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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRFIB41N15DPBF	-	RFQ	2698	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						150 v	41A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	5.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2520 PF @ 25 V	-	48W（TC）
IRFML8244TRPBF	0.4400	RFQ	65	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRFML8244			MOSFET （金属 o化物）				SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						25 v	5.8A（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 5.8A，10V	2.35V @ 10µA	5.4 NC @ 10 V	±20V	430 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
IPP410N30NAKSA1	10.0800	RFQ	250	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP410			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						300 v	44A（TC）	10V	41MOHM @ 44A，10V	4V @ 270µA	87 NC @ 10 V	±20V	7180 pf @ 100 V	-	300W（TC）
BC857AE6327	0.0400	RFQ	36	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857				330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	8,460																																					45 v	100 ma							15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	250MHz
BF1005SE6433XT	-	RFQ	6694	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	8 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BF1005		800MHz	MOSFET				PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	20,000	n通道			25mA			-	22DB																	1.6dB																			5 v
IPP120N06S402AKSA1	-	RFQ	9961	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP120N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						60 V	120A（TC）	10V	2.8MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	195 NC @ 10 V	±20V	15750 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IPP13N03LB g	-	RFQ	8640	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP13N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						30 V	30A（TC）	4.5V，10V	12.8mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	10 NC @ 5 V	±20V	1355 pf @ 15 V	-	52W（TC）
BC857AE6327HTSA1	0.3600	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857				330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																					45 v	100 ma							15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	125 @ 2mA，5V	250MHz
IRL6372PBF	-	RFQ	5176	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRL6372			MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001568406	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）								30V	8.1a		17.9mohm @ 8.1a，4.5V	1.1V @ 10µA	11NC @ 4.5V		1020pf @ 25V	逻辑级别门
IRFR9014N	-	RFQ	4175	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9014			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			P通道						60 V	5.1A（TC）	10V	500MOHM @ 3.1A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
IRFZ48NSPBF	-	RFQ	3076	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						55 v	64A（TC）	10V	14mohm @ 32a，10v	4V @ 250µA	81 NC @ 10 V	±20V	1970 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），130w（tc）
IRF6616TR1PBF	-	RFQ	9293	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						40 V	（19a）（ta），106a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3765 pf @ 20 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
BAV 99W H6327	-	RFQ	1765年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAV 99			标准				PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								1对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IRFP460pbf	-	RFQ	3579	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP460			MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道						500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	280W（TC）
BSC889N03MSGATMA1	-	RFQ	2905	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						30 V	（12A）（TA）44A （TC）	4.5V，10V	9.1mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
IMBG65R039M1HXTMA1	15.6600	RFQ	2599	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IMBG65			sicfet （碳化硅）				PG-TO263-7-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						650 v	54A（TC）	18V	51mohm @ 25a，18v	5.7V @ 7.5mA	41 NC @ 18 V	+23V，-5V	1393 PF @ 400 V	-	211W（TC）
FF300R12ME4PB11BPSA1	214.0950	RFQ	8993	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF300R12				20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥																																			沟渠场停止	1200 v	600 a		2.1V @ 15V，300A					3 ma	是的	18.5 nf @ 25 V
IMBG120R017M2HXTMA1	23.2180	RFQ	5363	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的													-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IMBG120R017M2HXTMA1TR			1,000
F3L75R12W1H3B11BPSA1	64.3800	RFQ	24	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F3L75R12				275 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	单菜器																																			-	1200 v	45 a		1.7V @ 15V，30a					1 MA	是的	4.4 NF @ 25 V
IPAW60R280CEXKSA1	-	RFQ	7407	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，变体	ipaw60			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220完整包，宽阔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	450			n通道						600 v	19.3a（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	3.5V @ 430µA	43 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	32W（TC）
IRF7831TR	-	RFQ	7716	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						30 V	21a（21a）	4.5V，10V	3.6mohm @ 20a，10v	2.35V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±12V	6240 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BDP953H6327XTSA1	0.5094	RFQ	5006	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BDP953				5 w			PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																					100 v	3 a							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 200mA，2a	100 @ 500mA，1V	100MHz
Auirfu4104	-	RFQ	9512	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）				我帕克	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001518784	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
TZ740N20KOFHPSA3	-	RFQ	7326	Infineon技术	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TZ740N					单身的			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					500 MA														2 kV	1500 a	2 v	30000A @ 50Hz	250 MA	819 a											1 scr
BSZ028N04LSATMA1	1.5700	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ028			MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						40 V	21a（21a），40a （TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 20a，10v	-	32 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 20 V	-	2.1W（TA），63W（tc）
SN7002WH6433XTMA1	0.0551	RFQ	5203	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计					SN7002								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000											4.5V，10V				±20V
D1821SH45TPRXPSA1	-	RFQ	5626	Infineon技术	-	托盘	过时的			底盘安装	do-200ae	D1821SH45			标准				-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									4500 v		3.6 V @ 2500 A		150 ma @ 4500 V	0°C〜140°C	2210a	-
IPA80R1K4CEXKSA2	1.6600	RFQ	490	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA80R1			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						800 v	3.9a（TC）	10V	1.4OHM @ 2.3a，10V	3.9V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	570 pf @ 100 V	-	31W（TC）
SMBTA56E6433	0.0400	RFQ	125	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,709																																					80 V	500 MA							100NA			PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
auirgs4062d1trl	-	RFQ	6005	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRGS4062	标准			246 w			D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800						400V，24a，10ohm，15V																								102 ns						沟	600 v	59 a	72 a	1.77V @ 15V，24a	（532µJ）（在311µJ上）	77 NC	19NS/90NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²