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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IPB110N20N3LFATMA1	9.7000	RFQ	5194	Infineon技术	Optimos™3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB110		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			200 v	88A（TC）	10V	11mohm @ 88a，10v	4.2V @ 260µA	76 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 100 V	-	250W（TC）
IPS70R2K0CEAKMA1	-	RFQ	1888年	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPS70R2		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO251-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001471300	Ear99	8541.29.0095	75			n通道			700 v	4A（TC）	10V	2ohm @ 1a，10v	3.5V @ 70µA	7.8 NC @ 10 V	±20V	163 pf @ 100 V	-	42W（TC）
BSZ300N15NS5ATMA1	1.1844	RFQ	7366	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ300		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			150 v	32A（TC）	8V，10V	30mohm @ 16a，10v	4.6V @ 32µA	13 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 75 V	-	62.5W（TC）
IRF7701	-	RFQ	5154	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）				8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			P通道			12 v	10A（TC）	1.8V，4.5V	11mohm @ 10a，4.5V	1.2V @ 250µA	100 NC @ 4.5 V	±8V	5050 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
TT600N16KS20XPSA1	364.7850	RFQ	1240	Infineon技术	*	托盘	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-TT600N16KS20XPSA1			2
IRLMS2002GTRPBF	-	RFQ	6094	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）				Micro6™（SOT23-6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			20 v	6.5A（TA）	2.5V，4.5V	30mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 250µA	22 NC @ 5 V	±12V	1310 pf @ 15 V	-	2W（TA）
IPP60R120C7XKSA1	5.5100	RFQ	486	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R120		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	19a（tc）	10V	120MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 390µA	34 NC @ 10 V	±20V	1500 PF @ 400 V	-	92W（TC）
BAS16WH6433XTMA1	0.0492	RFQ	8603	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-70，SOT-323	BAS16		标准				PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				80 V	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）	250mA	2pf @ 0v，1MHz
irll2703tr	-	RFQ	9227	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）				SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	3.9a（ta）	4V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	2.4V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±16V	530 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IPI50R350CPXKSA1	-	RFQ	7407	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI50R350		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000680736	Ear99	8541.29.0095	500			n通道			500 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 370µA	25 NC @ 10 V	±20V	1020 PF @ 100 V	-	89W（TC）
IRG8CH15K10F	-	RFQ	2899	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IRG8CH	标准					死	下载		不适用	到达不受影响	SP001544928	过时的	0000.00.0000	1					600V，10a，10ohm，15V																									-	1200 v			2V @ 15V，10a	-	65 NC	15NS/170NS
IPZ65R065C7XKSA1	11.9900	RFQ	240	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IPZ65R065		MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			650 v	33A（TC）	10V	65mohm @ 17.1a，10v	4V @ 850µA	64 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 400 V	-	171W（TC）
IRL2203NPBF-INF	1.0000	RFQ	2638	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道			30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	180W（TC）
BTS114A E3045A	3.2200	RFQ	4	Infineon技术	tempfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-5	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			50 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 9a，10v	3.5V @ 1mA		±20V	600 pf @ 25 V	-	50W
IRF3205ZLPBF	1.6900	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF3205		MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 66A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	170W（TC）
BBY55-02WH6327	-	RFQ	7076	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SC-80							PG-SCD80-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000																												6.5pf @ 10V，1MHz										单身的	16 V							2.5	C2/C10	-
BSM100GB120DN2KHOSA1	-	RFQ	7097	Infineon技术	-	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM100			700 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																													-	1200 v	145 a		3V @ 15V，100a						2 ma	不	6.5 nf @ 25 V
IRGS4045DTRRPBF	-	RFQ	4316	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		77 w			D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800					400V，6A，47OHM，15V																			74 ns						-	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IAUC90N10S5N062ATMA1	2.7800	RFQ	13	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC90		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			100 v	90A（TC）	6V，10V	6.2MOHM @ 45A，10V	3.8V @ 59µA	36 NC @ 10 V	±20V	3275 PF @ 50 V	-	115W（TC）
IPC50R045CPX1SA1	-	RFQ	6579	Infineon技术	-	大部分	积极的				IPC50							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000236099		0000.00.0000	1							-
IRFR3518TRPBF	-	RFQ	7857	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			80 V	38A（TC）	10V	29mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRFS5615TRLPBF	-	RFQ	4541	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			150 v	33A（TC）	10V	42MOHM @ 21a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 50 V	-	144W（TC）
AUIRR1404Z	-	RFQ	2280	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001516820	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			40 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 75A，10V	2.7V @ 250µA	110 NC @ 5 V	±16V	5080 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BCX5310E6327	0.0900	RFQ	19	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				2 w			PG-SOT89-4-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																															80 V	1 a								100NA（ICBO）			500mv @ 50mA，500mA	40 @ 50mA，2V	125MHz
FZ1000R33HE3C1NOSA1	160.0000	RFQ	1849年	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1000			1600000 w		标准	AG-IHVB130-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单个开关																													沟渠场停止	3300 v	1000 a		3.1V @ 15V，1KA						5 ma	不	190 NF @ 25 V
IPP80N04S3H4AKSA1	-	RFQ	6133	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			40 V	80A（TC）	10V	4.8mohm @ 80a，10v	4V @ 65µA	60 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	115W（TC）
IRF6215L	-	RFQ	2023	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF6215L	Ear99	8541.29.0095	50			P通道			150 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
T2851N52TS03XPSA1	-	RFQ	2970	Infineon技术	-	大部分	过时的	125°C（TJ）	底盘安装	TO-200AF					单身的			-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA												5.2 kV	4680 a	2.5 v	82000a @ 50Hz	350 MA	4120 a								1 scr
IKW25N120H3FKSA1	7.9500	RFQ	519	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW25N120	标准		326 w			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					600V，25a，23ohm，15V																			290 ns						沟渠场停止	1200 v	50 a	100 a	2.4V @ 15V，25a	2.65MJ	115 NC	27NS/277NS
IRLR2908TRLPBF	-	RFQ	1144	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			80 V	30A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 23A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1890 pf @ 25 V	-	120W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²