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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	trr）	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
SPD02N50C3	-	RFQ	8760	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD02N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			560 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	3.9V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	190 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRLR024NPBF	-	RFQ	4239	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道			55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRL1104PBF	-	RFQ	5749	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道			40 V	104a（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 62a，10v	1V @ 250µA	68 NC @ 4.5 V	±16V	3445 pf @ 25 V	-	167W（TC）
SPI80N03S2L-06	-	RFQ	3026	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道			30 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 80A，10V	2V @ 80µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	150W（TC）
irfr3710ztrlpbf	2.3000	RFQ	16	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR3710		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道			100 v	42A（TC）	10V	18mohm @ 33a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	2930 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IPP21N03L g	-	RFQ	9153	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IPP21N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道				-		-	-				-	-
IRF3706PBF	-	RFQ	2331	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道			20 v	77A（TC）	2.8V，10V	8.5mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2410 pf @ 10 V	-	88W（TC）
IPP80N06S205AKSA1	-	RFQ	8983	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道			55 v	80A（TC）	10V	5.1MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPD127N06LGBTMA1	-	RFQ	6218	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD127		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			60 V	50A（TC）	4.5V，10V	12.7mohm @ 50a，10v	2V @ 80µA	69 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 30 V	-	136W（TC）
IRF6638TR1PBF	-	RFQ	1555年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			30 V	25a（25A），140a（tc）	4.5V，10V	2.9mohm @ 25a，10v	2.35V @ 100µA	45 NC @ 4.5 V	±20V	3770 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
SPD50P03LGXT	-	RFQ	2208	Infineon技术	Optimos®-P	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD	SPD50P		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-5	-		3（168））	到达不受影响	SP000086729	Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道			30 V	50A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	6880 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRL3502STRLPBF	-	RFQ	1629年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道			20 v	110A（TC）	4.5V，7V	7mohm @ 64a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	110 NC @ 4.5 V	±10V	4700 PF @ 15 V	-	140W（TC）
IRFL4105pbf	-	RFQ	6779	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80	n通道			55 v	3.7a（ta）	10V	45mohm @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	1W（ta）
CSD127BNPSA1	-	RFQ	2642	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IRF8010SPBF	-	RFQ	5468	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道			100 v	80A（TC）	10V	15mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3830 pf @ 25 V	-	260W（TC）
IRL3215	-	RFQ	7420	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道			150 v	12A（TC）	4V，10V	166MOHM @ 7.2A，10V	2V @ 250µA	35 NC @ 5 V	±16V	775 PF @ 25 V	-	80W（TC）
IRF3205LPBF	-	RFQ	5315	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF3205		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道			55 v	110A（TC）	10V	8mohm @ 62a，10v	4V @ 250µA	146 NC @ 10 V	±20V	3247 PF @ 25 V	-	200W（TC）
AUIRFR4620TRL	3.2600	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR4620		MOSFET （金属 o化物）			D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道			200 v	24A（TC）	10V	78mohm @ 15a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IRF7464Tr	-	RFQ	2100	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道			200 v	1.2A（TA）	10V	730mohm @ 720mA，10v	5.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
AUIRFSL4115	-	RFQ	2853	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IRF7421D1PBF	-	RFQ	9495	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001566294	Ear99	8541.29.0095	95	n通道			30 V	5.8A（ta）	4.5V，10V	35MOHM @ 4.1A，10V	1V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	510 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
SN7002NH6327XTSA1	-	RFQ	7403	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，SIPMOS®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SN7002N		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
IPD088N06N3GBTMA1	1.0700	RFQ	8320	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD088		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			60 V	50A（TC）	10V	8.8mohm @ 50a，10v	4V @ 34µA	48 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 30 V	-	71W（TC）
IRF7420TRPBF	-	RFQ	1830年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7420		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	P通道			12 v	11.5A（TC）	1.8V，4.5V	14mohm @ 11.5a，4.5V	900mv @ 250µA	38 NC @ 4.5 V	±8V	3529 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
SPB21N10 g	-	RFQ	1172	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB21N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			100 v	21a（TC）	10V	80Mohm @ 15a，10v	4V @ 44µA	38.4 NC @ 10 V	±20V	865 pf @ 25 V	-	90W（TC）
T1800N42TOFPRXPSA1	-	RFQ	2336	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	do-200ae	T1800N42				单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2		300 MA												4.2 kV	2820 a	2.5 v	41000a @ 50Hz	300 MA	2490 a		1 scr
irf664444tr1pbf	-	RFQ	8973	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mn			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™Mn	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			100 v	10.3A（ta），60a（tc）	10V	13mohm @ 10.3a，10v	4.8V @ 150µA	47 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IKFW90N60EH3XKSA1	12.7500	RFQ	248	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKFW90	标准		178 w		pg-to247-3-ai	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，75A，5OHM，15V																	107 ns		沟渠场停止	600 v	77 a	300 a	2.3V @ 15V，75a	2.65MJ（在）上，1.3MJ off）	440 NC	32NS/210NS
IRLL024ZPBF	-	RFQ	2749	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80	n通道			55 v	5A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IPL60R185P7AUMA1	3.0900	RFQ	5794	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL60R		MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道			600 v	19a（tc）	10V	185MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 280µA	25 NC @ 10 V	±20V	1081 PF @ 400 V	-	81W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²