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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BAW56SB6327XT	-	RFQ	7584	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAW56		标准				PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						2对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IRGS4620DTRRPBF	-	RFQ	3764	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		140 w			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001535912	Ear99	8541.29.0095	800						400V，12A，22OHM，15V																						68 ns						-	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
DDB6U25N16VRBOMA1	-	RFQ	8811	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				86 W		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三期逆变器																																	-	1600 v			2.15V @ 15V，15a						1 MA	是的
BAT6307WH6327XTSA1	-	RFQ	9299	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-82A，SOT-343	BAT63						PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma													100兆															0.85pf @ 0.2V，1MHz										Schottky -2独立	3V				-
IRLR3410TRR	-	RFQ	9764	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IPDD60R090CFD7XTMA1	6.4300	RFQ	1637年	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块	ipdd60		MOSFET （金属 o化物）				PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700			n通道					600 v	33A（TC）		90mohm @ 9.3a，10v	4.5V @ 470µA	42 NC @ 10 V	±20V	1747 PF @ 400 V	-	227W（TC）
FP75R12KT4B11BOSA1	220.1300	RFQ	40	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FP75R12			385 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																																	沟渠场停止	1200 v	75 a		2.15V @ 15V，75a						1 MA	是的	4.3 NF @ 25 V
BSL211SPT	-	RFQ	5779	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）				PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					20 v	4.7a（ta）	2.5V，4.5V	67MOHM @ 4.7A，4.5V	1.2V @ 25µA	12.4 NC @ 4.5 V	±12V	654 pf @ 15 V	-	2W（TA）
IRFB4229pbf	4.2100	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB4229		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					250 v	46A（TC）	10V	46mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4560 pf @ 25 V	-	330W（TC）
AUXCLF1404STRL	-	RFQ	7266	Infineon技术	*	管子	积极的				AUXCLF1404							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518930	Ear99	8541.29.0095	50
IQE036N08NM6ATMA1	1.1064	RFQ	2006	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IQE036N08NM6ATMA1TR			5,000
BFR949L3E6327	0.0900	RFQ	13	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883				250MW			PG-TSLP-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,463							21.5db																												10V	50mA												NPN		100 @ 5mA，6v	9GHz	1db〜2.5db @ 1GHz
IRG4PH50KDPBF-INF	-	RFQ	6216	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1
BAV99UE6327	-	RFQ	3035	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-74，SOT-457	BAV99		标准				PG-SC74-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						2对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BCW60FFE6327HTSA1	-	RFQ	4039	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW60			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			32 v	100 ma								20NA（ICBO）				NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	250MHz
BAT240AE6327HTSA1	-	RFQ	4960	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT240A		肖特基				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对系列连接	240 v	400mA（DC）	900 mv @ 400 mA		5 µA @ 200 V	150°C （最大）
BAS7007WE6327BTSA1	-	RFQ	1196	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-82A，SOT-343	BAS7007		肖特基				PG-SOT343-4-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 ma	100 ps	100 na @ 50 V	150°C （最大）
IPD80N06S3-09	-	RFQ	9664	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80N		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					55 v	80A（TC）	10V	8.4mohm @ 40a，10v	4V @ 55µA	88 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	107W（TC）
AUIRF3205Z	2.8900	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AUIRF3205		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518518	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					55 v	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 66A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	170W（TC）
BSP52H6327XTSA1	0.2819	RFQ	1667年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP52			1.5 w			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																			80 V	1 a								10µA				npn-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
IPP120N08S404AKSA1	-	RFQ	7519	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP120		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道					80 V	120A（TC）	10V	4.4mohm @ 100a，10v	4V @ 120µA	95 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	179W（TC）
BCW67BE6327	0.0500	RFQ	9	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆			PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	5,948																																			32 v	800 MA								20NA（ICBO）					700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
AIKQ120N75CP2XKSA1	16.8100	RFQ	7551	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIKQ120	标准		682 w			PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						470V，120A，5OHM，15V																												-	750 v	150 a	360 a	1.5V @ 15V，120a	6.82MJ（在）上，3.8MJ off）	731 NC	71NS/244NS
IRFH5304TR2PBF	-	RFQ	7285	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道					30 V	22a（22A），79a （TC）		4.5MOHM @ 47A，10V	2.35V @ 50µA	41 NC @ 10 V		2360 pf @ 10 V	-
IDH20G65C6XKSA1	8.1100	RFQ	3	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDH20G65		SIC （碳化硅）				pg-to220-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）																							650 v		1.35 V @ 20 A	0 ns	67 µA @ 420 V	-55°C 〜175°C	41a	970pf @ 1V，1MHz
TD140N22KOFHPSA2	191.0825	RFQ	8184	Infineon技术	-	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8					200 MA													2.2 kV	250 a	2 v	4000a @ 50Hz	150 ma	159 a										1 sc，1二极管
BFP420H6433	0.1800	RFQ	80	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				210MW			PG-SOT343-4-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000							21dB																												4.5V	60mA												NPN		60 @ 20mA，4V	25GHz	1.1db @ 1.8GHz
PX8143HDMG008XTMA1	-	RFQ	6956	Infineon技术	-	托盘	过时的				PX8143HD							-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
IPTG111N20NM3FDATMA1	8.3200	RFQ	59	Infineon技术	Optimos™3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IPTG111N		MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道					200 v	10.8a（ta），108a tc）	10V	11.1MOHM @ 96A，10V	4V @ 267µA	81 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 100 V	-	3.8W（TA），375W（tc）
IPQC60T017S7AXTMA1	12.7508	RFQ	6892	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IPQC60T017S7AXTMA1TR			750

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²