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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BC847CWH6778XTSA1	0.0702	RFQ	4653	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC847			250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	45 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
FS300R12KE3BOSA1	603.4000	RFQ	5418	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FS300R12			1450 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	三相逆变器															沟渠场停止	1200 v	500 a		2.15V @ 15V，300A				5 ma	是的	21 nf @ 25 V
IPC302N15N3X7SA1	-	RFQ	7183	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-	表面安装	死	IPC302		MOSFET （金属 o化物）			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001155560	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			150 v	-	10V	100mohm @ 2a，10v	4V @ 270µA		-		-	-
IPS70R950CEAKMA1	-	RFQ	3021	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	IPS70R950		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			700 v	7.4A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 150µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 pf @ 100 V	-	68W（TC）
IRF3711	-	RFQ	9537	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3711	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			20 v	110A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	2980 pf @ 10 V	-	3.1W（ta），120W（（tc）
SPI80N08S2-07R	-	RFQ	6020	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			75 v	80A（TC）	10V	7.3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	5830 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRF6729MTRPBF	-	RFQ	7123	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道			30 V	31a（TA），190a （TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 31a，10v	2.35V @ 150µA	63 NC @ 4.5 V	±20V	6030 PF @ 15 V	-	2.8W（ta），104W（tc）
IRG5K75HH06E	-	RFQ	9033	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir Eco 2™模块	IRG5K75			330 w	标准	Powir Eco 2™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	14	完整的桥梁逆变器															-	600 v	140 a		2.1V @ 15V，75a				1 MA	是的	3.6 NF @ 25 V
CHIPT0110L3E6762SX2XA1	-	RFQ	3653	Infineon技术	*	大部分	上次购买										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001155730		0000.00.0000	1
IPP139N08N3GXKSA1	0.6100	RFQ	632	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			80 V	45A（TC）	6V，10V	13.9mohm @ 45a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1730 PF @ 40 V	-	79W（TC）
IRFR18N15DTRLP-INF	-	RFQ	9284	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000		n通道			150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
IRGR4045DPBF	-	RFQ	1766年	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRGR4045	标准		77 w		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			400V，6A，47OHM，15V												74 ns	沟	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRL1404SPBF	-	RFQ	9563	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			40 V	160a（TC）	4.3V，10V	4mohm @ 95a，10v	3V @ 250µA	140 NC @ 5 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
AUIRGF65A40D0	-	RFQ	7045	Infineon技术	Coolirigbt™	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	Auirgf65					TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25
IMT65R048M1HXUMA1	14.7100	RFQ	6980	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powersfn			sicfet （碳化硅）			PG-HSOF-8-1	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		-			650 v	-	18V	-	-		-		-	-
BCW67BE6327HTSA1	0.0662	RFQ	7930	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW67			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																	32 v	800 MA						20NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
IPB80P04P4L04ATMA1	-	RFQ	5802	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80P		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道			40 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.4mohm @ 80a，10v	2.2V @ 250µA	176 NC @ 10 V	±16V	3800 PF @ 25 V	-	125W（TC）
TR10140962NOSA1	-	RFQ	1917年	Infineon技术	-	大部分	过时的										-			到达不受影响	448-TR10140962NOSA1	Ear99	8542.39.0001	1
IRG6S320UTRRPBF	-	RFQ	2055	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG6S320U	标准		114 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			196V，12a，10ohm													沟	330 v	50 a		1.65V @ 15V，24a	-	46 NC	24NS/89NS
IRF7807ZPBF	-	RFQ	9436	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道			30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13.8mohm @ 11a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	770 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IKW30N65EL5XKSA1	5.5600	RFQ	5009	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW30N65	标准		227 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V												100 ns	-	650 v	85 a	120 a	1.35V @ 15V，30a	470µJ（在）上，1.35mj off）	168 NC	33NS/308NS
spp80p06phxksa1	5.9100	RFQ	3	Infineon技术	Sipmos®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80P06		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道			60 V	80A（TC）	10V	23mohm @ 64a，10v	4V @ 5.5mA	173 NC @ 10 V	±20V	5033 PF @ 25 V	-	340W（TC）
IRFS4127pbf	-	RFQ	2001	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			200 v	72A（TC）	10V	22mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5380 pf @ 50 V	-	375W（TC）
BFR 740L3 E6327	-	RFQ	6012	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883	BFR 740			160MW		PG-TSLP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000				24dB													4.7V	30mA									NPN		160 @ 25mA，3v	42GHz	0.5db〜0.8dB @ 1.8GHz〜6GHz
IRFS4321pbf	-	RFQ	8134	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
FP75R12N3T7B81BPSA1	227.5900	RFQ	10	Infineon技术	*	托盘	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10
IPSA70R360P7SAKMA1	1.3000	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPSA70		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道			700 v	12.5A（TC）	10V	360MOHM @ 3A，10V	3.5V @ 150µA	16.4 NC @ 400 V	±16V	517 PF @ 400 V	-	59.5W（TC）
IPA80R1K4P7	-	RFQ	6451	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31完整包	下载						0000.00.0000	1		n通道			800 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 70µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	24W（TC）
IPB70N10S312ATMA1	3.1600	RFQ	603	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB70N10		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			100 v	70A（TC）	10V	11.3MOHM @ 70A，10V	4V @ 83µA	66 NC @ 10 V	±20V	4355 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BFP780H6327XTSA1	-	RFQ	4004	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP780			600MW		PG-SOT343-4-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000				27dB													6.1V	120mA									NPN		85 @ 90mA，5V	900MHz	1.2db〜2.4dB @ 900MHz〜3.5GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²