RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IGB03N120H2ATMA1616	-	RFQ	8180	Infineon技术	*	大部分	积极的													-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
TT700N22KoftimHPSA1	510.0700	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	积极的		135°C（TJ）		底盘安装	模块		TT700N				系列连接 -scr		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2					300 MA																2.2 kV	1050 a	2.2 v	20400a @ 50Hz	250 MA	700 a										2 scr
BDP948H6327XTSA1	0.5094	RFQ	6818	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BDP948			5 w		PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																						45 v	3 a						100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	100MHz
IRF7807Tr	-	RFQ	9002	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001556108	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道								30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
IQE065N10NM5CGATMA1	2.9300	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN		IQE065N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TTFN-9-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道								100 v	（14a）（ta），85a tc（TC）	6V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	3.8V @ 48µA	42 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	2.5W（TA），100W（TC）
IRFZ24NSTRR	-	RFQ	2864	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道								55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IRF5210STRR	-	RFQ	3312	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道								100 v	40a（TC）	10V	60mohm @ 24a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
ND171N12KHPSA1	-	RFQ	5166	Infineon技术	-	托盘	过时的				底盘安装	模块		ND171N12		标准			BG-PB34-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										1200 v				20 ma @ 1200 V	-40°C〜135°C	171a	-
IRFP048N	-	RFQ	7138	Infineon技术	Hexfet®	包	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP048N	Ear99	8541.29.0095	25			n通道								55 v	64A（TC）	10V	16mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	140W（TC）
SPA02N80C3XKSA1	1.6700	RFQ	3879	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包		SPA02N80		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								800 v	2A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.2A，10V	3.9V @ 120µA	16 NC @ 10 V	±20V	290 pf @ 100 V	-	30.5W（TC）
BCX54-16E6327	0.0800	RFQ	105	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）		表面安装	TO-243AA					2 w		PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1																																						45 v	1 a						100NA（ICBO）		500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
IPW90R120C3FKSA1	-	RFQ	2826	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3		IPW90R		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道								900 v	36a（TC）	10V	120mohm @ 26a，10v	3.5V @ 2.9mA	270 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	417W（TC）
IPN80R4K5P7ATMA1	0.8300	RFQ	8745	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA		IPN80R4		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道								800 v	1.5A（TC）	10V	4.5Ohm @ 400mA，10v	3.5V @ 20µA	4 NC @ 10 V	±20V	80 pf @ 500 V	-	6W（TC）
BCR192E6785HTSA1	-	RFQ	1494	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买				表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCR192			200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																						50 V	100 ma						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
IPP60R099CPXKSA1	9.4000	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3		IPP60R099		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								650 v	31a（TC）	10V	99mohm @ 18a，10v	3.5V @ 1.2mA	80 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	255W（TC）
IRLML2060TRPBF	0.4600	RFQ	11	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		IRLML2060		MOSFET （金属 o化物）			Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道								60 V	1.2A（TA）	4.5V，10V	480MOHM @ 1.2A，10V	2.5V @ 25µA	0.67 NC @ 4.5 V	±16V	64 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
BFP460E6327HTSA1	-	RFQ	9350	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	SC-82A，SOT-343		BFP460			230MW		PG-SOT343-4-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							12.5db〜26.5dB																															5.8V	70mA							NPN		90 @ 20mA，3v	22GHz			0.7db〜1.2dB @ 100MHz〜3GHz
DT92N12KOFHPSA1	-	RFQ	8603	Infineon技术	-	大部分	过时的		130°C（TJ）		底盘安装	模块						系列连接 -SCR/二极管		下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15					200 ma																1.2 kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA	104 a										1 sc，1二极管
IRFS5620pbf	-	RFQ	2922	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001565120	Ear99	8541.29.0095	50			n通道								200 v	24A（TC）	10V	77.5MOHM @ 15A，10V	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 50 V	-	144W（TC）
IRF1324STRL-7PP	-	RFQ	3289	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（7铅）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道								24 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 160a，10V	4V @ 250µA	252 NC @ 10 V	±20V	7700 PF @ 19 V	-	300W（TC）
BSF450NE7NH3XUMA1	1.6800	RFQ	1894年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）		表面安装	3-wdson		BSF450		MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道								75 v	（5A）（TA），15A （TC）	7V，10V	45mohm @ 8a，10v	3.5V @ 8µA	6 NC @ 10 V	±20V	390 pf @ 37.5 V	-	2.2W（TA），18W（tc）
IRG4BC30W-STRRP	-	RFQ	9699	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRG4BC30	标准		100 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540364	Ear99	8541.29.0095	800						480V，12a，23ohm，15V																															-	600 v	23 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
BCV61BE6433HTMA1	0.1302	RFQ	9563	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	30V		当前镜子	表面安装	TO-253-4，TO-253AA		BCV61					PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000				100mA																																										2 NPN，基本收集器交界处
IDWD10G120C5XKSA1	9.0000	RFQ	3811	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的				通过洞	TO-247-2		IDWD10		SIC （碳化硅）			pg-to247-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）																										1200 v		1.65 V @ 10 A	0 ns	80 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	34a	730pf @ 1V，1MHz
IRGB15B60KDPBF-INF	2.1400	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3			标准		208 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1						400V，15A，22OHM，15V																									92 ns						npt	600 v	31 a	62 a	2.2V @ 15V，15a	（220µJ）（在340µJ上）	84 NC	34NS/184NS
BFP640H6327XTSA1	0.6100	RFQ	74	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SC-82A，SOT-343		BFP640			200MW		PG-SOT343-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							12.5db																															4.5V	50mA							NPN		110 @ 30mA，3v	40GHz			0.65db〜1.2db @ 1.8GHz〜6GHz
BAS1602VH6327XTSA1	0.4300	RFQ	69	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买				表面安装	SC-79，SOD-523		BAS1602		标准			PG-SC79-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																										80 V		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）	200mA	2pf @ 0v，1MHz
IKP20N65H5XKSA1	2.9700	RFQ	94	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3		IKP20N65	标准		125 w		pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50						400V，10a，32ohm，15V																									52 ns						沟	650 v	42 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	170µJ（在）上，60µj（60µJ）	48 NC	18NS/156NS
BAW56SE6327BTSA1	-	RFQ	8150	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BAW56		标准			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									2对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IKCM30F60HDXKMA1	-	RFQ	5688	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的				通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT							下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	280	3期							30 a	600 v	2000vrms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²