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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
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IPI65R310CFDXKSA1	-	RFQ	9693	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI65R	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 440µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
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IPI80N04S4L04AKSA1	-	RFQ	6247	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	500	n通道	40 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 80a，10v	2.2V @ 35µA	60 NC @ 10 V	+20V，-16V	4690 pf @ 25 V	-	71W（TC）
IPI90N04S402AKSA1	3.1900	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI90N04	MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50	n通道	40 V	90A（TC）	10V	2.5MOHM @ 90A，10V	4V @ 95µA	118 NC @ 10 V	±20V	9430 PF @ 25 V	-	150W（TC）
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IPW65R070C6FKSA1	11.2600	RFQ	2918	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R070	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	650 v	53.5a（TC）	10V	70MOHM @ 17.6A，10V	3.5V @ 1.76mA	170 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 100 V	-	391W（TC）
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IRFH7107TR2PBF	-	RFQ	9544	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）	8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	400	n通道	75 v	（14a）（ta），75a（tc）		8.5MOHM @ 45A，10V	4V @ 100µA	72 NC @ 10 V		3110 PF @ 25 V	-
IPB100N04S204ATMA4	6.9700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	40 V	100A（TC）	10V	3.3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	172 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPB100N06S205ATMA4	-	RFQ	8865	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB100	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	100A（TC）	10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPB77N06S212ATMA2	-	RFQ	4092	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB77N06	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	77A（TC）	10V	11.7mohm @ 38a，10v	4V @ 93µA	60 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	158W（TC）
IPB80N06S208ATMA2	-	RFQ	9300	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	80A（TC）	10V	7.7MOHM @ 58A，10V	4V @ 150µA	96 NC @ 10 V	±20V	2860 pf @ 25 V	-	215W（TC）
IPB80N06S2L11ATMA2	2.5200	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N	MOSFET （金属 o化物）	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道	55 v	80A（TC）	4.5V，10V	10.7MOHM @ 40a，10v	2V @ 93µA	80 NC @ 10 V	±20V	2075 PF @ 25 V	-	158W（TC）
IPD200N15N3GATMA1	3.0600	RFQ	57	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD200	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	150 v	50A（TC）	8V，10V	20mohm @ 50a，10v	4V @ 90µA	31 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 75 V	-	150W（TC）
IPD25CN10NGATMA1	1.4700	RFQ	1718年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD25CN10	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	35A（TC）	10V	25mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 50 V	-	71W（TC）
IPD26N06S2L35ATMA2	1.1400	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD26N06	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	55 v	30A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 13a，10v	2V @ 26µA	24 NC @ 10 V	±20V	621 PF @ 25 V	-	68W（TC）
IPD50N06S2L13ATMA2	1.6800	RFQ	9381	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50	MOSFET （金属 o化物）	PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	55 v	50A（TC）	4.5V，10V	12.7MOHM @ 34a，10V	2V @ 80µA	69 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IPD65R600E6ATMA1	-	RFQ	9964	Infineon技术	Coolmos™E6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R600	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
IPD65R660CFDATMA1	0.8193	RFQ	5263	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R660	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	650 v	6A（TC）	10V	660MOHM @ 2.1a，10V	4.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
IPD65R950CFDATMA1	0.6380	RFQ	5512	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R950	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	650 v	3.9a（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 200µA	14.1 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 100 V	-	36.7W（TC）
IPD78CN10NGATMA1	0.8800	RFQ	16	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD78CN10	MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道	100 v	13A（TC）	10V	78mohm @ 13a，10v	4V @ 12µA	11 NC @ 10 V	±20V	716 PF @ 50 V	-	31W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²