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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
auxclfz24nstrl	-	RFQ	8412	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
IPD079N06L3GBTMA1	-	RFQ	7162	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD079			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							60 V	50A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 50a，10v	2.2V @ 34µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	4900 PF @ 30 V	-	79W（TC）
AUIRF7675M2TR	2.7500	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距M2	AUIRF7675			MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™等距M2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道							150 v	4.4a（ta），18a（tc）	10V	56mohm @ 11a，10v	5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	2.7W（ta），45W（tc）
IPP60R199CPXKSA1	4.6000	RFQ	591	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R199			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							650 v	16A（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	43 NC @ 10 V	±20V	1520 PF @ 100 V	-	139W（TC）
IRF6616TR1	-	RFQ	5448	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MX	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							30 V	（19a）（ta），106a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3765 pf @ 20 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
irll2703tr	-	RFQ	9227	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）				SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							30 V	3.9a（ta）	4V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	2.4V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±16V	530 pf @ 25 V	-	1W（ta）
BFR 182T E6327	-	RFQ	7673	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416	BFR 182				250MW			PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000									20dB																											12V	35mA										NPN		50 @ 10mA，8v	8GHz	1.2db〜1.9dB @ 900MHz〜1.8GHz
FF225R12ME3BOSA1	184.7820	RFQ	7231	Infineon技术	EconoDual™	托盘	不适合新设计		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF225R12				1150 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																																		沟渠场停止	1200 v	325 a		2.15V @ 15V，225a					5 ma	是的	16 NF @ 25 V
IRGS4045DTRRPBF	-	RFQ	4316	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准			77 w			D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800						400V，6A，47OHM，15V																									74 ns				-	600 v	12 a	18 a	2V @ 15V，6A	56µJ（在）上，122µJ（122µJ）	19.5 NC	27ns/75ns
IGC06T60TEX7SA2	-	RFQ	7622	Infineon技术	-	大部分	积极的		-	-	-	IGC06	-						-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1						-																													-				-	-		-
IRG7PH44K10DPBF	-	RFQ	4894	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准			320 w			TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001544958	Ear99	8541.29.0095	25						600V，25a，10ohm，15V																									130 ns				-	1200 v	70 a	100 a	2.4V @ 15V，25a	2.1mj（在）上，1.3MJ off）	200 NC	75NS/315NS
IPP80N04S3H4AKSA1	-	RFQ	6133	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道							40 V	80A（TC）	10V	4.8mohm @ 80a，10v	4V @ 65µA	60 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	115W（TC）
IRF6215L	-	RFQ	2023	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF6215L	Ear99	8541.29.0095	50			P通道							150 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±20V	860 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），110W（tc）
IPI70P04P409AKSA1	-	RFQ	2561	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ipi70p			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000735974	Ear99	8541.29.0095	500			n通道							40 V	72A（TC）	10V	9.4mohm @ 70a，10v	4V @ 120µA	70 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 25 V	-	75W（TC）
IRL8113STRRPBF	-	RFQ	4802	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道							30 V	105A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±20V	2840 pf @ 15 V	-	110W（TC）
PTF180101M V1	-	RFQ	3058	Infineon技术	Goldmos®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	65 v		表面安装	10-tfsop，10-msop （0.118英寸，3.00mm宽度）			1.99GHz	ldmos				PG-RFP-10	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				1µA			180 MA	10W	16.5db																	-																	28 V
FF2400RB12IP7BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的		-	-	-	FF2400R						标准	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																																		-	750 v	2400 a		-						不
BTS244Z E3043	-	RFQ	1214	Infineon技术	tempfet®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5				MOSFET （金属 o化物）				P-TO220-5-43	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道							55 v	35A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 19a，10v	2V @ 130µA	130 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 25 V	温度传感二极管	170W（TC）
IRG7CH28	-	RFQ	1258	Infineon技术	-	大部分	过时的					IRG7CH								下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IRFH4210TRPBF	-	RFQ	7078	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）				PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							25 v	45A（TA）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 50a，10V	2.1V @ 100µA	74 NC @ 10 V	±20V	4812 PF @ 13 V	-	3.6W（ta），104W（tc）
IRF9Z24NPBF	0.8700	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z24			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道							55 v	12A（TC）	10V	175MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
F445MR12W1M1B76BPSA1	-	RFQ	1455	Infineon技术	EASYPACK™COOLSIC™	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F445MR			（SIC）	-			Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	4（n n 通道（半桥）									1200V（1.2kV）	25A（TJ）		45mohm @ 25a，15v	5.55V @ 10mA	62nc @ 15V		1840pf @ 800V	-
SPP24N60C3XKSA1	6.6600	RFQ	175	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP24N60			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							650 v	24.3A（TC）	10V	160MOHM @ 15.4a，10V	3.9V @ 1.2mA	135 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	240W（TC）
TT570N18KOFHPSA1	395.7600	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的		125°C（TJ）	底盘安装	模块	TT570N					系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2					300 MA															1.8 kV	1050 a	2 v	20000a	250 MA	566 a									2 scr
IPP60R125CPXKSA1	7.0000	RFQ	4	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R125			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							650 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IRLL024NTRPBF	1.0000	RFQ	147	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL024			MOSFET （金属 o化物）				SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							55 v	3.1a（ta）	4V，10V	65mohm @ 3.1a，10v	2V @ 250µA	15.6 NC @ 5 V	±16V	510 pf @ 25 V	-	1W（ta）
DD82S08KKHPSA1	-	RFQ	1481	Infineon技术	-	大部分	过时的			底盘安装	模块				标准				模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									1对系列连接	800 v	96a	1.55 V @ 300 A		40 ma @ 800 V	150°C
SMBTA 42 E6433	-	RFQ	6318	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SMBTA 42				360兆w			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																																				300 v	500 MA							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	70MHz
IRF7309QTRPBF	-	RFQ	4310	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF73			MOSFET （金属 o化物）	1.4W			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道									30V	4a，3a		50mohm @ 2.4a，10v	1V @ 250µA	25nc @ 4.5V		520pf @ 15V	-
BSS126 E6327	-	RFQ	1597年	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道							600 v	21ma（ta）	0V，10V	500ohm @ 16mA，10v	1.6V @ 8µA	2.1 NC @ 5 V	±20V	28 PF @ 25 V	耗尽模式	500MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²