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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
FF1500R17IP5RBPSA1	2.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF1500R			20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																															沟渠场停止	1700 v	1500 a		2.2V @ 15V，1.5KA						10 MA	是的	88 nf @ 25 V
IRG4IBC30KD	-	RFQ	3119	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		45 W			pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4IBC30KD	Ear99	8541.29.0095	50					480V，16a，23ohm，15v																						42 ns					-	600 v	17 a	34 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	67 NC	60NS/160NS
IGC06T60TEX7SA2	-	RFQ	7622	Infineon技术	-	大部分	积极的	-	-	-	IGC06	-					-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1					-																											-				-	-		-
FF225R12ME3BOSA1	184.7820	RFQ	7231	Infineon技术	EconoDual™	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF225R12			1150 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																															沟渠场停止	1200 v	325 a		2.15V @ 15V，225a						5 ma	是的	16 NF @ 25 V
IRL8113STRRPBF	-	RFQ	4802	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				30 V	105A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2840 pf @ 15 V	-	110W（TC）
IPB60R360CFD7ATMA1	2.8900	RFQ	1534年	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R360		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				600 v	7A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	14 NC @ 10 V	±20V	679 PF @ 400 V	-	43W（TC）
BSC010NE2LSIATMA1	2.1000	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-POWERTDFN	BSC010		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				25 v	38A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.05MOHM @ 30a，10V	2V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	4200 pf @ 12 V	-	2.5W（ta），96w（tc）
IRF7331TR	-	RFQ	6159	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF733		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）						20V	7a		30mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	20NC @ 4.5V		1340pf @ 16V	逻辑级别门
IRGBC30UD2	-	RFQ	8046	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																-	600 v	23 a		3V @ 15V，12A
IPB114N03L g	-	RFQ	5825	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB114N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				30 V	30A（TC）	4.5V，10V	11.4mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	38W（TC）
BFP 720FESD E6327	-	RFQ	7811	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP 720			100MW			4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						10db〜29dB																											4.7V	30mA											NPN		160 @ 15mA，3v	45GHz			0.5db〜1.3dB @ 150MHz〜10GHz
BC846PNH6327XTSA1	0.4100	RFQ	115	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC846			250MW			PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	65V	100mA								15NA（icbo）			NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IPB60R040C7ATMA1	13.6500	RFQ	7269	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	IPB60R040		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				600 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 24.9a，10V	4V @ 1.24mA	107 NC @ 10 V	±20V	4340 pf @ 400 V	-	227W（TC）
T940N14TOFXPSA1	196.2278	RFQ	5073	Infineon技术	-	托盘	上次购买	-40°C〜125°C	夹紧	DO-200AB，B-PUK	T940N14				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	9				300 MA													1.8 kV	1759 a	2.2 v	17500A @ 50Hz	250 MA	959 a									1 scr
BC 846BW H6327	-	RFQ	3606	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC 846			250兆			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	65 v	100 ma								15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
FF900R12IP4VBOSA1	726.5567	RFQ	1298	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	不适合新设计	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF900R12			5100 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立																															沟渠场停止	1200 v	900 a		2.05V @ 15V，900A						5 ma	是的	54 NF @ 25 V
T1330N18TOFVTXPSA1	-	RFQ	2256	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AC	T1330N				单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA													2.2 kV	2600 a	2.2 v	2650a @ 50Hz	250 MA	1330 a									1 scr
IPB13N03LB g	-	RFQ	9149	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB13N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				30 V	30A（TC）	4.5V，10V	12.5MOHM @ 30a，10v	2V @ 20µA	11 NC @ 5 V	±20V	1355 pf @ 15 V	-	52W（TC）
BSM25GD120DN2E3224BPSA1	119.6547	RFQ	3836	Infineon技术	-	托盘	上次购买	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM25G			200 w		标准	Ag-Econo2b	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	全桥																															-	1200 v	35 a		3V @ 15V，25a						800 µA	不	1.65 NF @ 25 V
BB659C02VH7902XTSA1	-	RFQ	3432	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523							PG-SC79-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																														2.75pf @ 28V，1MHz										单身的	30 V											15.3	C1/C28	-
BSZ123N08NS3GATMA1	1.5800	RFQ	7984	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSZ123		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				80 V	10A（10A），40A （TC）	6V，10V	12.3mohm @ 20a，10v	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 40 V	-	2.1W（ta），66w（tc）
IPB180P04P4L02AUMA2	-	RFQ	9477	Infineon技术	Optimos®-P2	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7-3	-					过时的		1			P通道				40 V	180a（TC）	4.5V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 410µA	286 NC @ 10 V	+5V，-16V	18700 PF @ 25 V	-	150W（TC）
BCR119E6327HTSA1	0.0495	RFQ	3443	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR119			200兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	50 V	100 ma								100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	4.7科姆斯
ISC750P10LMATMA1	2.6600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-POWERTDFN	ISC750		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			P通道				100 v	27.3a	-	-	-		-		-	-
DD171N12KKHPSA1	-	RFQ	9363	Infineon技术	DD171N	大部分	过时的		底盘安装	模块	DD171N12		标准				模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					1对系列连接	1200 v	171a	1.26 V @ 500 A		20 ma @ 1200 V	150°C
SIGC18T60NCX1SA1	-	RFQ	4199	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC18	标准					死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					300V，20a，13ohm，15V																											npt	600 v	20 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-		21NS/110NS
BCR158E6327	1.0000	RFQ	6105	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR158			200兆			PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	50 V	100 ma								100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
AIKW75N60CTXKSA1	13.1600	RFQ	3220	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw75	标准		428 w			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，75A，5OHM，15V																											沟渠场停止	600 v	80 a	225 a	2V @ 15V，75a	2MJ（在）上，2.5MJ（OFF）	470 NC	33ns/330n
FF150R12KE3B8BOSA1	-	RFQ	8792	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产				FF150							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10
IRF7459TRPBF	-	RFQ	2109	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				20 v	12a（12a）	2.8V，10V	9mohm @ 12a，10v	2V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	2480 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²