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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRFS7534-7PPBF	-	RFQ	4688	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001557490	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					60 V	240a（TC）	6V，10V	1.95MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	9990 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IRFS7537TRLPBF	2.3100	RFQ	4168	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRFS7537		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					60 V	173a（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 150µA	210 NC @ 10 V	±20V	7020 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRFS7540TRLPBF	2.3200	RFQ	240	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRFS7540		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					60 V	110A（TC）	6V，10V	5.1MOHM @ 65A，10V	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4555 pf @ 25 V	-	160W（TC）
IRAM630-1562F2	-	RFQ	5524	Infineon技术	-	管子	过时的		通过洞	35-Powerssip模块，25个线索，形成铅	IGBT						下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001538554	Ear99	8541.29.0095	80	3期			20 a	600 v	2000vrms
IRFH8202TRPBF	1.8200	RFQ	5114	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		IRFH8202		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					25 v	47A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1.05MOHM @ 50a，10V	2.35V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	7174 PF @ 13 V	-	3.6W（TA），160W（tc）
IRFH8307TRPBF	1.5500	RFQ	2	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		IRFH8307		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					30 V	42A（TA），100A（tc）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 50a，10v	2.35V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 15 V	-	3.6W（TA），156W（TC）
IRFHE4250DTRPBF	-	RFQ	6342	Infineon技术	Fastirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	32-PowerWFQFN		IRFHE4250		MOSFET （金属 o化物）	156W	32-PQFN （6x6）	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						25V	86a，303a		2.75mohm @ 27a，10v	2.1V @ 35µA	20nc @ 4.5V		1735pf @ 13V	逻辑级别门
IRFS7730TRLPBF	2.0637	RFQ	800	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRFS7730		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263ab）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					75 v	195a（TC）	6V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	407 NC @ 10 V	±20V	13660 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRFSL7434PBF	-	RFQ	6170	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IRFSL7434		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001557628	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	195a（TC）	6V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
IRG7PH35UD1-EP	-	RFQ	5091	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IRG7PH35	标准		179 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541578	Ear99	8541.29.0095	25			600V，20a，10ohm，15V															沟	1200 v	50 a	150 a	2.2V @ 15V，20A	620µJ（离）	130 NC	- /160NS
IRGB4615DPBF	-	RFQ	5001	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		99 W	TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，8A，47OHM，15V														60 ns	-	600 v	23 a	24 a	1.85V @ 15V，8a	（70µJ）（在145µJ上）	19 nc	30ns/95ns
IRGB4630DPBF	-	RFQ	9920	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRGB4630	标准		206 w	TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			400V，18A，22OHM，15V														100 ns	-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V，18A	95µJ（在）上，350µJ（OFF）	35 NC	40NS/105NS
IRGP4620D-EPBF	-	RFQ	8940	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		140 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，12A，22OHM，15V														68 ns	-	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
IRGP4630DPBF	-	RFQ	5499	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		206 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，18A，22OHM，15V														100 ns	-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V，18A	95µJ（在）上，350µJ（OFF）	35 NC	40NS/105NS
IRGR4607DTRPBF	-	RFQ	2771	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			标准		58 w	pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			400V，1.5A，100OHM，15V														48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
IRGR4607DTRRPBF	-	RFQ	5809	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			标准		58 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549726	Ear99	8541.29.0095	3,000			400V，4A，100OHM，15V														48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
IRGR4610DTRPBF	-	RFQ	1054	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			标准		77 w	pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			400V，6A，47OHM，15V														74 ns	-	600 v	16 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	13 NC	27ns/75ns
IRGS4607DTRRPBF	-	RFQ	7466	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		58 w	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001545246	Ear99	8541.29.0095	800			400V，4A，100OHM，15V														48 ns	-	600 v	11 a	12 a	2.05V @ 15V，4A	（140µJ）（在62µJ上）	9 NC	27NS/120NS
IRGS4610DTRLPBF	-	RFQ	1139	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		77 w	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001536494	Ear99	8541.29.0095	800			400V，6A，47OHM，15V														74 ns	-	600 v	16 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	13 NC	27ns/75ns
IRGS4620DTRRPBF	-	RFQ	3764	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		140 w	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001535912	Ear99	8541.29.0095	800			400V，12A，22OHM，15V														68 ns	-	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
IRGS4630DPBF	-	RFQ	2681	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		206 w	D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，18A，22OHM，15V														100 ns	-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V，18A	95µJ（在）上，350µJ（OFF）	35 NC	40NS/105NS
IRL6297SDTRPBF	-	RFQ	4854	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距SA		IRL6297		MOSFET （金属 o化物）	1.7W	DirectFet™SA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	2 n 通道（双）						20V	15a		4.9mohm @ 15a，4.5V	1.1V @ 35µA	54NC @ 10V		2245pf @ 10V	逻辑级别门
IRLB8314pbf	1.0400	RFQ	591	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRLB8314		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					30 V	171a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 68a，10v	2.2V @ 100µA	60 NC @ 4.5 V	±20V	5050 pf @ 15 V	-	125W（TC）
IHW20N135R5XKSA1	4.8000	RFQ	131	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IHW20N135	标准		288 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20a，10ohm，15V															-	1350 v	40 a	60 a	1.85V @ 15V，20A	950µJ（离）	170 NC	- /235ns
IHW50N65R5XKSA1	4.7800	RFQ	8845	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IHW50N65	标准		282 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，25a，8ohm，15V														95 ns	-	650 v	80 a	150 a	1.7V @ 15V，50a	（740µJ）（在180µJ上）	230 NC	26NS/220NS
IRG7PH46UD-EP	-	RFQ	3571	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		irg7ph	标准		390 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001540700	Ear99	8541.29.0095	400			600V，40a，10ohm，15V														140 ns	沟	1200 v	40 a	160 a	2V @ 15V，40a	2.61mj（在）上，1.85mj off）	220 NC	45NS/410NS
IRGP6650D-EPBF	-	RFQ	1218	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		306 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549702	Ear99	8541.29.0095	25			400V，35a，10ohm，15V														50 ns	-	600 v	80 a	105 a	1.95V @ 15V，35a	（300µJ）（630µJ）off）	75 NC	40NS/105NS
IRGP6640D-EPBF	-	RFQ	2913	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		200 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546152	Ear99	8541.29.0095	25			400V，24a，10ohm，15V														70 ns	-	600 v	53 a	72 a	1.95V @ 15V，24a	（90µJ）（在600µJ上）	50 NC	40NS/100NS
AUIRFN8458TR	2.5300	RFQ	8841	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		AUIRFN8458		MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）	PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）						40V	43A（TC）		10mohm @ 26a，10v	3.9V @ 25µA	33nc @ 10V		1060pf @ 25V	-
AUIRFS4115	-	RFQ	5324	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AUIRFS4115		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520256	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²