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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPA60R125P6	1.0000	RFQ	9832	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					MOSFET （金属 o化物）				PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道							600 v	30A（TC）	10V	125mohm @ 11.6a，10v	4.5V @ 960µA	56 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 100 V	-	34W（TC）
IPD03N03LB g	-	RFQ	4586	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD03N			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							30 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 60a，10v	2V @ 70µA	40 NC @ 5 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	115W（TC）
IKCM20L60GBXKMA1	4.6300	RFQ	7	Infineon技术	-	大部分	积极的			通过洞		IGBT									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	3期
IRFU4510pbf	1.9100	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IRFU4510			MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道							100 v	56A（TC）	10V	13.9mohm @ 38a，10v	4V @ 100µA	81 NC @ 10 V	±20V	3031 PF @ 50 V	-	143W（TC）
IKQ40N120CH3XKSA1	12.7300	RFQ	1206	Infineon技术	-	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IKQ40N120	标准			500 w			PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						400V，40a，12ohm，15V																													-	1200 v	80 a	160 a	2.35V @ 15V，40a	3.3mj（在）上，1.3MJ off）	190 NC	30NS/300NS
IPP139N08N3G	0.5600	RFQ	15	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道							80 V	45A（TC）	6V，10V	13.9mohm @ 45a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1730 PF @ 40 V	-	79W（TC）
BF2040WH6814XTSA1	-	RFQ	1018	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	SC-82A，SOT-343		BF2040		800MHz	MOSFET				PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			40mA			15 ma	-	23dB																	1.6dB																	5 v
FP30R06YE3BOMA1	-	RFQ	3348	Infineon技术	*	托盘	过时的														下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000100331	Ear99	8541.29.0095	1
BSC019N06NSATMA1	2.6600	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC019			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道							60 V	100A（TA）	6V，10V	1.95MOHM @ 50a，10V	3.3V @ 74µA	77 NC @ 10 V	±20V	5250 pf @ 30 V	-	136W（TA）
IRGP4269DPBF	-	RFQ	8626	Infineon技术	-	管子	过时的														下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546196	Ear99	8541.29.0095	240
BAV70SH6327XTSA1	0.1021	RFQ	4899	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BAV70			标准				PG-SOT363-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									2对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
T300N12TOFXPSA1	-	RFQ	8262	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AA		T300N					单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					200 ma															1.8 kV	400 a	2 v	3800a @ 50Hz	150 ma	303 a									1 scr
BTS247ZE3043AKSA1	-	RFQ	5109	Infineon技术	tempfet®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5					MOSFET （金属 o化物）				P-TO220-5-43	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道							55 v	33A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 12a，10v	2V @ 90µA	90 NC @ 10 V	±20V	1730 pf @ 25 V	温度传感二极管	120W（TC）
SKB06N60ATMA1	-	RFQ	8352	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SKB06N	标准			68 w			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						400V，6A，50OHM，15V																									200 ns				npt	600 v	12 a	24 a	2.4V @ 15V，6a	215µJ	32 NC	25NS/220NS
IPC60R041C6UNSAWNX6SA1	-	RFQ	3057	Infineon技术	-	大部分	过时的						IPC60R								-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000910380	过时的	0000.00.0000	1											-
BSM15GD120DN2E3224BOSA1	78.2250	RFQ	2492	Infineon技术	-	托盘	上次购买		150°C（TJ）	底盘安装	模块		BSM15G				145 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																																		-	1200 v	25 a		3V @ 15V，15a					500 µA	不	1 nf @ 25 V
higfed1bosa1	-	RFQ	6279	Infineon技术	-	托盘	过时的		-	-	-		higfed1						-	-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000713564	过时的	0000.00.0000	1	-																																		-				-
BC857SE6327BTSA1	-	RFQ	5814	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BC857				250MW			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																				45V	100mA							15NA（icbo）			2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IPW60R250CPFKSA1	-	RFQ	7675	Infineon技术	*	大部分	积极的														下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FP50R12KS4CBOSA1	205.6510	RFQ	1282	Infineon技术	-	大部分	上次购买		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FP50R12				360 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																																		-	1200 v	70 a		3.7V @ 15V，50a					5 ma	是的	3.3 NF @ 25 V
irfr3518pbf	-	RFQ	3068	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道							80 V	38A（TC）	10V	29mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	110W（TC）
SPB80N03S2L-05	-	RFQ	5517	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SPB80N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							30 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.9mohm @ 55a，10v	2V @ 110µA	89.7 NC @ 10 V	±20V	3320 PF @ 25 V	-	167W（TC）
SPA04N50C3XKSA1	-	RFQ	5317	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		SPA04N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道							560 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	31W（TC）
AUIRGDC0250	-	RFQ	2300	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		auirgdc	标准			543 w			SUPER-220™to-273AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						600V，33A，5OHM，15V																													-	1200 v	141 a	99 a	1.57V @ 15V，33a	（15mj））	227 NC	- /485ns
IPW60R125CPFKSA1	5.4657	RFQ	1478	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW60R125			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道							600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	208W（TC）
BSC037N025S g	-	RFQ	8349	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN					MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道							25 v	21a（21A），100A （TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 50a，10v	2V @ 50µA	29 NC @ 5 V	±20V	3660 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），69W（tc）
IRL3102STRR	-	RFQ	7324	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道							20 v	61A（TC）	4.5V，7V	13mohm @ 37a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	58 NC @ 4.5 V	±10V	2500 pf @ 15 V	-	89W（TC）
IPP80N06S2L-06	1.0000	RFQ	9133	Infineon技术	*	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道							55 v	80A（TC）	4.5V，10V	6.3mohm @ 69a，10v	2V @ 180µA	150 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRG4BC30K-STRRP	-	RFQ	5798	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRG4BC30	标准			100 W			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001532514	Ear99	8541.29.0095	800						480V，16a，23ohm，15v																													-	600 v	28 a	56 a	2.7V @ 15V，16a	360µJ（在）上，510µJ（OFF）	67 NC	26NS/130NS
IPA50R380CE	-	RFQ	4249	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPA50R			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							500 v	9.9a（TC）	13V	380MOHM @ 3.2A，13V	3.5V @ 260µA	24.8 NC @ 10 V	±20V	584 pf @ 100 V	-	29.2W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²