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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BCR 103F E6327	-	RFQ	6235	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SOT-723		BCR 103			250兆			PG-TSFP-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，20mA	20 @ 20mA，5V	140 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
BCR112E6327HTSA1	0.3600	RFQ	77	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCR112			200兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	140 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
D2601N90TXPSA1	2.0000	RFQ	6854	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200ae		D2601N90		标准				-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								9000 v			100 ma @ 9000 V	-40°C〜160°C	3040a	-
FT150R12KE3GB4BDLA1	-	RFQ	7148	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FT150R12			700 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001505398	Ear99	8541.29.0095	24	3独立																																	-	1200 v	200 a		2.15V @ 15V，150a				5 ma	不	10.5 NF @ 25 V
BSC670N25NSFDATMA1	3.5000	RFQ	8691	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC670		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道							250 v	24A（TC）	10V	67MOHM @ 24A，10V	4V @ 90µA	30 NC @ 10 V	±20V	2410 pf @ 125 V	-	150W（TC）
IRFR3303Trl	-	RFQ	1036	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	= 94-4737	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							30 V	33A（TC）	10V	31mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	750 pf @ 25 V	-	57W（TC）
IRL3716STRLPBF	-	RFQ	9372	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001578504	Ear99	8541.29.0095	800			n通道							20 v	180a（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 90A，10V	3V @ 250µA	79 NC @ 4.5 V	±20V	5090 pf @ 10 V	-	210W（TC）
IRFH5025TRPBF	3.1700	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		IRFH5025		MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							250 v	3.8A（TA）	10V	100mohm @ 5.7a，10v	5V @ 150µA	56 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 50 V	-	3.6W（ta），8.3W（tc）
IPD50P04P4L11ATMA1	1.5800	RFQ	2287	Infineon技术	汽车，Optimos™-P2	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD50		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道							40 V	50A（TC）	4.5V，10V	10.6mohm @ 50a，10v	2.2V @ 85µA	59 NC @ 10 V	±16V	3900 PF @ 25 V	-	58W（TC）
SIPC10N60C3X1SA2	-	RFQ	2062	Infineon技术	-	大部分	积极的					SIPC10							-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000482570		0000.00.0000	1											-
BSP295E6327	-	RFQ	1323	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							60 V	1.8A（ta）	4.5V，10V	300MOHM @ 1.8A，10V	1.8V @ 400µA	17 NC @ 10 V	±20V	368 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
ICD22V03X1SA1	-	RFQ	9354	Infineon技术	*	大部分	过时的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000986942	过时的	0000.00.0000	1
BUZ30AHXKSA1	-	RFQ	8987	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道							200 v	21a（TC）	10V	130MOHM @ 13.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1900 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BSC027N06LS5ATMA1	2.6800	RFQ	36	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC027		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道							60 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2.3V @ 49µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	4400 PF @ 30 V	-	83W（TC）
IPI075N15N3GHKSA1	-	RFQ	7054	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IPI075N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道							150 v	100A（TC）	8V，10V	7.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	93 NC @ 10 V	±20V	5470 pf @ 75 V	-	300W（TC）
SIDC10D120H6X1SA5	-	RFQ	5401	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死		SIDC10		标准				锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1200 v	1.6 V @ 15 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	15a	-
TZ630N28KOFHPSA1	571.9300	RFQ	7688	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TZ630N28				单身的			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				500 MA																2.8 kV	1500 a	2 v	25.5a @ 50Hz	250 MA	955 a								1 scr
BC847SE6327BTSA1	-	RFQ	6528	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BC847			250MW			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			45V	100mA						15NA（icbo）			2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BCW 66H B6327	-	RFQ	5886	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCW 66			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000																																			45 v	800 MA						20NA（ICBO）			NPN	450mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
BFR 92W E6327	-	RFQ	1242	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	SC-70，SOT-323		BFR 92			280MW			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						11.5db〜17dB																													15V	45mA									NPN		70 @ 15mA，8v	5GHz			1.4db〜2dB @ 900MHz〜1.8GHz
IRAM136-1060B	-	RFQ	5438	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的		通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	IGBT								下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	3期						10 a	600 v	2000vrms
IMIC34V01X6SA1	-	RFQ	7920	Infineon技术	*	托盘	积极的					imic34							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001719112	Ear99	8542.39.0001	1
BC817K25WH6327XTSA1	0.0634	RFQ	5643	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		BC817			250兆			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																			45 v	500 MA						100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	170MHz
BSC0502NSIATMA1	1.5600	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC0502		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道							30 V	26a（26a），100a（tc）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 30a，10v	2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），43W（tc）
TD180N16KOFHPSA1	-	RFQ	5605	Infineon技术	-	托盘	过时的	130°C（TJ）	表面安装	模块		TD180N16				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8				200 ma																1.6 kV	285 a	2 v	-	150 ma	180 a								1 sc，1二极管
BFP843FH6327XTSA1	0.5200	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅		BFP843			125MW			PG-TSFP-4-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000						13.5db〜25dB																													2.25V	55mA									NPN		150 @ 15mA，1.8V	-			0.8db〜1.7dB @ 450MHz〜10GHz
IRF9952PBF	-	RFQ	6836	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF995		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566518	Ear99	8541.29.0095	95	n和p通道									30V	3.5a，2.3a		100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
TDB6HK180N16RRB21BOSA1	130.0000	RFQ	6817	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	2
IKD04N60RFATMA1	1.1500	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IKD04N60	标准		75 w			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500					400V，4A，43OHM，15V																							34 ns						沟	600 v	8 a	12 a	2.5V @ 15V，4A	60µJ（在）上，50µJ（50µJ）	27 NC	12NS/116NS
TD500N18KOFHPSA2	362.5500	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD500N18				系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA																1.8 kV	900 a	2.2 v	17000a @ 50Hz	250 MA	500 a								1 sc，1二极管

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²