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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BCR135WE63 27BTSA1	-	RFQ	8418	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323		BCR135				250兆			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																					50 V	100 ma									100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms	47科姆斯
IGCM06B60HAXKMA1	-	RFQ	1162	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的			通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT									下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001247002	Ear99	8541.29.0095	280	3期									6 a	600 v	2000vrms
IRL3714LPBF	-	RFQ	7430	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA					MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
STT2200N18P55XPSA1	779.7500	RFQ	5559	Infineon技术	-	托盘	积极的		125°C（TJ）	底盘安装	模块		STT2200					1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					300 MA																		1.8 kV	2 v	21000a @ 50Hz	200 MA									2 scr
BB535E7904	0.0500	RFQ	6	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323									pg-sod323-3d	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	6,000																																		2.3pf @ 28V，1MHz											单身的	30 V										9.8	C1/C28	-
BB804SF2E6327	0.0400	RFQ	72	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3									PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																																		47.5pf @ 2V，1MHz											1对普通阴极	18 V										1.71	C2/C8	200 @ 2V，100MHz
IRG4RC10KDPBF	-	RFQ	9908	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRG4RC10KDPBF	标准			38 w			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540504	Ear99	8541.29.0095	75						480V，5A，100OHM，15V																								28 ns						-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	（250µJ）（在140µJ上）	19 nc	49NS/97NS
BCR108WH6433	0.0500	RFQ	40	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		BCR108				250兆			PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,123																																					50 V	100 ma									100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
FF150R12RT4HOSA1	80.7500	RFQ	17	Infineon技术	c	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	模块		FF150R12R				790 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																																			沟渠场停止	1200 v	150 a		2.15V @ 15V，150a							1 MA	不
AIGB30N65F5ATMA1	3.8600	RFQ	3644	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AIGB30	标准						pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						-																														npt	650 v	30 a		-	-		-
IPL65R1K5C6SATMA1	0.5914	RFQ	1599年	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		IPL65R1			MOSFET （金属 o化物）				PG-TSON-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道										650 v	3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1A，10V	3.5V @ 100µA	11 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 100 V	-	26.6W（TC）
SPD50N03S2L	0.3500	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）				pg-to252	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道										30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.4mohm @ 50a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IRFH7084TRPBF	2.1200	RFQ	429	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		IRFH7084			MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道										40 V	100A（TC）	10V	1.25MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 150µA	190 NC @ 10 V	±20V	6560 pf @ 25 V	-	156W（TC）
BSM300GA120DN2S2HDLA1	-	RFQ	1190	Infineon技术	-	托盘	过时的						BSM300								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10
BCP49	0.1300	RFQ	31	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA						1.5 w			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,308																																					60 V	500 MA									100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
IGP03N120H2	1.0000	RFQ	8948	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准			62.5 w			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1						800V，3A，82OHM，15V																														-	1200 v	9.6 a	9.9 a	2.8V @ 15V，3A	290µJ	22 NC	9.2NS/281NS
FP75R12KE3BOSA1	236.8800	RFQ	76	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块		FP75R12				355 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																																			npt	1200 v	105 a		2.2V @ 15V，75a							5 ma	不	5.3 nf @ 25 V
IRF7240TR	-	RFQ	7223	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道										40 V	10.5a（ta）	4.5V，10V	15mohm @ 10.5a，10v	3V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	9250 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
SIDC14D60F6X1SA1	-	RFQ	9251	Infineon技术	-	大部分	过时的			表面安装	死		SIDC14D60			标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										600 v	1.6 V @ 45 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	45a	-
BCR 151F E6327	-	RFQ	4449	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SOT-723		BCR 151				250兆			PG-TSFP-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																					50 V	50 mA									100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 5mA，5V	120 MHz	100 kohms	100 kohms
BCR141SE6327BTSA1	-	RFQ	8584	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BCR141				250MW			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																					50V	100mA									-			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	130MHz	22KOHMS	22KOHMS
IRFP4710pbf	-	RFQ	7179	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IRFP4710			MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道										100 v	72A（TC）	10V	14mohm @ 45a，10v	5.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	6160 pf @ 25 V	-	190w（TC）
AUIRFSL8409	-	RFQ	6004	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-262-3短领先，i²pak					MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001516096	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										40 V	195a（TC）	10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IPB09N03LA	-	RFQ	9972	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB09N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										25 v	50A（TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 30a，10v	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1642 PF @ 15 V	-	63W（TC）
BSP92PL6327HTSA1	-	RFQ	6726	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BSP92			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道										250 v	260mA ta）	4.5V，10V	12ohm @ 260mA，10v	2V @ 130µA	5.4 NC @ 10 V	±20V	104 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRFS7730TRLPBF	2.0637	RFQ	800	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRFS7730			MOSFET （金属 o化物）				d²pak（to-263ab）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道										75 v	195a（TC）	6V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	3.7V @ 250µA	407 NC @ 10 V	±20V	13660 pf @ 25 V	-	375W（TC）
FF225R17ME4BOSA1	186.9900	RFQ	3799	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FF225R17				1500 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																																			沟渠场停止	1700 v	340 a		2.3V @ 15V，225a							3 ma	是的	18.5 nf @ 25 V
IRF3704STRR	-	RFQ	9485	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道										20 v	77A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	87W（TC）
FB20R06KL4B1BOMA1	-	RFQ	8371	Infineon技术	-	托盘	过时的						FB20R06								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		20
BF 2040 E6814	0.0800	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	8 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA				1GHz	MOSFET				PG-SOT143-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			50µA			15 ma	-	23dB																		1.6dB																	5 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²