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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BC858BE6327	0.0400	RFQ	121	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,460																										30 V	100 ma								15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
BSO303Phxuma1	-	RFQ	4185	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO303		MOSFET （金属 o化物）	2W		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）					30V	7a		21mohm @ 8.2a，10v	2V @ 100µA	49nc @ 10V		2678pf @ 25V	逻辑级别门
IRFC2604B	-	RFQ	9136	Infineon技术	-		过时的		表面安装	-			-			-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			-				-		-	-				-	-
IRG4BC40KPBF	-	RFQ	5341	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC40	标准		160 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					480V，25a，10ohm，15V																				-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	620µJ（在）上，330µJ（OFF）	120 NC	30NS/140NS
IRF7460TR	-	RFQ	8381	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			20 v	12a（12a）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRF7901D1	-	RFQ	7749	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7901		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF7901D1	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）					30V	6.2a		38mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	10.5NC @ 5V		780pf @ 16V	逻辑级别门
IRF8010STRLPBF	2.8400	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF8010		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			100 v	80A（TC）	10V	15mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3830 pf @ 25 V	-	260W（TC）
BSC085N025S g	-	RFQ	6621	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			25 v	（14a）（35A）（35A）（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 35A，10V	2V @ 25µA	14 NC @ 5 V	±20V	1800 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），52W（（ta）
IRF7306PBF	-	RFQ	9086	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564984	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）					30V	3.6a		100mohm @ 1.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		440pf @ 25V	逻辑级别门
IPA60R520C6XKSA1	-	RFQ	2005	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			600 v	8.1A（TC）	10V	520MOHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 V	±20V	512 PF @ 100 V	-	29W（TC）
IPB50R250CP	-	RFQ	4955	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			500 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	114W（TC）
ISP20EP10LMXTSA1	0.7900	RFQ	7724	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP20E		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道			100 v	650mA（ta），990mA（tc）	4.5V，10V	2ohm @ 600mA，10v	2V @ 78µA	3.5 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 50 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
BCR108WE6327	-	RFQ	1224	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR108			250兆		PG-SOT323-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																										50 V	100 ma								100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
D1251S45TXPSA1	2.0000	RFQ	8488	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200 ac，k-puk	D1251S45		标准			-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															4500 v		2.5 V @ 2500 A		80 ma @ 4500 V	-40°C〜140°C	1530a	-
IRFS4410pbf	-	RFQ	9954	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573484	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	88A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
FF600R12IS4F	-	RFQ	4667	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF600R12			3700 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001426596	Ear99	8541.29.0095	3	2独立																								-	1200 v	600 a		3.75V @ 15V，600A						5 ma	是的	39 NF @ 25 V
IRF7379pbf	-	RFQ	5434	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF737		MOSFET （金属 o化物）	2.5W		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001555260	Ear99	8541.29.0095	95	n和p通道					30V	5.8a，4.3a		45MOHM @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		520pf @ 25V	-
IPP12CN10LGHKSA1	-	RFQ	3362	Infineon技术	Optimos™2	管子	积极的				IPP12CN10						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000308792	Ear99	8541.29.0095	500							69A（TC）
IRFR3708TRR	-	RFQ	3034	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			30 V	61A（TC）	2.8V，10V	12.5MOHM @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
IRFS23N20DPBF	-	RFQ	5882	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			200 v	24A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	5.5V @ 250µA	86 NC @ 10 V	±30V	1960 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
IKP15N65H5XKSA1	3.2700	RFQ	3463	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IKP15N65	标准		105 w		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					400V，7.5a，39onm，15V															48 ns					-	650 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	120µJ（在）上，50µJ（50µJ）	38 NC	17ns/160ns
2SP0115T2A0FF300R12NPSA1	-	RFQ	1032	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IKW30N60DTP	-	RFQ	9817	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w		pg-to247-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1					400V，30a，10.5Ohm，15V															76 ns					沟渠场停止	600 v	53 a	90 a	1.8V @ 15V，30a	（710µJ）（在420µJ上）	130 NC	15NS/179NS
IPB03N03LB	-	RFQ	2212	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB03N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			30 V	80A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 55a，10v	2V @ 100µA	59 NC @ 5 V	±20V	7624 PF @ 15 V	-	150W（TC）
IRGR4045DTRRPBF	-	RFQ	6126	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR4045	标准		77 w		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001533062	Ear99	8541.29.0095	3,000					400V，6A，47OHM，15V															74 ns					沟	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
BAW56SB6327XT	-	RFQ	7584	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAW56		标准			PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														2对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IRGS4620DTRRPBF	-	RFQ	3764	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		140 w		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001535912	Ear99	8541.29.0095	800					400V，12A，22OHM，15V															68 ns					-	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
DDB6U25N16VRBOMA1	-	RFQ	8811	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				86 W	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三期逆变器																								-	1600 v			2.15V @ 15V，15a						1 MA	是的
BAT6307WH6327XTSA1	-	RFQ	9299	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-82A，SOT-343	BAT63					PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma											100兆									0.85pf @ 0.2V，1MHz									Schottky -2独立	3V				-
IRLR3410TRR	-	RFQ	9764	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²