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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
PTFB193408SVV1XWSA1	-	RFQ	4327	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	H-34275G-6/2			1.99GHz	ldmos				H-34275G-6/2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001028956	过时的	0000.00.0000	1	双重，共同来源			-		2.65 a	80W	19db																				-															30 V
IPA70R600P7SXKSA1	1.2400	RFQ	187	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPA70R600		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									700 v	8.5A（TC）	10V	600MOHM @ 1.8A，10V	3.5V @ 90µA	10.5 NC @ 10 V	±16V	364 PF @ 400 V	-	25W（TC）
IPI60R520CPAKSA1	-	RFQ	6193	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI60R		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道									600 v	6.8A（TC）	10V	520MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 340µA	31 NC @ 10 V	±20V	630 PF @ 100 V	-	66W（TC）
DR11140117NDSA1	-	RFQ	4412	Infineon技术	-	大部分	过时的													-			到达不受影响	448-DR11140117NDSA1	Ear99	8542.39.0001	1
auxakf1405zs-7p	-	RFQ	2794	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									55 v	120A（TC）	10V	4.9mohm @ 88a，10v	4V @ 150µA	230 NC @ 10 V	±20V	5360 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IPB80R290C3AATMA1	-	RFQ	9854	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的						IPB80R							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
T1451N52TOHXPSA1	2.0000	RFQ	5568	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF		T1451N52				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					350 MA																	5.2 kV	2610 a	2.5 v	44000a @ 50Hz	350 MA	2320 a											1 scr
BAS7004E6327	0.0800	RFQ	8739	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS7004		肖特基				PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																											1对系列连接	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C （最大）
TD162N14KOFHPSA1	-	RFQ	8113	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD162N				系列连接 -SCR/二极管			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8					200 ma																	1.6 kV	260 a	2 v	5200a @ 50Hz	150 ma	162 a											1 sc，1二极管
BCW61DE6327HTSA1	0.0529	RFQ	7800	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCW61			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																								32 v	100 ma			20NA（ICBO）			PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
TD250N16KOFTIMHPSA1	189.7100	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	上次购买		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD250N16				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3					300 MA																	1.8 kV	410 a	2 v	8000a @ 50Hz	200 ma	250 a											1 sc，1二极管
IDW15E65D2	1.2000	RFQ	19	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3				标准				PG-TO247-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												650 v		2.3 V @ 15 A	47 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	30a	-
IPB80N03S4L02ATMA1	1.5551	RFQ	3456	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									30 V	80A（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 80a，10v	2.2V @ 90µA	140 NC @ 10 V	±16V	9750 PF @ 25 V	-	136W（TC）
IKCM15H60GAXKMA2	14.2300	RFQ	1	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的			通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT	IKCM15							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	14	3期								15 a	600 v	2000vrms
irfr2307ztrlpbf	1.6500	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRFR2307		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道									75 v	42A（TC）	10V	16mohm @ 32a，10v	4V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±20V	2190 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FD1200R12IE4B1S1BDMA1	1.0000	RFQ	156	Infineon技术	*	大部分	过时的						FD1200R							下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FD1200R12IE4B1S1BDMA1	Ear99	8541.29.0095	1
IRG8CH20K10D	-	RFQ	1429	Infineon技术	-	大部分	过时的						IRG8CH							下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IPU60R1K0CE	1.0000	RFQ	1724年	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道									600 v	6.8A（TC）	10V	1欧姆 @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	61W（TC）
auirfz24nstrl	-	RFQ	9576	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		Auirfz24		MOSFET （金属 o化物）				D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道									55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
FZ1200R33KF2CB3S2NDSA1	-	RFQ	6346	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FZ1200			14500 w		标准	-	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥																																						-	3300 v	2000 a	4.25V @ 15V，1.2KA		12 ma	不	150 nf @ 25 V
IPP60R160P6XKSA1	4.0300	RFQ	443	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP60R160		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001017068	Ear99	8541.29.0095	50			n通道									600 v	23.8a（TC）	10V	160MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 750µA	44 NC @ 10 V	±20V	2080 pf @ 100 V	-	176W（TC）
FP50R12N2T7PB11BPSA1	145.8300	RFQ	3919	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块					20兆		三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器																																						沟渠场停止	1200 v	50 a	1.8V @ 15V，50a		10 µA	是的	11.1 NF @ 25 V
IRF7402TRPBF	-	RFQ	2329	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道									20 v	6.8a（ta）	2.7V，4.5V	35MOHM @ 4.1A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V	±12V	650 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
TD250N14KOFHPSA1	-	RFQ	1921年	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD250N14				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3					300 MA																	1.8 kV	410 a	2 v	8000a @ 50Hz	200 ma	250 a											1 sc，1二极管
TT162N08KOFHPSA1	-	RFQ	4070	Infineon技术	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TT162N				系列连接 -scr			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8					200 ma																	800 v		2 v	5200a @ 50Hz	150 ma	162 a											2 scr
TT120N16SOFB01HPSA1	38.0400	RFQ	11	Infineon技术	-	托盘	积极的		130°C（TJ）	底盘安装	模块		TT120N16				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	12					250 MA																	1.6 kV	190 a	2.5 v	2250a @ 50Hz	100 ma	119 a											2 scr
IRF6619	2.6500	RFQ	13	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MX	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道									20 v	（30a）（TA），150A （TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	2.45V @ 250µA	57 NC @ 4.5 V	±20V	5040 pf @ 10 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
TD250N18KOFHPSA1	221.3733	RFQ	8210	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD250N18				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3					300 MA																	1.8 kV	410 a	2 v	8000a @ 50Hz	200 ma	250 a											1 sc，1二极管
TD310N26KOFHPSA1	-	RFQ	6966	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD310N				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2					300 MA																	2.6 kV	700 a	1.5 v	10000a @ 50Hz	250 MA	446 a											1 sc，1二极管
TT150N26KOFHPSA1	-	RFQ	9943	Infineon技术	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TT150N				系列连接 -scr			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3					300 MA																	2.6 kV	350 a	2 v	4500A @ 50Hz	200 ma	223 a											2 scr

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²