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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BB659C02VH7902XTSA1	-	RFQ	3432	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523									PG-SC79-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																																						2.75pf @ 28V，1MHz											单身的	30 V										15.3	C1/C28	-
BSZ123N08NS3GATMA1	1.5800	RFQ	7984	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		BSZ123			MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道										80 V	10A（10A），40A （TC）	6V，10V	12.3mohm @ 20a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 40 V	-	2.1W（ta），66w（tc）
IPB180P04P4L02AUMA2	-	RFQ	9477	Infineon技术	Optimos®-P2	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		IPB180			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7-3	-					过时的		1			P通道										40 V	180a（TC）	4.5V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 410µA	286 NC @ 10 V	+5V，-16V	18700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
ISC750P10LMATMA1	2.6600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	8-POWERTDFN		ISC750			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			P通道										100 v	27.3a	-	-	-		-		-	-
DD171N12KKHPSA1	-	RFQ	9363	Infineon技术	DD171N	大部分	过时的			底盘安装	模块		DD171N12			标准				模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																												1对系列连接	1200 v	171a	1.26 V @ 500 A		20 ma @ 1200 V	150°C
SIGC18T60NCX1SA1	-	RFQ	4199	Infineon技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		SIGC18	标准						死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1						300V，20a，13ohm，15V																																		npt	600 v	20 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-		21NS/110NS
BCR158E6327	1.0000	RFQ	6105	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCR158				200兆			PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																									50 V	100 ma									100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
FF150R12KE3B8BOSA1	-	RFQ	8792	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产						FF150								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10
IRF7459TRPBF	-	RFQ	2109	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道										20 v	12a（12a）	2.8V，10V	9mohm @ 12a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2480 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
FS150R12KT4B9BOSA1	323.0200	RFQ	16	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FS150R12				750 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																																							沟渠场停止	1200 v	150 a		2.1V @ 15V，150a							1 MA	不	9.35 NF @ 25 V
IPB80P04P407ATMA1	-	RFQ	2393	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB80P			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道										40 V	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 150µA	89 NC @ 10 V	±20V	6085 pf @ 25 V	-	88W（TC）
IDV05S60CXKSA1	-	RFQ	6510	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		IDV05S60			SIC （碳化硅）				pg-to220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																													600 v		1.7 V @ 5 A	0 ns	70 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	240pf @ 1V，1MHz
AUIRF3415	-	RFQ	5883	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001516548	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										150 v	43A（TC）	10V	42mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IDD15E60BUMA1	-	RFQ	6467	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IDD15E60			标准				pg-to252-3	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000065684	Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													600 v		2 V @ 15 A	87 ns	50 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	29.2a
IKY50N120CH7XKSA1	12.0300	RFQ	230	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		IKY50N120	标准			398 w			pg-to247-4-U10	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						-																												86 ns						沟渠场停止	1200 v	75 a	200 a	2.15V @ 15V，50a	1.09mj（在）上，1.33mj off）	372 NC	35NS/331NS
TD425N18KOFHPSA2	351.0850	RFQ	1757年	Infineon技术	-	托盘	积极的		125°C（TJ）	底盘安装	模块		TD425N18					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2					300 MA																		1.8 kV	800 a	1.5 v	14500a @ 50Hz	250 MA	471 a											1 sc，1二极管
BCW61DE6327	0.0400	RFQ	64	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3						330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,454																																									32 v	100 ma									20NA（ICBO）			PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
T1081N70TOHXPSA1	-	RFQ	7466	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF		T1081N70					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2					350 MA																		7 kV	2040 a	2.5 v	35000a @ 50Hz	350 MA	1300 a											1 scr
IKQB160N75CP2AKSA1	18.8800	RFQ	230	Infineon技术	-	管子	积极的														-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
BC857CWH6433XTMA1	-	RFQ	8299	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		BC857				250兆			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																									45 v	100 ma									15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BCX6925H6327XTSA1	0.3105	RFQ	7967	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		BCX6925				3 W			PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																									20 v	1 a									100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	160 @ 500mA，1V	100MHz
PTFA082201EV4R250XTMA1	-	RFQ	1598年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	H-36260-2		PTFA082201		894MHz	ldmos				H-36260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250				10µA			1.95 a	220W	18db																				-																			30 V
IRFSL4510pbf	-	RFQ	1214	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA					MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										100 v	61A（TC）	10V	13.9mohm @ 37a，10v	4V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 50 V	-	140W（TC）
IPW65R060CFD7XKSA1	9.2300	RFQ	2692	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW65R060			MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道										650 v	36a（TC）	10V	60mohm @ 16.4a，10v	4.5V @ 860µA	68 NC @ 10 V	±20V	3288 PF @ 400 V	-	171W（TC）
IRFS3107-7PPBF	-	RFQ	1315	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB					MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道										75 v	240a（TC）	10V	2.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	370W（TC）
BAT60BE6359HTMA1	0.1325	RFQ	3517	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323					肖特基				PG-SOD323-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													10 v		600 mV @ 1 A		25 µA @ 8 V	150°C	3a	25pf @ 5V，1MHz
BC 817-40 E6433	-	RFQ	8327	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC 817				330兆			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																									45 v	500 MA									100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
IAUT300N08S5N011ATMA1	6.8700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn					MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道										80 V	410a（TJ）	6V，10V	1.1MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 275µA	231 NC @ 10 V	±20V	16250 PF @ 40 V	-	375W（TC）
BCR135WE63 27BTSA1	-	RFQ	8418	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323		BCR135				250兆			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																									50 V	100 ma									100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms	47科姆斯
IGCM06B60HAXKMA1	-	RFQ	1162	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的			通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT									下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001247002	Ear99	8541.29.0095	280	3期									6 a	600 v	2000vrms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²