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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IPC50R045CPX1SA1	-	RFQ	6579	Infineon技术	-	大部分	积极的					IPC50							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000236099		0000.00.0000	1									-
SPB18P06P	-	RFQ	7720	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB18P			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道						60 V	18.7a（ta）	10V	130mohm @ 13.2a，10v	4V @ 1mA	28 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	81.1W（TA）
IRLS3036TRLPBF	3.8000	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLS3036			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						60 V	195a（TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 165a，10v	2.5V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	11210 PF @ 50 V	-	380W（TC）
BCR198SH6827XTSA1	-	RFQ	2343	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR198				250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																					50V	100mA							-			2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	190MHz	47kohms	47kohms
IRLR2908TRLPBF	-	RFQ	1144	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						80 V	30A（TC）	4.5V，10V	28mohm @ 23A，10V	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	1890 pf @ 25 V	-	120W（TC）
IRFS5615TRLPBF	-	RFQ	4541	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						150 v	33A（TC）	10V	42MOHM @ 21a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 50 V	-	144W（TC）
auxclfz24nstrl	-	RFQ	8412	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IPD079N06L3GBTMA1	-	RFQ	7162	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD079			MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	50A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 34µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	4900 PF @ 30 V	-	79W（TC）
AUIRF7675M2TR	2.7500	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M2	AUIRF7675			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™等距M2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道						150 v	4.4a（ta），18a（tc）	10V	56mohm @ 11a，10v	5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	2.7W（ta），45W（tc）
IPP60R199CPXKSA1	4.6000	RFQ	591	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R199			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						650 v	16A（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	43 NC @ 10 V	±20V	1520 PF @ 100 V	-	139W（TC）
IRF6616TR1	-	RFQ	5448	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MX	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						30 V	（19a）（ta），106a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3765 pf @ 20 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
irll2703tr	-	RFQ	9227	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	3.9a（ta）	4V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	2.4V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±16V	530 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BFR 182T E6327	-	RFQ	7673	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BFR 182				250MW		PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							20dB														12V	35mA										NPN		50 @ 10mA，8v	8GHz			1.2db〜1.9dB @ 900MHz〜1.8GHz
FF225R12ME3BOSA1	184.7820	RFQ	7231	Infineon技术	EconoDual™	托盘	不适合新设计		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF225R12				1150 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																			沟渠场停止	1200 v	325 a		2.15V @ 15V，225a					5 ma	是的	16 NF @ 25 V
IRGS4045DTRRPBF	-	RFQ	4316	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准			77 w		D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800				400V，6A，47OHM，15V															74 ns	-	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
BF888H6327XTSA1	0.2385	RFQ	8925	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BF888				160MW		PG-SOT343-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							27dB														4V	30mA										NPN		250 @ 25a，3v	47GHz			0.5db〜0.85dB @ 1.8GHz〜6GHz
IGC06T60TEX7SA2	-	RFQ	7622	Infineon技术	-	大部分	积极的		-	-	-	IGC06	-					-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1				-																-				-	-		-
IRG7PH44K10DPBF	-	RFQ	4894	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准			320 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001544958	Ear99	8541.29.0095	25				600V，25a，10ohm，15V															130 ns	-	1200 v	70 a	100 a	2.4V @ 15V，25a	2.1mj（在）上，1.3MJ off）	200 NC	75NS/315NS
IPP80N04S3H4AKSA1	-	RFQ	6133	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						40 V	80A（TC）	10V	4.8mohm @ 80a，10v	4V @ 65µA	60 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	115W（TC）
IRF6215L	-	RFQ	2023	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF6215L	Ear99	8541.29.0095	50		P通道						150 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
IPI70P04P409AKSA1	-	RFQ	2561	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ipi70p			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000735974	Ear99	8541.29.0095	500		n通道						40 V	72A（TC）	10V	9.4mohm @ 70a，10v	4V @ 120µA	70 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 25 V	-	75W（TC）
IRL8113STRRPBF	-	RFQ	4802	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						30 V	105A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2840 pf @ 15 V	-	110W（TC）
PTF180101M V1	-	RFQ	3058	Infineon技术	Goldmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）			1.99GHz	ldmos			PG-RFP-10	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			1µA		180 MA	10W	16.5db											-										28 V
IKW75N65EL5XKSA1	9.2400	RFQ	1735年	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW75N65	标准			536 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，75a，4ohm，15V															114 ns	-	650 v	80 a	300 a	1.35V @ 15V，75a	1.61mj（在）上，3.2mj off）	436 NC	40NS/275NS
FF2400RB12IP7BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的		-	-	-	FF2400R					标准	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																			-	750 v	2400 a		-						不
BTS244Z E3043	-	RFQ	1214	Infineon技术	tempfet®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5				MOSFET （金属 o化物）			P-TO220-5-43	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道						55 v	35A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 19a，10v	2V @ 130µA	130 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 25 V	温度传感二极管	170W（TC）
IRG7CH28	-	RFQ	1258	Infineon技术	-	大部分	过时的					IRG7CH							下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IRFH4210TRPBF	-	RFQ	7078	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						25 v	45A（TA）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 50a，10V	2.1V @ 100µA	74 NC @ 10 V	±20V	4812 PF @ 13 V	-	3.6W（ta），104W（tc）
IRF9Z24NPBF	0.8700	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z24			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道						55 v	12A（TC）	10V	175MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
F445MR12W1M1B76BPSA1	-	RFQ	1455	Infineon技术	EASYPACK™COOLSIC™	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F445MR			（SIC）	-		Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	4（n n 通道（半桥）							1200V（1.2kV）	25A（TJ）		45mohm @ 25a，15v	5.55V @ 10mA	62nc @ 15V		1840pf @ 800V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²