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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRF6635TRPBF	-	RFQ	7644	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道						30 V	32A（TA），180a （TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 32a，10v	2.35V @ 250µA	71 NC @ 4.5 V	±20V	5970 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF6636	-	RFQ	1093	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St				MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™st	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道						20 v	18A（18A），81A（81A）（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 18A，10V	2.45V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±20V	2420 PF @ 10 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IPU10N03LA	-	RFQ	2304	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU10N			MOSFET （金属 o化物）			P-TO251-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000014984	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道						25 v	30A（TC）	4.5V，10V	10.4mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	11 NC @ 5 V	±20V	1358 pf @ 15 V	-	52W（TC）
DD435N36KHPSA1	621.8600	RFQ	3484	Infineon技术	-	托盘	积极的			底盘安装	模块	DD435N36			标准			模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																		1对系列连接	3600 v	573a	1.71 V @ 1200 A		50 ma @ 3600 V	-40°C〜150°C
IRF7700TRPBF	-	RFQ	2913	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道						20 v	8.6A（TC）	2.5V，4.5V	15mohm @ 8.6a，4.5V	1.2V @ 250µA	89 NC @ 5 V	±12V	4300 PF @ 15 V	-	1.5W（TC）
IRFH7932TRPBF	1.2100	RFQ	19	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH7932			MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）单个死亡	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						30 V	24A（24A），104A （TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 25a，10v	2.35V @ 100µA	51 NC @ 4.5 V	±20V	4270 pf @ 15 V	-	3.4W（TA）
2SP0320T2C017NPSA1	-	RFQ	2372	Infineon技术	-	托盘	过时的												-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IRFR024NTRLPBF	1.0200	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR024			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						55 v	17a（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SPB80N06S08ATMA1	-	RFQ	7954	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB80N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						55 v	80A（TC）	10V	7.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 240µA	187 NC @ 10 V	±20V	3660 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IDW40G120C5BFKSA1	24.3200	RFQ	863	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	IDW40G120			SIC （碳化硅）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		1对普通阴极	1200 v	55A（DC）	1.65 V @ 20 A		166 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
IRG4BC30F-S	-	RFQ	8211	Infineon技术	-	管子	过时的		-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准			100 W		D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC30F-S	Ear99	8541.29.0095	50					480V，17a，23ohm，15v																						-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
FP40R12KE3BOSA1	-	RFQ	5130	Infineon技术	Econopim™2	大部分	在sic中停产		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FP40R12				210 w	标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																										沟渠场停止	1200 v	55 a		2.3V @ 15V，40a					1 MA	是的	2.5 nf @ 25 V
IRF1010EZLPBF	-	RFQ	3388	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 100µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRL3705NSTRR	-	RFQ	3435	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						55 v	89A（TC）	4V，10V	10mohm @ 46a，10v	2V @ 250µA	98 NC @ 5 V	±16V	3600 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
IPL65R099C7AUMA1	7.1100	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN	IPL65R099			MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						650 v	21a（TC）	10V	99mohm @ 5.9a，10v	4V @ 590µA	45 NC @ 10 V	±20V	2140 pf @ 400 V	-	128W（TC）
Auirlr2905ztrl	1.2223	RFQ	4745	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR2905			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519942	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						55 v	42A（TC）		13.5MOHM @ 36a，10v	3V @ 250µA	35 NC @ 5 V		1570 pf @ 25 V	-	110W（TC）
BSP296NL6327HTSA1	-	RFQ	9860	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000942910	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						100 v	1.2A（TA）	4.5V，10V	600MOHM @ 1.2A，10V	1.8V @ 100µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	152.7 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
ISP650P06NMXTSA1	1.5500	RFQ	3863	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP650			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道						60 V	3.7a（ta）	10V	65mohm @ 3.7A，10V	4V @ 1.037mA	39 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
SIGC15T60SEX7SA1	-	RFQ	2648	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC15	标准					死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1					-																						沟渠场停止	600 v	30 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	-		-
BSZ009NE2LS5ATMA1	2.9200	RFQ	1139	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ009			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						25 v	39a（ta），40a tc（TC）	4.5V，10V	900mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±16V	5500 pf @ 12 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
IPP80N04S303AKSA1	-	RFQ	1922年	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						40 V	80A（TC）	10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 120µA	110 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 25 V	-	188W（TC）
BCW68GE6327HTSA1	0.0662	RFQ	1983	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW68				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																												45 v	800 MA							20NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	200MHz
FP75R12N2T7B11BPSA2	183.5400	RFQ	7010	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP75R12				20兆	三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																										沟渠场停止	1200 v	75 a		1.55V @ 15V，75a					14 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
PTFA210701EV4T500XWSA1	-	RFQ	2247	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	H-36265-2			2.11GHZ〜2.17GHz	ldmos			H-36265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000393362	Ear99	8541.29.0095	500				-		550 MA	18W	16.5db											-																30 V
BAS 40-06 B5003	-	RFQ	9624	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS 40			肖特基			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		1对公共阳极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
AUIRF7316Q	-	RFQ	3189	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7316			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-SOIC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001522678	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）								30V	-		58MOHM @ 4.9A，10V	3V @ 250µA	34NC @ 10V		710pf @ 25V	逻辑级别门
IKFW50N65DH5XKSA1	-	RFQ	2623	Infineon技术	*	大部分	积极的												下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-IKFW50N65DH5XKSA1-448			1
IRLZ44NPBF	1.5900	RFQ	20	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRLZ44			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						55 v	47A（TC）	4V，10V	22mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±16V	1700 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
IPD028N06NF2SATMA1	1.5900	RFQ	1	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD028			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						60 V	24A（TA），139A （TC）	6V，10V	2.85MOHM @ 70A，10V	3.3V @ 80µA	102 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 30 V	-	（3w（ta），150w（tc）
BFP640ESDH6327XTSA1	0.7400	RFQ	27	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP640				200MW		PG-SOT343-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								7db〜30dB																				4.7V	50mA										NPN		110 @ 30mA，3v	46GHz	0.6db〜2dB @ 150MHz〜10GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²