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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRF1010EZLPBF	-	RFQ	3388	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 100µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRL3705NSTRR	-	RFQ	3435	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						55 v	89A（TC）	4V，10V	10mohm @ 46a，10v	2V @ 250µA	98 NC @ 5 V	±16V	3600 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
IPL65R099C7AUMA1	7.1100	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R099			MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						650 v	21a（TC）	10V	99mohm @ 5.9a，10v	4V @ 590µA	45 NC @ 10 V	±20V	2140 pf @ 400 V	-	128W（TC）
Auirlr2905ztrl	1.2223	RFQ	4745	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR2905			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519942	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						55 v	42A（TC）		13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V		1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
BSP296NL6327HTSA1	-	RFQ	9860	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000942910	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						100 v	1.2A（TA）	4.5V，10V	600MOHM @ 1.2A，10V	1.8V @ 100µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	152.7 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
ISP650P06NMXTSA1	1.5500	RFQ	3863	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP650			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道						60 V	3.7a（ta）	10V	65mohm @ 3.7A，10V	4V @ 1.037mA	39 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
SIGC15T60SEX7SA1	-	RFQ	2648	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC15	标准					死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1					-																								沟渠场停止	600 v	30 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	-	-
BSZ009NE2LS5ATMA1	2.9200	RFQ	1139	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ009			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						25 v	39a（ta），40a tc（TC）	4.5V，10V	900mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±16V	5500 pf @ 12 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
IPP80N04S303AKSA1	-	RFQ	1922年	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						40 V	80A（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 120µA	110 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 25 V	-	188W（TC）
BCW68GE6327HTSA1	0.0662	RFQ	1983	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW68				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																														45 v	800 MA						20NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
FP75R12N2T7B11BPSA2	183.5400	RFQ	7010	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP75R12				20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																												沟渠场停止	1200 v	75 a		1.55V @ 15V，75a				14 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
PTFA210701EV4T500XWSA1	-	RFQ	2247	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	H-36265-2			2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos			H-36265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000393362	Ear99	8541.29.0095	500				-		550 MA	18W	16.5db											-																	30 V
BAS 40-06 B5003	-	RFQ	9624	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS 40			肖特基			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		1对公共阳极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
AUIRF7316Q	-	RFQ	3189	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7316			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001522678	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）								30V	-		58MOHM @ 4.9A，10V	3V @ 250µA	34NC @ 10V		710pf @ 25V	逻辑级别门
IKFW50N65DH5XKSA1	-	RFQ	2623	Infineon技术	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IKFW50N65DH5XKSA1-448			1
IRLZ44NPBF	1.5900	RFQ	20	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ44			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						55 v	47A（TC）	4V，10V	22mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
IPD028N06NF2SATMA1	1.5900	RFQ	1	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD028			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						60 V	24A（TA），139A （TC）	6V，10V	2.85MOHM @ 70A，10V	3.3V @ 80µA	102 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 30 V	-	（3w（ta），150w（tc）
BFP640ESDH6327XTSA1	0.7400	RFQ	27	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP640				200MW		PG-SOT343-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								7db〜30dB																						4.7V	50mA									NPN		110 @ 30mA，3v	46GHz	0.6db〜2dB @ 150MHz〜10GHz
BAW156E6327HTSA1	0.4200	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW156			标准			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		1对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	1.5 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）
SPP07N65C3HKSA1	-	RFQ	5296	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP07N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
FS50R12W2T4B11BOMA1	64.2600	RFQ	15	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS50R12				335 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																												沟渠场停止	1200 v	83 a		2.15V @ 15V，50a				1 MA	是的	2.8 nf @ 25 V
FS75R12KE3BOSA1	-	RFQ	5014	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS75R12				350 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																												npt	1200 v	105 a		2.15V @ 15V，75a				5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V
6MS30017E43W33015NOSA1	-	RFQ	9955	Infineon技术	MODSTACK™HD	大部分	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	模块						标准	-	下载			到达不受影响	448-6MS30017E43W33015NOSA1	Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																												-	1700 v	1800 a		-					不
FS225R12OE4BOSA1	530.8100	RFQ	4	Infineon技术	Econopack™+	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS225R12				1250 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	完整的桥梁逆变器																												沟渠场停止	1200 v	350 a		2.15V @ 15V，225a				3 ma	是的	13 nf @ 25 V
IRL520NSTRL	-	RFQ	8309	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						100 v	10A（TC）	4V，10V	180mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
BAT165	-	RFQ	1062	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323				肖特基			PG-SOD323-2	-						0000.00.0000	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			40 V		740 mv @ 750 mA			150°C （最大）	750mA	12pf @ 10V，1MHz
IRF2807ZSPBF	-	RFQ	5895	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IPP029N06NAK5A1	-	RFQ	3689	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						60 V	（24A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.9MOHM @ 100A，10V	2.8V @ 75µA	56 NC @ 10 V	±20V	4100 PF @ 30 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
IPP06CN10NGXKSA1	-	RFQ	1053	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP06C			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000680822	Ear99	8541.29.0095	500			n通道						100 v	100A（TC）	10V	6.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 180µA	139 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	214W（TC）
IRF8910pbf	-	RFQ	7359	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF89			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,800	2 n 通道（双）								20V	10a		13.4mohm @ 10a，10v	2.55V @ 250µA	11NC @ 4.5V		960pf @ 10V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²