW16			SIC （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）																			650 v	1.7 V @ 16 A	0 ns	90 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	16a	471pf @ 1V，1MHz
BSP373NH6327XTSA1	0.9600	RFQ	11	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP373			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							100 v	1.8A（ta）	10V	240MOHM @ 1.8A，10V	4V @ 218µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	265 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BG3123RH6327XTSA1	-	RFQ	8524	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BG3123		800MHz	MOSFET			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25mA，20mA			14 ma	-	25DB											1.8dB																5 v
AUXTMGPS4070D1	-	RFQ	3650	Infineon技术	-	大部分	过时的		-			autxmgps	-						-			到达不受影响	448-AUXTMGPS4070D1	Ear99	8541.29.0095	1						-																						-				-	-		-
BCR35PNH6433XTMA1	0.0975	RFQ	8475	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR35				250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																													50V	100mA											-					1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150MHz	10KOHMS	47kohms
BAR6304WH6327	0.0600	RFQ	5	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		SC-70，SOT-323							PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	5,482					100 ma														250兆								0.3pf @ 5V，1MHz										引脚-1对系列连接	50V							-
BF2030WE6814BTSA1	-	RFQ	9355	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF2030		800MHz	MOSFET			PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			40mA			10 MA	-	23dB											1.5dB																5 v
IJW120R100T1FKSA1	-	RFQ	2626	Infineon技术	COOLSIC™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3					190 w		pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道							1200 v							1550pf @ 19.5V（vgs）																						1200 v	1.5 µA @ 1200 V				100 Mohms								26 a
IRFH7885TRPBF	-	RFQ	5206	Infineon技术	Fastirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vqfn				MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							80 V	22a（22a）	10V	3.9mohm @ 50a，10v	3.6V @ 150µA	54 NC @ 10 V	±20V	2311 pf @ 40 V	-	3.6W（TA），156W（TC）
IPD60R380E6BTMA1	-	RFQ	4647	Infineon技术	Coolmos™E6	大部分	在sic中停产		-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道							600 v	10.6A（TC）	10V	380MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 300µA	32 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 100 V	-	83W（TC）
BAT1504WH6327XTSA1	0.6700	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		SC-70，SOT-323	BAT1504						PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000					110 MA														100兆								0.35pf @ 0v，1MHz										肖特基 -1对系列连接	4V							-
BAR6302WH6327XTSA1	-	RFQ	5477	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		SC-80	BAR63						SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000					100 ma														250兆								0.3pf @ 5V，1MHz										PIN-单	50V							1 OHM @ 10mA，100MHz
FS35R12W1T4BOMA1	47.2000	RFQ	9453	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS35R12				225 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																											沟渠场停止	1200 v	65 a		2.25V @ 15V，35a									1 MA	是的	2 NF @ 25 V
IPD70N12S3L12ATMA1	-	RFQ	2365	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD70			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							120 v	70A（TC）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 70A，10V	2.4V @ 83µA	77 NC @ 10 V	±20V	5550 pf @ 25 V	-	125W（TC）
FD1200R17HP4-K_B2	1.0000	RFQ	39	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FD1200R					标准	AG-IHVB130-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单菜器																											-	1700 v	1200 a		2.25V @ 15V，1.2KA									5 ma	不
IRGSL6B60KPBF	-	RFQ	5487	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRGSL6	标准			90 W		TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50						400V，5A，100OHM，15V																						npt	600 v	13 a	26 a	2.2V @ 15V，5A	110µJ（在）上，135µJ（OFF）	18.2 NC	25NS/215NS
IDL10G65C5XUMA2	5.3900	RFQ	1	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	4-POWERTSFN	IDL10G65			SIC （碳化硅）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		没有恢复t> 500mA（IO）																			650 v	1.7 V @ 10 A	0 ns	180 µA @ 650 V	-55°C〜150°C	10a	300pf @ 1V，1MHz
BAT1505WH6327XTSA1	-	RFQ	8277	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		SC-70，SOT-323	BAT15						PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000					110 MA														100兆								0.35pf @ 0v，1MHz										肖特基 -1对普通阴极	4V							-
SIPC14N50C3X1SA2	-	RFQ	3282	Infineon技术	-	大部分	积极的					SIPC14							-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000957002		0000.00.0000	1											-
BAR8802LRHE6327XTSA1	-	RFQ	5130	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		SOD-882	BAR88						PG-TSLP-2-7	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	15,000					100 ma														250兆								0.4pf @ 1V，1MHz										PIN-单	80V							600MOHM @ 10mA，100MHz
BAT 15-098LRH E6327	-	RFQ	4520	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		4-XFDFN	蝙蝠15						PG-TSLP-4-7	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	15,000					110 MA														100兆								0.35pf @ 0v，1MHz										Schottky -2独立	4V							-
64-4060pbf	-	RFQ	3087	Infineon技术	-	管子	积极的		-			64-4060			-				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			-								-	-	-	-		-		-	-
BSS214NWH6327	1.0000	RFQ	7135	Infineon技术	Optimos™2	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT323-3-2	下载					Ear99	8541.21.0095	1			n通道							20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	140MOHM @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 3.7µA	0.8 NC @ 5 V	±12V	143 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
IRFR3706Trl	-	RFQ	4820	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							20 v	75A（TC）	2.8V，10V	9mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2410 pf @ 10 V	-	88W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²