RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BAV99UE6327	-	RFQ	3035	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	SC-74，SOT-457		BAV99		标准				PG-SC74-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																											2对系列连接	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IRF6665TR1PBF	-	RFQ	5653	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距sh				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™SH	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									100 v	4.2A（TA），19a （TC）	10V	62MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRLR024ZTRPBF	-	RFQ	5633	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道									55 v	16A（TC）	4.5V，10V	58mohm @ 9.6a，10V	3V @ 250µA	9.9 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	35W（TC）
AUIRFS4115	-	RFQ	5324	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AUIRFS4115		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520256	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
TD280N18SOFHPSA1	109.0700	RFQ	3481	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜130°C	底盘安装	模块		TD280N18				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3					150 ma																	1.8 kV	520 a	2 v	9000a @ 50Hz	150 ma	280 a											1 sc，1二极管
BB814E7801GR1HTSA1	0.0900	RFQ	60	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3								PG-SOT23-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000																																					22.7pf @ 8v，1MHz							1对普通阴极	18 V									2.25	C2/C8	200 @ 2V，100MHz
BSP129L6906HTSA1	-	RFQ	9937	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									240 v	350mA（ta）	0V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1V @ 108µA	5.7 NC @ 5 V	±20V	108 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
IRLR2705TRRPBF	-	RFQ	6224	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001558392	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道									55 v	28a（TC）	4V，10V	40mohm @ 17a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 pf @ 25 V	-	68W（TC）
IPD65R600E6BTMA1	-	RFQ	6848	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		ipd65r		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									650 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	3.5V @ 210µA	23 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
FF225R17ME4B11BOSA1	-	RFQ	9147	Infineon技术	EconoDual™3	大部分	在sic中停产		-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FF225R17			1500 w		标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2独立																																						沟渠场停止	1700 v	340 a	2.3V @ 15V，225a				3 ma	是的	18.5 nf @ 25 V
DD1200S33KL2CB5NOSA1	-	RFQ	1086	Infineon技术	-	托盘	过时的			底盘安装	街区，4领先				标准				模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000100628	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																											2独立	3300 v	1200a（DC）	3.5 V @ 1200 A		1700 A @ 1800 V	-40°C〜125°C
IRF3707ZL	-	RFQ	1460	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3707ZL	Ear99	8541.29.0095	50			n通道									30 V	59A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 21a，10V	2.25V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1210 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IRF2805SPBF	-	RFQ	3081	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									55 v	135a（TC）	10V	4.7MOHM @ 104A，10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BBY5802LE6327	0.0900	RFQ	11	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	SOD-882								PG-TSLP-2-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	15,000																																					5.5pf @ 6V，1MHz							单身的	10 v									1.3	C4/C6	-
BC849CE6327	-	RFQ	8276	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																								30 V	100 ma					15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
IRF7473TRPBF	1.7100	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF7473		MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道									100 v	6.9a（ta）	10V	26mohm @ 4.1A，10V	5.5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
DF400R12KE3	-	RFQ	5846	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					2000 w		标准	模块	下载					Ear99	8542.29.0095	1	单身的																																						沟渠场停止	1200 v	580 a	2.15V @ 15V，400A				5 ma	不	28 NF @ 25 V
IDC73D120T6MX1SA2	-	RFQ	8525	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产			表面安装	死		IDC73D120		标准				锯箔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000374980	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																												1200 v		2.05 V @ 150 A		26 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	150a	-
IRFP9140N	-	RFQ	1361	Infineon技术	Hexfet®	包	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP9140N	Ear99	8541.29.0095	25			P通道									100 v	23A（TC）	10V	117MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	140W（TC）
F433MR12W1M1HB70BPSA1	98.4113	RFQ	9767	Infineon技术	-	托盘	积极的													-	rohs3符合条件						24
BCW61E6384HTMA1	-	RFQ	1888年	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	上次购买													下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
IM393X6FXKLA1	-	RFQ	5761	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的			通过洞	26-Powersip模块，22条线索，形成铅	IGBT	IM393x6							下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	540	3相逆变器								20 a	600 v	2000vrms
BG3430RH6327XTSA1	-	RFQ	9448	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363			800MHz	MOSFET				PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25mA		14 ma	-	25DB																				1.3dB															5 v
BCX6916E6327HTSA1	-	RFQ	8143	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		BCX69			3 W			PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																								20 v	1 a					100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
IPI120N10S405AKSA1	-	RFQ	5364	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI120N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道									100 v	120A（TC）	10V	5.3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 120µA	91 NC @ 10 V	±20V	6540 pf @ 25 V	-	190w（TC）
BCR129E6327HTSA1	0.0495	RFQ	9791	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCR129			200兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																								50 V	100 ma					100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms
IPC65SR048CFDAE8206X2SA2	-	RFQ	2984	Infineon技术	-	大部分	过时的						IPC65							-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
IPP100N06S3L-04in	0.6700	RFQ	500	Infineon技术	*	大部分	积极的													-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	500
FP20R06W1E3B11BOMA1	41.5100	RFQ	24	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FP20R06			94 W		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																																						沟渠场停止	600 v	27 a	2V @ 15V，20A				1 MA	是的	1.1 NF @ 25 V
FF600R17ME4B11BPSA1	471.1880	RFQ	6762	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FF600R12			20兆		标准	ag-econod	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																																						沟渠场停止	1700 v	950 a	2.3V @ 15V，600A				1 MA	是的	48 nf @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²