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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRGP4066-EPBF	-	RFQ	3725	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		454 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540800	Ear99	8541.29.0095	25						400V，75A，10欧姆，15V																															沟	600 v	140 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	2.47mj（在）上，2.16mj off）	150 NC	50NS/200NS
IPI50R299CPXKSA1	-	RFQ	5899	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI50R		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道								500 v	12A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	31 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 100 V	-	104W（TC）
IPB083N10N3GATMA1	1.6900	RFQ	960	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB083		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								100 v	80A（TC）	6V，10V	8.3MOHM @ 73A，10V	3.5V @ 75µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 50 V	-	125W（TC）
F3L300R12MT4B22BOSA1	284.5850	RFQ	9611	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		F3L300			1550 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥逆变器																																				沟渠场停止	1200 v	450 a		2.1V @ 15V，300A						1 MA	是的	19 nf @ 25 V
BFP720H6327XTSA1	0.6800	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343		BFP720			100MW			PG-SOT343-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							10.5db〜28.5dB																															4.7V	25mA												NPN		160 @ 13mA，3v	45GHz	0.4db〜0.95db @ 150MHz〜10GHz
spw11n60cfd	1.8900	RFQ	391	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道								600 v	11A（TC）	10V	440MOHM @ 7A，10V	5V @ 500µA	64 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IPP80R280P7XKSA1	3.8900	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP80R280		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								800 v	17a（TC）	10V	280MOHM @ 7.2A，10V	3.5V @ 360µA	36 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 500 V	-	101W（TC）
BCX70JE6433HTMA1	0.0492	RFQ	5550	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCX70			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																						45 v	100 ma								20NA（ICBO）				NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	250MHz
IRG7CH28UEF	-	RFQ	6851	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死		IRG7CH	标准					死	下载		不适用	到达不受影响	SP001549476	过时的	0000.00.0000	1						600V，15A，22OHM，15V																															-	1200 v			1.55V @ 15V，2.5a	-	60 NC	35NS/225NS
BAS 16-07L4 E6327	-	RFQ	9308	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	4-XFDFN		BAS 16		标准				TSLP-4-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	15,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									2独立	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）
IRF6643TRPBF	2.3800	RFQ	2314	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz		IRF6643		MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MZ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道								150 v	6.2a（ta），35a（tc）	10V	34.5MOHM @ 7.6A，10V	4.9V @ 150µA	55 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRAM630-1562F2	-	RFQ	5524	Infineon技术	-	管子	过时的		通过洞	35-Powerssip模块，25个线索，形成铅	IGBT								下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001538554	Ear99	8541.29.0095	80	3期							20 a	600 v	2000vrms
TD162N16KOFAHPSA1	-	RFQ	1331	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD162N				系列连接 -SCR/二极管			-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8					200 ma																1.6 kV	260 a	2 v	5200a @ 50Hz	150 ma	162 a										1 sc，1二极管
BC 846B E6433	-	RFQ	9093	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC 846			330兆			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																						65 v	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
irlr2703trr	-	RFQ	1579年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道								30 V	23A（TC）	4V，10V	45mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
DDB6U215N16LHOSA1	229.2700	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块		DDB6U215		标准				模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									3独立	1600 v	-	1.61 V @ 300 A		10 ma @ 1600 V	-40°C〜150°C
ICA32V20X1SA1	-	RFQ	6827	Infineon技术	*	大部分	过时的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001113920	过时的	0000.00.0000	1
IPP80N06S3L-06	-	RFQ	2244	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ipp80n		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道								55 v	80A（TC）	5V，10V	5.9MOHM @ 56A，10V	2.2V @ 80µA	196 NC @ 10 V	±16V	9417 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IPP65R125C7XKSA1	5.6700	RFQ	2472	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP65R125		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								650 v	18A（TC）	10V	125mohm @ 8.9a，10v	4V @ 440µA	35 NC @ 10 V	±20V	1670 PF @ 400 V	-	101W（TC）
BC817K16WH6327XTSA1	-	RFQ	9524	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		BC817			250兆			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																						45 v	500 MA								100NA（ICBO）				NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz
BAR6302LE6433XT	-	RFQ	5337	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）		SOD-882		BAR63						PG-TSLP-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	50,000				100 ma																250兆															0.3pf @ 5V，1MHz										PIN-单	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
IDV30E60C	-	RFQ	4131	Infineon技术	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2完整包		IDV30E60		标准				pg-to220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										600 v		2.05 V @ 30 A	130 ns	40 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	21a	-
IQDH45N04LM6CGATMA1	4.0500	RFQ	8000	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	9-POWERTDFN		IQDH45		MOSFET （金属 o化物）				PG-TTFN-9-U02	-	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	5,000			n通道								40 V	60a（637a）（637A）TC）	4.5V，10V	0.45MOHM @ 50a，10V	2.3V @ 1.449mA	129 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 20 V	-	3W（3），333W（tc）
ND171N08KHPSA1	-	RFQ	5160	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块		ND171N		标准				BG-PB34-1	-		不适用	到达不受影响	SP000539950	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										800 v		1.26 V @ 500 A		20 ma @ 800 V	150°C （最大）	171a	-
BCX51E6327	0.0900	RFQ	67	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					2 w			PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1																																						45 v	1 a								100NA（ICBO）					500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
IPT039N15N5ATMA1	7.3500	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn				MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道								150 v	21a（21A），190a （TC）	8V，10V	3.9mohm @ 50a，10v	4.6V @ 257µA	98 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 75 V	-	3.8W（TA），319W（tc）
DD350N12KKHPSA1	-	RFQ	6068	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块				标准				模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									1对系列连接	1200 v	350a	1.28 V @ 1000 A		30 ma @ 1200 V	150°C
IQE018N06NM6SCATMA1	1.1992	RFQ	5918	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IQE018N06NM6SCATMA1TR			6,000
F4200R17N3E4BPSA1	284.5000	RFQ	10	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		F4200R17			20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																																				沟渠场停止	1700 v	200 a		2.3V @ 15V，200a						1 MA	是的	18 nf @ 25 V
IRGS4610DTRLPBF	-	RFQ	1139	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		77 w			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001536494	Ear99	8541.29.0095	800						400V，6A，47OHM，15V																									74 ns						-	600 v	16 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	13 NC	27ns/75ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²