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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRF1010EZLPBF	-	RFQ	3388	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 100µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRL3705NSTRR	-	RFQ	3435	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				55 v	89A（TC）	4V，10V	10mohm @ 46a，10v	2V @ 250µA	98 NC @ 5 V	±16V	3600 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
IPP029N06NAK5A1	-	RFQ	3689	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				60 V	（24A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.9MOHM @ 100A，10V	2.8V @ 75µA	56 NC @ 10 V	±20V	4100 PF @ 30 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
IDH05G65C5XKSA1	-	RFQ	8461	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2		IDH05G65	SIC （碳化硅）			PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）															650 v	1.7 V @ 5 A	0 ns	170 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	5a	160pf @ 1V，1MHz
BSZ009NE2LS5ATMA1	2.9200	RFQ	1139	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSZ009	MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				25 v	39a（ta），40a tc（TC）	4.5V，10V	900mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±16V	5500 pf @ 12 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
IPL65R099C7AUMA1	7.1100	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		IPL65R099	MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				650 v	21a（TC）	10V	99mohm @ 5.9a，10v	4V @ 590µA	45 NC @ 10 V	±20V	2140 pf @ 400 V	-	128W（TC）
FS75R06KE3BOSA1	-	RFQ	6472	Infineon技术	Econopack™	托盘	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FS75R06		250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																							沟渠场停止	600 v	75 a	1.9V @ 15V，75a	1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
gateleadl750pb34602xpsa1	21.1300	RFQ	5318	Infineon技术	-	托盘	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-gateleadl750pb34602xpsa1			1
IRFHS9301TRPBF	0.7700	RFQ	38	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-Powervdfn		IRFHS9301	MOSFET （金属 o化物）			6-PQFN （2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道				30 V	6A（6A），13A （TC）	4.5V，10V	37MOHM @ 7.8A，10V	2.4V @ 25µA	13 NC @ 10 V	±20V	580 pf @ 25 V	-	2.1W（TA）
IRFS3004Trl7pp	4.9900	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB		IRFS3004	MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				40 V	240a（TC）	10V	1.25MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9130 PF @ 25 V	-	380W（TC）
BSB012NE2LXIXUMA1	-	RFQ	3211	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson		BSB012	MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001034232	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				25 v	170a（TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	5852 pf @ 12 V	-	2.8W（ta），57W（TC）
IRFR024NPBF	-	RFQ	2213	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				55 v	17a（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF40H233ATMA1	-	RFQ	2455	Infineon技术	strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		IRF40	MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），50W（TC）		PG-TDSON-8-4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）						40V	65A（TC）		6.2MOHM @ 35A，10V	3.9V @ 50µA	57NC @ 10V		2200pf @ 20V	-
BSP125 E6327	-	RFQ	3629	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRFB4510GPBF	-	RFQ	4360	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001572362	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	62A（TC）	10V	13.5MOHM @ 37A，10V	4V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 50 V	-	140W（TC）
SP000687556	1.0000	RFQ	9287	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1			n通道				600 v	37.9a（TC）	10V	99mohm @ 18.1a，10v	3.5V @ 1.21MA	119 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 100 V	-	35W（TC）
IRFHE4250DTRPBF	-	RFQ	6342	Infineon技术	Fastirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	32-PowerWFQFN		IRFHE4250	MOSFET （金属 o化物）	156W		32-PQFN （6x6）	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						25V	86a，303a		2.75mohm @ 27a，10v	2.1V @ 35µA	20NC @ 4.5V		1735pf @ 13V	逻辑级别门
SPB80N03S2L06T	-	RFQ	7554	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SPB80N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000016264	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 80A，10V	2V @ 80µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BAT54WH6327XTSA1	-	RFQ	8601	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323		BAT54	肖特基			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															30 V	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）	200mA	10pf @ 1V，1MHz
IPS135N03LGAKMA1	-	RFQ	5866	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				30 V	30A（TC）	4.5V，10V	13.5mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	1000 pf @ 15 V	-	31W（TC）
FF300R12KT3HOSA1	214.2900	RFQ	10	Infineon技术	c	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FF300R12		1450 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																							沟渠场停止	1200 v	480 a	2.15V @ 15V，300A	5 ma	不	21 nf @ 25 V
BC 860B E6327	0.0500	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,105																									45 v	100 ma		15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
IPP65R190C7	1.0000	RFQ	1826年	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				650 v	13A（TC）	10V	190MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 290µA	23 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 400 V	-	72W（TC）
IRF6894MTR1PBF	-	RFQ	1055	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				25 v	32A（TA），160A （TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 33A，10V	2.1V @ 100µA	39 NC @ 4.5 V	±16V	4160 pf @ 13 V	（（（）	2.1W（ta），54W（tc）
SIDC02D60C8X7SA2	-	RFQ	7180	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	死		SIDC02	标准			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															600 v	1.95 V @ 6 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	6a	-
IM241S6S1BAUMA1	10.0700	RFQ	500	Infineon技术	CIPOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	23-PowersMD模块	IGBT						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	448-IM241S6S1BAUMA1DKR	Ear99	8542.39.0001	500	3相逆变器			2 a	600 v	2000vrms
BCP49H6359XTMA1	-	RFQ	4453	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BCP49		1.5 w		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																									60 V	500 MA		100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
IRFB3207ZGPBF	1.4800	RFQ	8331	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRFB3207	MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				75 v	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
ipd80r2k8ceatma1	1.2000	RFQ	8457	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD80R2	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				800 v	1.9A（TC）	10V	2.8ohm @ 1.1a，10v	3.9V @ 120µA	12 nc @ 10 V	±20V	290 pf @ 100 V	-	42W（TC）
IPU060N03L g	-	RFQ	3721	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPU060N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	2400 pf @ 15 V	-	56W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²