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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
SPB07N60S5ATMA1	-	RFQ	5043	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB07N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	5.5V @ 350µA	35 NC @ 10 V	±20V	970 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SGB30N60ATMA1	-	RFQ	2230	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGB30	标准			250 w			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						400V，30a，11ohm，15V																												npt	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V，30a	1.29mj	140 NC	44NS/291NS
TD280N18SOFHPSA1	109.0700	RFQ	3481	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜130°C	底盘安装	模块	TD280N18					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3					150 ma															1.8 kV	520 a	2 v	9000a @ 50Hz	150 ma	280 a								1 sc，1二极管
IRF3007SPBF	-	RFQ	3100	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3007			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							75 v	62A（TC）	10V	12.6mohm @ 48a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	120W（TC）
IRFHM830DTRPBF	-	RFQ	5874	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-vqfn裸露的垫子				MOSFET （金属 o化物）				PQFN（3x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001554840	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							30 V	20A（20A），40a tc（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 20a，10v	2.35V @ 50µA	27 NC @ 10 V	±20V	1797 PF @ 25 V	-	2.8W（TA），37W（TC）
IRFR9120NTRR	-	RFQ	2903	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001576116	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道							100 v	6.6A（TC）	10V	480MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
irfr9n20dtr	-	RFQ	6691	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道							200 v	9.4A（TC）	10V	380MOHM @ 5.6A，10V	5.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	560 pf @ 25 V	-	86W（TC）
IRF1607pbf	-	RFQ	6806	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							75 v	142a（TC）	10V	7.5MOHM @ 85A，10V	4V @ 250µA	320 NC @ 10 V	±20V	7750 PF @ 25 V	-	380W（TC）
PTFA241301E V1	-	RFQ	8542	Infineon技术	Goldmos®	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线			2.42GHz	ldmos				H-30260-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	35				10µA			1.15 a	130W	14dB																	-																28 V
BB857H7902XTSA1	-	RFQ	2845	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-80	BB857							SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																																0.52pf @ 28V，1MHz											单身的	30 V										12.7	C1/C28	-
BFN19H6327XTSA1	0.2440	RFQ	5709	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BFN19				1 w			PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																			300 v	200 ma									100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	30 @ 30mA，10v	100MHz
IPS060N03LGBKMA1	-	RFQ	3392	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK				MOSFET （金属 o化物）				PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000252576	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道							30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	23 NC @ 10 V		2400 pf @ 15 V	-	56W（TC）
IRF7460TRPBF	-	RFQ	2592	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							20 v	12a（12a）	4.5V，10V	10mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
IRFR3910Trl	-	RFQ	1405	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							100 v	16A（TC）	10V	115mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	79W（TC）
BG3430RH6327XTSA1	-	RFQ	9448	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363			800MHz	MOSFET				PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25mA			14 ma	-	25DB																	1.3dB																5 v
AUIRF7736M2TR	3.6500	RFQ	3327	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M4	AUIRF7736			MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™等距M4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道							40 V	22a（22A），108a（tc）	10V	3mohm @ 65a，10v	4V @ 150µA	108 NC @ 10 V	±20V	4267 PF @ 25 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
IRLR7843CPBF	-	RFQ	8336	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道							30 V	161a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4380 pf @ 15 V	-	140W（TC）
IRLR3717TRRPBF	-	RFQ	8867	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001569116	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							20 v	120A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±20V	2830 pf @ 10 V	-	89W（TC）
IRFU6215	-	RFQ	6729	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFU6215	Ear99	8541.29.0095	75			P通道							150 v	13A（TC）	10V	295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IPD80R750P7ATMA1	1.6600	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R750			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							800 v	7A（TC）	10V	750MOHM @ 2.7A，10V	3.5V @ 140µA	17 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 500 V	-	51W（TC）
BC857BWH6327XTSA1	0.0587	RFQ	3382	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC857				250兆			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			45 v	100 ma									15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
IPD49CN10N g	-	RFQ	5395	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD49C			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							100 v	20A（TC）	10V	49mohm @ 20a，10v	4V @ 20µA	16 NC @ 10 V	±20V	1090 pf @ 50 V	-	44W（TC）
F417MR12W1M1HPB76BPSA1	152.9700	RFQ	30	Infineon技术	-	托盘	积极的					F417MR12								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
SPD08P06P	-	RFQ	3599	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD08P			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道							60 V	8.83A（TA）		300mohm @ 6.2a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V		420 pf @ 25 V	-	42W（TC）
FS75R12W2T4BOMA1	80.2600	RFQ	15	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS75R12				375 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	全桥																																	沟渠场停止	1200 v	107 a		2.15V @ 15V，75a							1 MA	是的	4.3 NF @ 25 V
SIDC05D60C8X7SA2	-	RFQ	5049	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	死	SIDC05			标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									600 v	1.95 V @ 15 A	27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	15a	-
IRFI4905	-	RFQ	5093	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB全盘	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道							55 v	41A（TC）	10V	20mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 25 V	-	63W（TC）
IRFH5207TRPBF	-	RFQ	1099	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001564058	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							75 v	13a（13A），71a（tc）	10V	9.6mohm @ 43a，10v	4V @ 100µA	59 NC @ 10 V	±20V	2474 PF @ 25 V	-	3.6W（ta），105W（tc）
BCR 191T E6327	-	RFQ	8427	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 191				250兆			PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			50 V	100 ma									100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
IRFR7746PBF-INF	-	RFQ	3261	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道							75 v	56A（TC）		11.2MOHM @ 35A，10V	3.7V @ 100µA	89 NC @ 10 V	±20V	3107 PF @ 25 V	-	99W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²