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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
Auirll2705	-	RFQ	7856	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001522936	Ear99	8541.29.0095	80		n通道			55 v	5.2a（ta）	4V，10V	40mohm @ 3.8A，10V	2V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRGS4045DTRRPBF	-	RFQ	4316	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		77 w	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			400V，6A，47OHM，15V												74 ns	-	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IRSM636-015MB	6.2798	RFQ	5949	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计			-	-	IRSM636					下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001539614	Ear99	8542.39.0001	800	-			-
AUIRF4905S	6.4600	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AUIRF4905		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道			55 v	42A（TC）	10V	20mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRFB7446GPBF	-	RFQ	2478	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566710	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			40 V	120A（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 70A，10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±20V	3183 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRF7737L2TRPBF	-	RFQ	1548年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l6				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet L6	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IRF7737L2TRPBFTR	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			40 V	（31a）（TA），156a （TC）	10V	1.9MOHM @ 94A，10V	4V @ 150µA	134 NC @ 10 V	±20V	5469 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），83W（tc）
AUIRFR540Z	-	RFQ	1755年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR540		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521742	Ear99	8541.29.0095	75		n通道			100 v	35A（TC）	10V	28.5mohm @ 21a，10v	4V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	91W（TC）
Auirfu4292	-	RFQ	3161	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519718	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			250 v	9.3A（TC）	10V	345MOHM @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nc @ 10 V	±20V	705 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IRGP4263PBF	-	RFQ	5648	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		300 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，48a，10ohm，15V													-	650 v	90 a	192 a	2.1V @ 15V，48a	1.7mj（在）上，1MJ（1MJ）	150 NC	70NS/140NS
IRF9389TRPBF	0.6700	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF9389		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道				30V	6.8a，4.6a		27mohm @ 6.8a，10v	2.3V @ 10µA	14NC @ 10V		398pf @ 15V	逻辑级别门
IGW75N60H3FKSA1	8.0400	RFQ	240	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IGW75N60	标准		428 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，75A，5.2OHM，15V													沟渠场停止	600 v	140 a	225 a	2.3V @ 15V，75a	3MJ（在）上，1.7MJ（OFF）	470 NC	31NS/265NS
IRFB4137PBF	5.0600	RFQ	941	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRFB4137		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001554580	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			300 v	38A（TC）	10V	69MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5168 PF @ 50 V	-	341W（TC）
IRFP4137pbf	6.8300	RFQ	5247	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IRFP4137		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			300 v	38A（TC）	10V	69MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5168 PF @ 50 V	-	341W（TC）
IRFH4210TRPBF	-	RFQ	7078	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			25 v	45A（TA）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 50a，10V	2.1V @ 100µA	74 NC @ 10 V	±20V	4812 PF @ 13 V	-	3.6W（ta），104W（tc）
IRFH4213DTRPBF	-	RFQ	5282	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			25 v	40a（ta）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 50a，10V	2.1V @ 100µA	55 NC @ 10 V	±20V	3520 pf @ 13 V	-	3.6W（ta），96w（tc）
IRFH4210DTRPBF	2.5800	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		IRFH4210		MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			25 v	44A（TA）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 50A，10V	2.1V @ 100µA	77 NC @ 10 V	±20V	4812 PF @ 13 V	-	3.5W（TA），125W（tc）
IPA60R600P6XKSA1	1.8600	RFQ	1002	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPA60R600		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			600 v	4.9A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	4.5V @ 200µA	12 nc @ 10 V	±20V	557 PF @ 100 V	-	28W（TC）
IPU50R950CEBKMA1	-	RFQ	5199	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPU50R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道			500 v	4.3A（TC）	13V	950MOHM @ 1.2A，13V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	231 PF @ 100 V	-	34W（TC）
AUIRFB8405	6.2200	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		AUIRFB8405		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			40 V	120A（TC）	10V	2.5MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
AUIRFS8405	-	RFQ	4002	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AUIRFS8405		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			40 V	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 100µA	161 NC @ 10 V	±20V	5193 PF @ 25 V	-	163W（TC）
AUIRFS8408	-	RFQ	4168	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRFS8408		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			40 V	195a（TC）	10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	324 NC @ 10 V	±20V	10820 PF @ 25 V	-	294W（TC）
AUIRFS8408-7P	-	RFQ	7351	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB		IRFS8408		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-900	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			40 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	294W（TC）
AUIRFR8401	-	RFQ	4370	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		IRFR8401		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	100A（TC）	10V	4.25MOHM @ 60a，10V	3.9V @ 50µA	63 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	79W（TC）
AUIRFR8401TRL	2.3700	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR8401		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	100A（TC）	10V	4.25MOHM @ 60a，10V	3.9V @ 50µA	63 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	79W（TC）
auirfs8403trl	-	RFQ	7046	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			40 V	123A（TC）	10V	3.3MOHM @ 70A，10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±20V	3183 PF @ 25 V	-	99W（TC）
Auirfr8405trl	2.9200	RFQ	2788	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR8405		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			40 V	100A（TC）	10V	1.98mohm @ 90A，10V	3.9V @ 100µA	155 NC @ 10 V	±20V	5171 PF @ 25 V	-	163W（TC）
auirfs8408-7trl	5.2200	RFQ	800	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB		AUIRF8408		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-900	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			40 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	294W（TC）
auirfs8409trl	6.5000	RFQ	490	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AUIRF8409		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			40 V	195a（TC）	10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
auirfs8407trl	4.7700	RFQ	290	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AUIRF8407		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			40 V	195a（TC）	10V	1.8mohm @ 100a，10v	4V @ 150µA	225 NC @ 10 V	±20V	7330 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IGW30N100TFKSA1	-	RFQ	8657	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		412 w	pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			600V，30a，16ohm，15V													沟渠场停止	1000 v	60 a	90 a	1.9V @ 15V，30a	3.8MJ	217 NC	33NS/535NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²