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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
DT92N16KOFHPSA1	-	RFQ	1165	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜130°C	底盘安装	模块					系列连接 -scr		下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15				200 ma													1.6 kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA	104 a								2 scr
SPP100N08S2L-07	-	RFQ	6925	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP100N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道				75 v	100A（TC）	10V	6.8mohm @ 68a，10v	2V @ 250µA	246 NC @ 10 V	±20V	7130 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BSC007N04LS6SCATMA1	4.0000	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				40 V	48A（TA），381A （TC）	4.5V，10V	0.7MOHM @ 50a，10v	2.3V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 20 V	-	3W（3W），188w（tc）
IPI100N04S303MATMA2	-	RFQ	4113	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的				IPI100						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000465798		0000.00.0000	350
IRF9389TRPBF	0.6700	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF9389		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道						30V	6.8a，4.6a		27mohm @ 6.8a，10v	2.3V @ 10µA	14NC @ 10V		398pf @ 15V	逻辑级别门
BSM400GA120DN2FSE32HOSA1	-	RFQ	8866	Infineon技术	-	大部分	过时的				BSM400						-					过时的		1
IPB096N03LGATMA1	-	RFQ	8412	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB096N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				30 V	35A（TC）	4.5V，10V	9.6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	42W（TC）
BCR 192L3 E6327	-	RFQ	7435	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-101，SOT-883	BCR 192			250兆		PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																																50 V	100 ma					100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
BC817-16W	0.0200	RFQ	207	Infineon技术	-	大部分	积极的				BC817						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BCR185WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	8365	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR185			250兆		PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																50 V	100 ma					100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
IPP057N06N3GXKSA1	1.6200	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP057		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				60 V	80A（TC）	10V	5.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 58µA	82 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 30 V	-	115W（TC）
BCR505E6327HTSA1	0.3900	RFQ	2824	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR505			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																50 V	500 MA					100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V	100 MHz	2.2 kohms	10 kohms
TD162N16KOFTIMHPSA1	-	RFQ	7082	Infineon技术	-	托盘	过时的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管		-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8				200 ma													1.6 kV	260 a	2 v	5200a @ 50Hz	150 ma	162 a								1 sc，1二极管
IRF540ZSTRL	-	RFQ	4899	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
ISC007N04NM6ATMA1	3.3300	RFQ	3685	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC007N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				40 V	48A（TA），381A （TC）	6V，10V	0.7MOHM @ 50a，10v	2.8V @ 1.05mA	117 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 20 V	-	3W（3W），188w（tc）
IRFS31N20DTRLP	-	RFQ	5205	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				200 v	31a（TC）	10V	82MOHM @ 18A，10V	5.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±30V	2370 pf @ 25 V	-	3.1W（TA），200W（（tc）
auirlr2703trl	-	RFQ	6887	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRRR2703		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001521330	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				30 V	20A（TC）		45mohm @ 14a，10v	1V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V		450 pf @ 25 V	-	45W（TC）
BSD816SNL6327	-	RFQ	3499	Infineon技术	Optimos™2	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT363-6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1			n通道				20 v	1.4a（ta）	1.8V，2.5V	160MOHM @ 1.4A，2.5V	950mv @ 3.7µA	0.6 NC @ 2.5 V	±8V	180 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
IRFB41N15DPBF	-	RFQ	2197	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				150 v	41A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	5.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	2520 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRFB4227PBFXKMA1	1.7852	RFQ	2414	Infineon技术	-	管子	积极的				IRFB4227						-	rohs3符合条件						50
BCP6925H6327XTSA1	0.3376	RFQ	7937	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BCP69			3 W		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																20 v	1 a					100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 100mA，1a	160 @ 500mA，1V	100MHz
IPP200N15N3GHKSA1	-	RFQ	9922	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP200N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000414714	Ear99	8541.29.0095	500			n通道				150 v	50A（TC）	8V，10V	20mohm @ 50a，10v	4V @ 90µA	31 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 75 V	-	150W（TC）
IRF7809ATR	-	RFQ	1758年	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				30 V	14.5A（TA）	4.5V	8.5mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	75 NC @ 5 V	±12V	7300 PF @ 16 V	-	2.5W（TA）
BFP405H6740XTSA1	0.2146	RFQ	5317	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP405			75MW		PG-SOT343-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						23dB																										5V	25mA						NPN		60 @ 5mA，4V	25GHz			1.25dB @ 1.8GHz
SIDC16D60SIC3	-	RFQ	8579	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死	SIDC16D		SIC （碳化硅）			锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000014898	Ear99	8541.10.0080	1		没有恢复t> 500mA（IO）																					600 v	1.7 V @ 5 A	0 ns	200 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	170pf @ 1V，1MHz
IRF7338PBF	-	RFQ	1289	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF733		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	n和p通道						12V	6.3a，3a		34mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	8.6nc @ 4.5V		640pf @ 9V	逻辑级别门
SIGC15T60EX1SA4	-	RFQ	1494	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC15	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1					-																										沟渠场停止	600 v	30 a	90 a	1.9V @ 15V，30a	-	-
BFP405E6433HTMA1	-	RFQ	6830	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP405			75MW		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000						23dB																										5V	25mA						NPN		60 @ 5mA，4V	25GHz			1.25dB @ 1.8GHz
BFQ790H6327XTSA1	2.3400	RFQ	4	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-243AA	BFQ790			1.5W		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000						17dB																										6.1V	300mA						NPN		60 @ 250mA，5V	1.85GHz			2.6dB @ 1.8GHz
IPD65R250E6XTMA1	-	RFQ	3814	Infineon技术	Coolmos™E6	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd65r		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				650 v	16.1A（TC）	10V	250MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 400µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 PF @ 1000 V	-	208W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²