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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TT570N18KOFHPSA1	395.7600	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	TT570N			系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA											1.8 kV	1050 a	2 v	20000a	250 MA	566 a										2 scr
IPP60R125CPXKSA1	7.0000	RFQ	4	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R125	MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IRLL024NTRPBF	1.0000	RFQ	147	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL024	MOSFET （金属 o化物）				SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		55 v	3.1a（ta）	4V，10V	65mohm @ 3.1a，10v	2V @ 250µA	15.6 NC @ 5 V	±16V	510 pf @ 25 V	-	1W（ta）
DD82S08KKHPSA1	-	RFQ	1481	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块		标准				模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																			1对系列连接	800 v	96a	1.55 V @ 300 A		40 ma @ 800 V	150°C
SMBTA 42 E6433	-	RFQ	6318	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMBTA 42		360兆w			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																																300 v	500 MA		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	70MHz
IRF7309QTRPBF	-	RFQ	4310	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73	MOSFET （金属 o化物）	1.4W			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道				30V	4a，3a		50mohm @ 2.4a，10v	1V @ 250µA	25nc @ 4.5V		520pf @ 15V	-
BSS126 E6327	-	RFQ	1597年	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		600 v	21ma（ta）	0V，10V	500ohm @ 16mA，10v	1.6V @ 8µA	2.1 NC @ 5 V	±20V	28 PF @ 25 V	耗尽模式	500MW（TA）
IRF7526D1	-	RFQ	2121	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）				micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			P通道		30 V	2A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.2A，10V	1V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	1.25W（TA）
FF450R12ME4BDLA1	133.5700	RFQ	8244	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			20兆		标准	Ag-Econod-3-2	-				2156-FF450R12ME4BDLA1			2	半桥逆变器																														沟渠场停止	1200 v	450 a	2.1V @ 15V，450a	3 ma	是的	28 NF @ 25 V
IRL40S212	-	RFQ	5000	Infineon技术	strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL40	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		40 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 150µA	137 NC @ 4.5 V	±20V	8320 PF @ 25 V	-	231W（TC）
IPU80R3K3P7AKMA1	0.9000	RFQ	5249	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU80R3	MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		800 v	1.9A（TC）	10V	3.3ohm @ 590mA，10v	3.5V @ 30µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	120 pf @ 500 V	-	18W（TC）
irlr3715ztrl	-	RFQ	5338	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001558946	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
PX8847HDNG008XTMA1	-	RFQ	5006	Infineon技术	-	托盘	过时的				PX8847HD						-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
IPD100N04S402ATMA1	2.6300	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD100	MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		40 V	100A（TC）	10V	2MOHM @ 100A，10V	4V @ 95µA	118 NC @ 10 V	±20V	9430 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IAUC120N04S6N013ATMA1	1.7800	RFQ	6115	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC120	MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		40 V	120A（TC）	7V，10V	1.34mohm @ 60a，10v	3V @ 60µA	68 NC @ 10 V	±20V	4260 pf @ 25 V	-	115W（TC）
IRF7495Tr	-	RFQ	5460	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001559948	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道		100 v	7.3a（ta）	10V	22mohm @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 V	±20V	1530 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FS75R12W2T4BOMA1	80.2600	RFQ	15	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS75R12		375 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	全桥																														沟渠场停止	1200 v	107 a	2.15V @ 15V，75a	1 MA	是的	4.3 NF @ 25 V
BAS116E6327HTSA1	0.4100	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS116	标准				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				80 V		1.25 V @ 150 mA	1.5 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）	250mA	2pf @ 0v，1MHz
BA89502VH6327XTSA1	-	RFQ	8613	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				BA89502VH						下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000
IRF7465pbf	-	RFQ	8366	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001563554	Ear99	8541.29.0095	3,800			n通道		150 v	1.9a（ta）	10V	280MOHM @ 1.14A，10V	5.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	330 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPB65R110CFDATMA2	6.8400	RFQ	2447	Infineon技术	CoolMos™CFD2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R110	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		650 v	31.2A（TC）	10V	110mohm @ 12.7a，10v	4.5V @ 1.3mA	118 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 100 V	-	277.8W（TC）
BTS114AE3045A	3.2200	RFQ	10	Infineon技术	tempfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		50 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 9a，10v	3.5V @ 1mA		±20V	600 pf @ 25 V	-	50W
FS13MR12W2M1HC55BPSA1	307.2100	RFQ	15	Infineon技术	-	托盘	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	15
IRF7342PBF	-	RFQ	6799	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734	MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001571984	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）				55V	3.4a		105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	38nc @ 10V		690pf @ 25V	逻辑级别门
FP100R12N3T7B11BPSA1	271.8300	RFQ	10	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的	-	-	-	FP100R12				标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																														沟渠场停止	1200 v	100 a	-		不
IDH10SG60CXKSA1	-	RFQ	6781	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH10SG60	SIC （碳化硅）				PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																				600 v		2.1 V @ 10 A	0 ns	90 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	10a	290pf @ 1V，1MHz
IQE030N06NM5CGATMA1	3.1000	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	IQE030N	MOSFET （金属 o化物）				PG-TTFN-9-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		60 V	21a（21A），137a （TC）	6V，10V	3mohm @ 20a，10v	3.3V @ 50µA	49 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 30 V	-	2.5W（ta），107W（107W）TC）
IPD80P03P4L07ATMA1	1.8200	RFQ	3993	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80P03	MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 80a，10v	2V @ 130µA	80 NC @ 10 V	+5V，-16V	5700 PF @ 25 V	-	88W（TC）
IPU95R3K7P7AKMA1	1.2100	RFQ	917	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU95R3	MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		950 v	2A（TC）	10V	3.7OHM @ 800mA，10V	3.5V @ 40µA	6 NC @ 10 V	±20V	196 pf @ 400 V	-	22W（TC）
IPW65F6048A	-	RFQ	1472	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²