RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FF600R17KE3B2NOSA1	1.0000	RFQ	3198	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FF600R17				4300 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																													-	1700 v			2.45V @ 15V，600A					5 ma	不	54 NF @ 25 V
IPU80R1K0CEAKMA1	-	RFQ	2702	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPU80R1			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-341	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道									800 v	5.7A（TC）	10V	950MOHM @ 3.6A，10V	3.9V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	785 pf @ 100 V	-	83W（TC）
BAS70-5	1.0000	RFQ	9868	Infineon技术	*	大部分	积极的						BAS70							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	10,000
BCP5310E6327HTSA1	-	RFQ	9111	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BCP53				2 w		PG-SOT223-4-10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																															80 V	1 a							100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	125MHz
PTFA192001EV4R250XTMA1	-	RFQ	3993	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	H-36260-2		PTFA192001		1.99GHz	ldmos			H-36260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250				10µA		1.8 a	50W	15.9db														-																30 V
IRF7603Tr	-	RFQ	3677	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）					MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道									30 V	5.6a（ta）		35MOHM @ 3.7A，10V	1V @ 250µA	27 NC @ 10 V		520 pf @ 25 V	-
IPL60R104C7AUMA1	6.5800	RFQ	3	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		IPL60R			MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道									600 v	20A（TC）	10V	104mohm @ 9.7a，10v	4V @ 490µA	42 NC @ 10 V	±20V	1819 PF @ 400 V	-	122W（TC）
IKD10N60RFAATMA1	1.1900	RFQ	7030	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		ikd10n	标准			150 w		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001205244	Ear99	8541.29.0095	2,500					400V，10a，26ohm，15V																				72 ns					沟	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，10a	（190µJ）（在160µJ上）	64 NC	12NS/168NS
BAT6402VH6327XTSA1	0.4000	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，BAT64	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523		BAT6402			肖特基			PG-SC79-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					40 V	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C （最大）	250mA	6pf @ 0v，1MHz
IRF3808STRLPBF	3.9000	RFQ	780	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRF3808			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道									75 v	106a（TC）	10V	7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BSC059N03S g	-	RFQ	5255	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN					MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道									30 V	17.5A（ta），73A（tc）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 35µA	21 NC @ 5 V	±20V	2670 pf @ 15 V	-	17.5W（ta），48W（tc）
IRF7702GTRPBF	-	RFQ	2171	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）					MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道									12 v	8a（8a）	1.8V，4.5V	14mohm @ 8a，4.5V	1.2V @ 250µA	81 NC @ 4.5 V	±8V	3470 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
IRFH8202TRPBFTR	-	RFQ	6572	Infineon技术	*	大部分	积极的													-					Ear99	8541.29.0095	1
SMBTA06	0.0500	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3						330兆		PG-SOT23-3-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	6,000																															80 V	500 MA							100NA				250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
IDK05G65C5XTMA1	-	RFQ	5259	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IDK05G65			SIC （碳化硅）			pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		没有恢复t> 500mA（IO）																					650 v	1.8 V @ 5 A	0 ns	830 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	5a	160pf @ 1V，1MHz
IRF8910GTRPBF	-	RFQ	3321	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF89			MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）											20V	10a		13.4mohm @ 10a，10v	2.55V @ 250µA	11NC @ 4.5V		960pf @ 10V	逻辑级别门
IPD031N06L3GATMA1	2.9100	RFQ	52	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD031			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									60 V	100A（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 93µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	13000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
IPP120N04S3-02	3.2000	RFQ	30	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道									40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 80A，10V	4V @ 230µA	210 NC @ 10 V	±20V	14300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IDH06S60CAKSA1	-	RFQ	4703	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产			通过洞	TO-220-2		IDH06S60			SIC （碳化硅）			PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																					600 v	1.7 V @ 6 A	0 ns	80 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	6a	280pf @ 1V，1MHz
IRF6722STR1PBF	-	RFQ	5348	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St					MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™st	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									30 V	（13a）（ta），58a tc）	4.5V，10V	7.3MOHM @ 13A，10V	2.4V @ 50µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1320 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IKD06N60RFAATMA1	-	RFQ	8506	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准			100 W		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500					400V，6A，23OHM，15V																				48 ns					沟	600 v	12 a	18 a	2.5V @ 15V，6a	（90µJ）（在），90µJ（90µJ）中	48 NC	8NS/105NS
IM393X6FXKLA1	-	RFQ	5761	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的			通过洞	26-Powersip模块，22条线索，形成铅	IGBT	IM393x6							下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	540	3相逆变器								20 a	600 v	2000vrms
BC849CE6327	-	RFQ	8276	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3						330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															30 V	100 ma							15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BSB012NE2LX	-	RFQ	1590年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson					MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道									25 v	37A（TA），170A （TC）	4.5V，10V	1.2MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 12 V	-	2.8W（ta），57W（TC）
BSP315P-E6327	-	RFQ	2951	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道									60 V	1.17A（TA）	4.5V，10V	800MOHM @ 1.17A，10V	2V @ 160µA	7.8 NC @ 10 V	±20V	160 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRG7CH75UEF-R	-	RFQ	7405	Infineon技术	-	大部分	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死		IRG7CH	标准					死	下载		不适用	到达不受影响	SP001548040	过时的	0000.00.0000	1					600V，100A，5OHM，15V																									-	1200 v			2V @ 15V，100a	-	770 NC	120NS/890NS
BSO4804HUMA2	-	RFQ	2575	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		BSO4804			MOSFET （金属 o化物）	2W		PG-DSO-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）											30V	8a（8a）		20mohm @ 8a，10v	2V @ 30µA	17NC @ 5V		870pf @ 25V	逻辑级别门
IRGP4266D-EPBF	-	RFQ	4468	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准			455 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					400V，75A，10欧姆，15V																				170 ns					-	650 v	140 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	2.5MJ（在）上，2.2MJ off）	210 NC	50NS/200NS
BCR183WE6327HTSA1	-	RFQ	4710	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323		BCR183				250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															50 V	100 ma							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
IRFB4137PBF	5.0600	RFQ	941	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRFB4137			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001554580	Ear99	8541.29.0095	50			n通道									300 v	38A（TC）	10V	69MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5168 PF @ 50 V	-	341W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²