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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
DDB6U50N16W1RBPSA1	62.9600	RFQ	24	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	DDB6U50				三相桥梁整流器	ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	单菜器																					沟渠场停止	1200 v	50 a		1.5V @ 15V，50a				6.2 µA	不	11.1 NF @ 25 V
IPP06CN10NGXKSA1	-	RFQ	1053	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP06C		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000680822	Ear99	8541.29.0095	500			n通道		100 v	100A（TC）	10V	6.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 180µA	139 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	214W（TC）
IRF8910pbf	-	RFQ	7359	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF89		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,800	2 n 通道（双）				20V	10a		13.4mohm @ 10a，10v	2.55V @ 250µA	11NC @ 4.5V		960pf @ 10V	逻辑级别门
BSP296NL6327HTSA1	-	RFQ	9860	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000942910	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		100 v	1.2A（TA）	4.5V，10V	600MOHM @ 1.2A，10V	1.8V @ 100µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	152.7 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BAW156E6327HTSA1	0.4200	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW156		标准			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	1.5 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）
AUIRF7316Q	-	RFQ	3189	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7316		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001522678	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）				30V	-		58MOHM @ 4.9A，10V	3V @ 250µA	34NC @ 10V		710pf @ 25V	逻辑级别门
ISP650P06NMXTSA1	1.5500	RFQ	3863	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP650		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道		60 V	3.7a（ta）	10V	65mohm @ 3.7A，10V	4V @ 1.037mA	39 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
SIGC15T60SEX7SA1	-	RFQ	2648	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC15	标准				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-																		沟渠场停止	600 v	30 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	-		-
SPP07N65C3HKSA1	-	RFQ	5296	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP07N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
FP75R12N2T7B11BPSA2	183.5400	RFQ	7010	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP75R12			20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																					沟渠场停止	1200 v	75 a		1.55V @ 15V，75a				14 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
IRG4RC10KTRR	-	RFQ	6736	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10K	标准		38 w		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000				480V，5A，100OHM，15V																		-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	160µJ（在）上，100µJ（100µJ）	19 nc	11NS/51NS
Auirlr2905ztrl	1.2223	RFQ	4745	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR2905		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519942	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		55 v	42A（TC）		13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V		1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
irlr3715trl	-	RFQ	2920	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
BCW68GE6327HTSA1	0.0662	RFQ	1983	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW68			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							45 v	800 MA						20NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
6MS30017E43W33015NOSA1	-	RFQ	9955	Infineon技术	MODSTACK™HD	大部分	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块					标准	-	下载			到达不受影响	448-6MS30017E43W33015NOSA1	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																					-	1700 v	1800 a		-					不
FS50R12W2T4B11BOMA1	64.2600	RFQ	15	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS50R12			335 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																					沟渠场停止	1200 v	83 a		2.15V @ 15V，50a				1 MA	是的	2.8 nf @ 25 V
FS75R12KE3BOSA1	-	RFQ	5014	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产	150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS75R12			350 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																					npt	1200 v	105 a		2.15V @ 15V，75a				5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V
FS225R12OE4BOSA1	530.8100	RFQ	4	Infineon技术	Econopack™+	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS225R12			1250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	完整的桥梁逆变器																					沟渠场停止	1200 v	350 a		2.15V @ 15V，225a				3 ma	是的	13 nf @ 25 V
IGP30N65H5XKSA1	2.8100	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IGP30N65	标准		188 w		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，15a，23ohm，15V																		沟	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	280µJ（在）上，100µJ（OFF）	70 NC	19NS/177NS
IPP80P04P405AKSA1	-	RFQ	1111	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80p		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000652622	Ear99	8541.29.0095	500			P通道		40 V	80A（TC）	10V	5.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IRL3303	-	RFQ	9766	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3303	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		30 V	38A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IPP80N04S303AKSA1	-	RFQ	1922年	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		40 V	80A（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 120µA	110 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IKFW50N65DH5XKSA1	-	RFQ	2623	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IKFW50N65DH5XKSA1-448			1
IRFR9120NTRR	-	RFQ	2903	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001576116	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		100 v	6.6A（TC）	10V	480MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SPB07N60S5ATMA1	-	RFQ	5043	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB07N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IPD80R750P7ATMA1	1.6600	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R750		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		800 v	7A（TC）	10V	750MOHM @ 2.7A，10V	3.5V @ 140µA	17 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 500 V	-	51W（TC）
IRFU6215	-	RFQ	6729	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU6215	Ear99	8541.29.0095	75			P通道		150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IPB027N10N5ATMA1	6.2800	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB027		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		100 v	120A（TC）	6V，10V	2.7MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 184µA	139 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 50 V	-	250W（TC）
BC857BWH6327XTSA1	0.0587	RFQ	3382	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857			250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																							45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
SGB30N60ATMA1	-	RFQ	2230	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGB30	标准		250 w		pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，30a，11ohm，15V																		npt	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V，30a	1.29mj	140 NC	44NS/291NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²