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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BCR183E6359HTMA1	-	RFQ	5416	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR183			200兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000010801	Ear99	8541.21.0075	3,000																																	50 V	100 ma								100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
BSP296L6327HTSA1	-	RFQ	9580	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					100 v	1.1A（TA）	4.5V，10V	700MOHM @ 1.1A，10V	1.8V @ 400µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	364 pf @ 25 V	-	1.79W（TA）
IRF8113PBF	-	RFQ	7321	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001572234	Ear99	8541.29.0095	3,800			n通道					30 V	17.2a（ta）	4.5V，10V	5.6MOHM @ 17.2A，10V	2.2V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	±20V	2910 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPB034N06N3GATMA1	-	RFQ	9266	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB034N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					60 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 100a，10v	4V @ 93µA	130 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
SPP15P10PLGHKSA1	-	RFQ	1951年	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp15p		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			P通道					100 v	15A（TC）	4.5V，10V	200mohm @ 11.3a，10v	2V @ 1.54mA	62 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 25 V	-	128W（TC）
FD1000R33HL3KB60BPSA1	-	RFQ	2398	Infineon技术	IHM-B	托盘	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FD1000			1600000 w		标准	AG-IHVB190	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双制动斩波器																															沟渠场停止	3300 v	1000 a		2.85V @ 15V，1KA						5 ma	不	190 NF @ 25 V
PTFB093608FVV2R250XTMA1	-	RFQ	5295	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000997836	Ear99	8541.29.0095	250
BC857SH6433XTMA1	0.0824	RFQ	6725	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC857			250MW			PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																	45V	100mA								15NA（icbo）				2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BFP 420F E6327	-	RFQ	6047	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP 420			160MW			4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							19.5db																										5V	35mA												NPN		60 @ 5mA，4V	25GHz			1.1db @ 1.8GHz
IRF7492TRPBF	-	RFQ	6318	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					200 v	3.7a（ta）	10V	79mohm @ 2.2a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
F3L200R12N2H3B47BPSA2	344.5900	RFQ	4029	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L200			20兆		标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三级逆变器																															-	1200 v	150 a		2.15V @ 15V，150a						1 MA	是的	11.5 nf @ 25 V
56DN06ELEMEVMITPRXPSA1	-	RFQ	3560	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	DO-200AB，B-PUK	56DN06		标准				E-EUPEC-0	-		不适用	到达不受影响	SP000961310	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						600 v	1.15 V @ 10000 A		100 ma @ 600 V	180°C （最大）	6400a	-
IRFS4321TRLPBF	3.8500	RFQ	10	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4321		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IRFHM792TR2PBF	-	RFQ	4705	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn	IRFHM792		MOSFET （金属 o化物）	2.3W			8-pqfn二（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	2 n 通道（双）							100V	2.3a		195MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 10µA	6.3nc @ 10V		251pf @ 25V	-
TTW3C145N16LOF	143.9200	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	TTW3C145				桥梁，三相 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					200 ma													1.4 kV	120 a	2.5 v	12500a	150 ma									6 scr
TD700N22KOFXPSA1	380.1300	RFQ	6183	Infineon技术	TD	托盘	积极的	135°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件			448-TD700N22KOFXPSA1	Ear99	8541.30.0080	2					300 MA													2.2 kV	1.05 ka	2.2 v	20400a @ 50Hz	250 MA	700 a								1 sc，1二极管
BBY 53 E6327	-	RFQ	6113	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BBY 53						PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																														3.1pf @ 3V，1MHz										1对普通阴极	6 V												2.6	C1/C3	-
IRFB7440pbf	1.7300	RFQ	1	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB7440		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					40 V	120A（TC）	6V，10V	2.5MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	135 NC @ 10 V	±20V	4730 PF @ 25 V	-	143W（TC）
IDP40E65D2XKSA1	2.5600	RFQ	298	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2	IDP40E65		标准				TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						650 v	2.3 V @ 40 A	75 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	40a	-
FZ1200R17KE3B2NOSA1	-	RFQ	8392	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块				8950 w		标准	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000100600	Ear99	8541.29.0095	2	单个开关																															-	1700 v	1900 a		2.45V @ 15V，1.2KA						5 ma	不	110 nf @ 25 V
DZ950N36KHPSA1	889.1200	RFQ	9839	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	DZ950N36		标准				模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						3600 v	1.78 V @ 3000 A		100 ma @ 3600 V	-40°C〜150°C	950a	-
IPB067N08N3GATMA1	2.7800	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB067		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					80 V	80A（TC）	6V，10V	6.7MOHM @ 73A，10V	3.5V @ 73µA	56 NC @ 10 V	±20V	3840 pf @ 40 V	-	136W（TC）
IPA65R099C6XKSA1	-	RFQ	7366	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ipa65r		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO220-3-111	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道					650 v	38A（TC）	10V	99mohm @ 12.8a，10v	3.5V @ 1.2mA	127 NC @ 10 V	±20V	2780 pf @ 100 V	-	35W（TC）
FF600R12ME4CB11BPSA1	395.8320	RFQ	7457	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12			4050 w		标准	ag-econod	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																															沟渠场停止	1200 v	1060 a		2.1V @ 15V，600A						3 ma	是的	37 NF @ 25 V
BC 817-25 B5003	-	RFQ	7006	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 817			330兆			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	45 v	500 MA								100NA（ICBO）				NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
BSP315PL6327HTSA1	-	RFQ	2553	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道					60 V	1.17A（TA）	4.5V，10V	800MOHM @ 1.17A，10V	2V @ 160µA	7.8 NC @ 10 V	±20V	160 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BAR63-03WE6327	0.0500	RFQ	3192	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323							PG-SOD323-2	下载					Ear99	8541.10.0070	5,176				100 ma													250兆													0.3pf @ 5V，1MHz										PIN-单	50V				-
IRGP6650D-EPBF	-	RFQ	1218	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		306 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549702	Ear99	8541.29.0095	25						400V，35a，10ohm，15V																				50 ns						-	600 v	80 a	105 a	1.95V @ 15V，35a	（300µJ）（630µJ）off）	75 NC	40NS/105NS
BC846SH6727XTSA1	0.0990	RFQ	5629	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC846			250MW			PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	65V	100mA								15NA（icbo）				2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BAS3020BH6327XTSA1	-	RFQ	8275	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAS3020		肖特基				PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						30 V	600 mv @ 2 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜125°C	2a	70pf @ 1V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²