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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPW65F6048A	-	RFQ	1472	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
AIDW10S65C5XKSA1	3.0995	RFQ	7332	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW10		SIC （碳化硅）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）																				650 v	1.7 V @ 10 A	0 ns	60 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	10a	303pf @ 1V，1MHz
IPD60R750E6BTMA1	-	RFQ	6531	Infineon技术	Coolmos™E6	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			600 v	5.7A（TC）	10V	750MOHM @ 2A，10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	373 pf @ 100 V	-	48W（TC）
IRF3704ZCLPBF	-	RFQ	7489	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			20 v	67A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 21a，10V	2.55V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1220 pf @ 10 V	-	57W（TC）
FF800R17KE3NOSA1	1.0000	RFQ	9059	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF800R17			4450 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																													-	1700 v			2.45V @ 15V，800A				5 ma	不	72 NF @ 25 V
AUIRF3805S-7P	-	RFQ	7202	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522074	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			55 v	160a（TC）	10V	2.6mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BSO612CVG	-	RFQ	2438	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO612		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）			PG-DSO-8	下载					Ear99	8541.29.0095	687	n和p通道					60V	（3A）（2a ta）（2a ta）		120MOHM @ 3A，10V，300MOHM @ 2A，10V	4V @ 20µA，4V @ 450µA	15.5nc @ 10v，16nc @ 10V		340pf，400pf @ 25V	-
IRLML6401TRPBF	0.4600	RFQ	8863	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRLML6401		MOSFET （金属 o化物）				Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			12 v	4.3a（ta）	1.8V，4.5V	50mohm @ 4.3a，4.5V	950mv @ 250µA	15 NC @ 5 V	±8V	830 pf @ 10 V	-	1.3W（TA）
T930N34TOFVTXPSA1	-	RFQ	3013	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AC	T930N				单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				500 MA												3.6 kV	2200 a	2.2 v	19500a @ 50Hz	250 MA	930 a								1 scr
IPP100N06S3L-04	-	RFQ	5531	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP100N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			55 v	100A（TC）	5V，10V	3.8mohm @ 80a，10v	2.2V @ 150µA	362 NC @ 10 V	±16V	17270 PF @ 25 V	-	214W（TC）
IRFR4104TRPBF	1.7800	RFQ	11	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR4104		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRLR3103TRPBF	-	RFQ	4767	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			30 V	55A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 33a，10v	1V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±16V	1600 pf @ 25 V	-	107W（TC）
IRF7463PBF	-	RFQ	5730	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001565454	Ear99	8541.29.0095	95			n通道			30 V	14A（TA）	2.7V，10V	8mohm @ 14a，10v	2V @ 250µA	51 NC @ 4.5 V	±12V	3150 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
BCX51H6327XTSA1	0.1920	RFQ	7099	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX51			2 w			PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																															45 v	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	125MHz
IRFH5053TR2PBF	-	RFQ	5235	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）				PQFN（5x6）单个死亡	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道			100 v	9.3a（TA），46A （TC）		18mohm @ 9.3a，10V	4.9V @ 100µA	36 NC @ 10 V		1510 PF @ 50 V	-
irfr3911trlpbf	-	RFQ	3802	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			100 v	14A（TC）	10V	115MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	56W（TC）
SMBT3904E6433HTMA1	0.0523	RFQ	3340	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMBT 3904			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																															40 V	200 ma						50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
IRG4PC40K	-	RFQ	2045	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w			TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC40K	Ear99	8541.29.0095	25					480V，25a，10ohm，15V																									-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	620µJ（在）上，330µJ（OFF）	120 NC	30NS/140NS
IRFU3910	-	RFQ	9925	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			100 v	16A（TC）	10V	115mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IPS60R210PFD7SAKMA1	2.0900	RFQ	308	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS60R		MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			650 v	16A（TC）	10V	210MOHM @ 4.9A，10V	4.5V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 400 V	-	64W（TC）
IRG7CH50	-	RFQ	5902	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRG7CH							下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IDB15E60ATMA1	0.8040	RFQ	9130	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDB15		标准				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				600 v	2 V @ 15 A	87 ns	50 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	29.2a	-
IRG4PH50UDPBF	-	RFQ	3942	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PH50	标准		200 w			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					800V，24A，5OHM，15V																			90 ns						-	1200 v	45 a	180 a	3.7V @ 15V，24a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	160 NC	47NS/110NS
TT162N16KOFKHPSA1	-	RFQ	9857	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT162N16				普通阴极 -scr			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8				200 ma												1.6 kV		2 v	5200a @ 50Hz	150 ma	162 a								2 scr
BC 808-40W H6327	-	RFQ	7575	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC 808			250兆			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															25 v	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	200MHz
IRF3805	-	RFQ	7453	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3805	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	75A（TC）	10V	3.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	7960 pf @ 25 V	-	330W（TC）
BC848BE6327HTSA1	0.0418	RFQ	3437	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																															30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
SPP06N60C3XKSA1	-	RFQ	5420	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp06n		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000681028	Ear99	8541.29.0095	500			n通道			600 v	6.2A（TC）	10V	750MOHM @ 3.9A，10V	3.9V @ 260µA	31 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	74W（TC）
IPI70N04S406AKSA1	2.0500	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI70N04		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			40 V	70A（TC）	10V	6.5MOHM @ 70A，10V	4V @ 26µA	32 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 25 V	-	58W（TC）
IRGP4650D-EPBF	-	RFQ	1386	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4650	标准		268 w			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					400V，35a，10ohm，15V																			120 ns						-	600 v	76 a	105 a	1.9V @ 15V，35a	（390µJ）（在），632µJ（（（（（（）	104 NC	46NS/105NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²