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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
DF150R12W1H3FB11BOMA1	58.5000	RFQ	24	Infineon技术	-	托盘	积极的	-			DF150					-		-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				24	-																																-				-
IRL3714S	-	RFQ	6906	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3714S	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
BSP129L6327	0.2900	RFQ	93	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,039			n通道				240 v	350mA（ta）	0V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1V @ 108µA	5.7 NC @ 5 V	±20V	108 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
IRF7455pbf	-	RFQ	6364	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道				30 V	15A（TA）	2.8V，10V	7.5MOHM @ 15A，10V	2V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±12V	3480 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
SIDC23D60E6YX1SA1	-	RFQ	1759年	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	sidc23d		标准				锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						600 v		1.25 V @ 50 A		27 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	50a	-
FF600R12IP4PBPSA1	487.5200	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12			20兆		标准	AG-PRIME2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立																																沟渠场停止	1200 v	600 a		2.05V @ 15V，600A				5 ma	是的	37 NF @ 25 V
IPT014N10N5ATMA1	6.6700	RFQ	5431	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-8-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			-				100 v	362a	10V	-	-		-		-	-
SIGC11T60NCX1SA2	-	RFQ	5765	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC11	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					300V，10a，27ohm，15V																												npt	600 v	10 a	30 a	2.5V @ 15V，10a	-		20N/110NS
IRFI4019HG-117P	-	RFQ	2372	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5完整包，形成的线索	IRFI4019		MOSFET （金属 o化物）	18W			TO-220-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	2 n 通道（双）						150V	8.7a		95MOHM @ 5.2A，10V	4.9V @ 50µA	20NC @ 10V		810pf @ 25V	-
BSS83PH6327XTSA1	0.4100	RFQ	2943	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS83PH6327		MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道				60 V	330ma（ta）	4.5V，10V	2ohm @ 330mA，10v	2V @ 80µA	3.57 NC @ 10 V	±20V	78 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
SPA20N60CFD	3.0600	RFQ	111	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO220-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道				600 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	35W（TC）
IRG4BC30FD-S	-	RFQ	5962	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		100 W			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC30FD-S	Ear99	8541.29.0095	50					480V，17a，23ohm，15v																						42 ns						-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	630µJ（在）上，1.39mj off）	51 NC	42NS/230NS
ND241S14KHPSA1	-	RFQ	7186	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	ND241S		标准				BG-PB50ND-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1400 v				200 ma @ 1400 V	-40°C〜135°C	261a	-
BSC240N12NS3G	-	RFQ	3584	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				120 v	37A（TC）	10V	24mohm @ 31a，10v	4V @ 35µA	27 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 60 V	-	66W（TC）
IGD01N120H2BUMA1	0.8552	RFQ	4564	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IGD01	标准		28 W			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500					800V，1A，241OHM，15V																												-	1200 v	3.2 a	3.5 a	2.8V @ 15V，1A	140µJ	8.6 NC	13NS/370NS
BC 807-16 E6433	-	RFQ	9489	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 807			330兆			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																		45 v	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz
BCR 133T E6327	-	RFQ	3588	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 133			250兆			PG-SC-75	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
IPP60R380C6	-	RFQ	2067	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1			n通道				600 v	10.6A（TC）	10V	380MOHM @ 3.8A，10V	3.5V @ 320µA	32 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IPA65R280E6XKSA1	3.2100	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R280		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	32W（TC）
TT240N34KOFHPSA1	-	RFQ	4770	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT240N				系列连接 -scr			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA													3.4 kV	700 a	1.5 v	6100A @ 50Hz	250 MA	446 a										2 scr
IPB011N04LGATMA1	5.4700	RFQ	1539年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB011		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				40 V	180a（TC）	4.5V，10V	1.1MOHM @ 100A，10V	2V @ 200µA	346 NC @ 10 V	±20V	29000 PF @ 20 V	-	250W（TC）
BFP720FH6327XTSA1	0.6600	RFQ	8	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP720			100MW			4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						10.5db〜28dB																												4.7V	25mA									NPN		160 @ 13mA，3v	45GHz			0.4db〜1dB @ 150MHz〜10GHz
IRF7331pbf	-	RFQ	1272	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF733		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001577400	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）						20V	7a		30mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1340pf @ 16V	逻辑级别门
D1481N65TXPSA1	-	RFQ	9177	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	do-200 ac，k-puk	D1481N65		标准				-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						6500 v		1.8 V @ 2500 A		50 mA @ 6500 V	-40°C〜160°C	2200a	-
IKP40N65H5XKSA1	4.6200	RFQ	7444	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IKP40N65	标准		255 w			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					400V，20a，15ohm，15V																						62 ns						-	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	（390µJ）（在120µJ上）	95 NC	22NS/165NS
IRF1405STRLPBF	3.0700	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1405		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				55 v	131a（TC）	10V	5.3MOHM @ 101A，10V	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	5480 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRFU120ZPBF	-	RFQ	1739年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道				100 v	8.7A（TC）	10V	190MOHM @ 5.2A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±20V	310 pf @ 25 V	-	35W（TC）
IRL3715	-	RFQ	9062	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3715	Ear99	8541.29.0095	50			n通道				20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
AUIRF7319QTR	-	RFQ	4004	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	AUIRF7319		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520168	Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道						30V	6.5a，4.9a		29mohm @ 5.8A，10V	3V @ 250µA	33nc @ 10V		650pf @ 25V	逻辑级别门
DD171N14KHPSA1	-	RFQ	2552	Infineon技术	DD171N	大部分	过时的		底盘安装	模块	DD171N14		标准				模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1对普通阴极	1400 v	171a	1.26 V @ 500 A		20 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²