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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IDH04SG60CXKSA2	2.9100	RFQ	486	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的		通过洞	TO-220-2		IDH04SG60	SIC （碳化硅）				pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																							600 v		2.3 V @ 4 A	0 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	4a	80pf @ 1V，1MHz
IRAM136-1060BS	-	RFQ	2207	Infineon技术	Imotion™	管子	在sic中停产		通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	IGBT							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	3期				10 a	600 v	2000vrms
IPP60R280P7XKSA1	2.6000	RFQ	9796	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP60R280	MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					600 v	12A（TC）	10V	280MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 190µA	18 nc @ 10 V	±20V	761 PF @ 400 V	-	53W（TC）
FF17MR12W1M1HB11BPSA1	141.7000	RFQ	24	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的	-	底盘安装	模块		FF17MR12	MOSFET （金属 o化物）	-			ag-easy1b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	-							1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
2PS13512E43W39689NOSA1	-	RFQ	9939	Infineon技术	Primestack™	大部分	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块		2PS13512				标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器																																	沟渠场停止	1200 v		-				是的
IRSM636-015MB	6.2798	RFQ	5949	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计			-	-	IRSM636						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001539614	Ear99	8542.39.0001	800	-						-
DD241S14KHPSA1	-	RFQ	6248	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块			标准				模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1对系列连接	1400 v	240a	1.55 V @ 800 A		200 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C
IPB120N08S404ATMA1	4.1300	RFQ	2492	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB120	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					80 V	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 120µA	95 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	179W（TC）
TD61N1625KOFHPSA1	-	RFQ	5672	Infineon技术	-	托盘	过时的					TD61N						-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15
BSC030N03LSGATMA1	1.1800	RFQ	24	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC030	MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道					30 V	（23A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	3mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
SMBTA14E6327XT	0.1000	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆			PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,112																																			30 V	300 MA				100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
IRDM983-025MB	-	RFQ	1357	Infineon技术	Imotion™	托盘	过时的					IRDM983						-		3（168））	到达不受影响	SP001548438	过时的	0000.00.0000	800
SDT05S60XK	2.3700	RFQ	700	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			SIC （碳化硅）				pg-to220-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		没有恢复t> 500mA（IO）																							600 v		1.7 V @ 5 A	0 ns	200 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	170pf @ 1V，1MHz
IRLU3714	-	RFQ	8226	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）				我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irlu3714	Ear99	8541.29.0095	75			n通道					20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
IDP09E120XKSA1	0.7700	RFQ	5	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			标准				pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1200 v		2.15 V @ 9 A	140 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	23a	-
IPP65R380C6	-	RFQ	8705	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1			n通道					650 v	10.6A（TC）	10V	380MOHM @ 3.2A，10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W（TC）
IRFS7437pbf	-	RFQ	5581	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573442	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					40 V	195a（TC）	6V，10V	1.8mohm @ 100a，10v	3.9V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRL5602SPBF	-	RFQ	9461	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道					20 v	24A（TC）	2.5V，4.5V	42mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±8V	1460 pf @ 15 V	-	75W（TC）
IRF7521D1TRPBF	-	RFQ	5706	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）				micro8™	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001555506	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					20 v	2.4A（TA）	2.7V，4.5V	135mohm @ 1.7A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	8 NC @ 4.5 V	±12V	260 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	1.3W（TA）
IPL65R460CFDAUMA1	-	RFQ	3641	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		IPL65R	MOSFET （金属 o化物）				PG-VSON-4	下载		2a （4周）	到达不受影响	SP000949260	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					650 v	8.3a（TC）	10V	460MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
IPN50R3K0CEATMA1	0.5000	RFQ	2062	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		IPN50R3	MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					500 v	2.6A（TC）	13V	3ohm @ 400mA，13v	3.5V @ 30µA	4.3 NC @ 10 V	±20V	84 pf @ 100 V	-	5W（TC）
IRFS17N20DTRR	-	RFQ	2682	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					200 v	16A（TC）	10V	170MOHM @ 9.8A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），140W（TC）
FP75R07N2E4BPSA1	130.8400	RFQ	2561	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FP75R07		20兆		三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																																	沟渠场停止	650 v	95 a	1.95V @ 15V，75a			1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
IPB200N25N3GATMA1	8.2000	RFQ	3565	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB200	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					250 v	64A（TC）	10V	20mohm @ 64a，10v	4V @ 270µA	86 NC @ 10 V	±20V	7100 PF @ 100 V	-	300W（TC）
TT162N14KOFHPSA2	183.1400	RFQ	5	Infineon技术	-	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8				200 ma														1.4 kV	260 a	2 v	5200a @ 50Hz	150 ma	162 a										2 scr
D4810N20TVFXPSA1	-	RFQ	4881	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	do-200ae		D4810N20	标准				-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							2000 v		1.078 V @ 4000 A		200 ma @ 2000 V	-40°C〜150°C	4810a	-
FF900R12IE4VPBOSA1	753.4800	RFQ	5413	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	不适合新设计	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FF900R12		20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	半桥																																	沟渠场停止	1200 v	900 a	2.1V @ 15V，900A			5 ma	是的	54 NF @ 25 V
BB 857 E7902	-	RFQ	4605	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-80		BB 857					SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																																0.52pf @ 28V，1MHz						单身的	30 V								12.7	C1/C28	-
IDP08E65D1XKSA1	1.9500	RFQ	8213	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2		IDP08E65	标准				TO-220-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							650 v		1.7 V @ 8 A	80 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	8a	-
IPDQ60R040S7AXTMA1	11.1000	RFQ	5649	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块		IPDQ60R	MOSFET （金属 o化物）				PG-HDSOP-22-1	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	750			n通道					600 v	14A（TC）	12V	40mohm @ 13a，12v	4.5V @ 790µA	83 NC @ 12 V	±20V		-	272W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²