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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IPD60R600P7SE8228AUMA1	0.8800	RFQ	2	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			600 v	6A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 400 V	-	30W（TC）
IRF7703GTRPBF	-	RFQ	7860	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道			40 V	6a（6a）	4.5V，10V	28mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	62 NC @ 4.5 V	±20V	5220 PF @ 25 V	-	1.5W（TA）
IPP600N25N3GXKSA1	3.2000	RFQ	129	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp600		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			250 v	25A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	136W（TC）
IPP65R225C7	-	RFQ	2113	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1			n通道			650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
SPW15N60CFDFKSA1	-	RFQ	9495	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW15N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道			650 v	13.4A（TC）	10V	330mohm @ 9.4a，10v	5V @ 750µA	84 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	156W（TC）
SIDC06D60F6X1SA3	-	RFQ	8368	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	SIDC06D60		标准			锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v	1.6 V @ 15 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	15a	-
IRF7464TRPBF	-	RFQ	9430	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			200 v	1.2A（TA）	10V	730mohm @ 720mA，10v	5.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPF014N08NF2SATMA1	5.1100	RFQ	800	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IPF014N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO263-7-14	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			80 V	282a（TC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 267µA	255 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 40 V	-	300W（TC）
SPP80N04S2-04	-	RFQ	4305	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	6980 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BCR185SE6327	0.0300	RFQ	6018	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	9,000
IRFS4010Trl7pp	3.9300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRFS4010		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			100 v	190a（TC）	10V	4mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	9830 PF @ 50 V	-	380W（TC）
BCX71GE6327	0.0400	RFQ	47	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,454																								45 v	100 ma						20NA（ICBO）			PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
IRF7601pbf	-	RFQ	9619	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001551458	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			20 v	5.7A（ta）	2.7V，4.5V	35mohm @ 3.8A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V	±12V	650 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
IRG4BC40SPBF	-	RFQ	8872	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC40	标准		160 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001535562	Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，31a，10ohm，15V																			-	600 v	60 a	120 a	1.5V @ 15V，31a	450µJ（在）上，6.5MJ（6.5MJ）	100 NC	22NS/650NS
IRLR8256TRPBF	-	RFQ	4722	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8256		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			25 v	81A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1470 pf @ 13 V	-	63W（TC）
AIMZHN120R120M1TXKSA1	12.1686	RFQ	7276	Infineon技术	*	管子	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZHN120R120M1TXKSA1			240
IRF7807D1TR	-	RFQ	9185	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001577472	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	2.5W（TA）
F575R06KE3B5BOSA1	-	RFQ	7495	Infineon技术	Econopack™3	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F575R06			250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																						沟渠场停止	600 v	75 a		1.9V @ 15V，75a				1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
BAT6402WH6327XTSA1	-	RFQ	6186	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，BAT64	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-80	BAT64		肖特基			SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														40 V	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C （最大）	120mA	6pf @ 1V，1MHz
IRFR1018EPBF	-	RFQ	9968	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			60 V	56A（TC）	10V	8.4mohm @ 47a，10v	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	2290 pf @ 50 V	-	110W（TC）
IRG4PC50KPBF	-	RFQ	4416	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PC50	标准		200 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				480V，30a，5ohm，15V																			-	600 v	52 a	104 a	2.2V @ 15V，30a	490µJ（在）上，680µJ降低）	200 NC	38NS/160NS
BCR183E6359HTMA1	-	RFQ	5416	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR183			200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000010801	Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
BSP296L6327HTSA1	-	RFQ	9580	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			100 v	1.1A（TA）	4.5V，10V	700MOHM @ 1.1A，10V	1.8V @ 400µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	364 pf @ 25 V	-	1.79W（TA）
IRF8113PBF	-	RFQ	7321	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001572234	Ear99	8541.29.0095	3,800			n通道			30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPB034N06N3GATMA1	-	RFQ	9266	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB034N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			60 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 100a，10v	4V @ 93µA	130 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
SPP15P10PLGHKSA1	-	RFQ	1951年	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp15p		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			P通道			100 v	15A（TC）	4.5V，10V	200mohm @ 11.3a，10v	2V @ 1.54mA	62 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 25 V	-	128W（TC）
FD1000R33HL3KB60BPSA1	-	RFQ	2398	Infineon技术	IHM-B	托盘	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FD1000			1600000 w	标准	AG-IHVB190	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双制动斩波器																						沟渠场停止	3300 v	1000 a		2.85V @ 15V，1KA				5 ma	不	190 NF @ 25 V
PTFB093608FVV2R250XTMA1	-	RFQ	5295	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000997836	Ear99	8541.29.0095	250
BC857SH6433XTMA1	0.0824	RFQ	6725	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC857			250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																								45V	100mA						15NA（icbo）			2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BFP 420F E6327	-	RFQ	6047	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP 420			160MW		4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					19.5db																			5V	35mA									NPN		60 @ 5mA，4V	25GHz			1.1db @ 1.8GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²