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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRGP30B120KDPBF	-	RFQ	9523	Infineon技术	-	包	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	IRGP30	标准			300 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546224	Ear99	8541.29.0095	400				600V，25A，5OHM，15V															300 ns	npt	1200 v	60 a	120 a	4V @ 15V，60a	1.07MJ（在）上，1.49mj Off）	169 NC	-
irlu8721-701pbf	-	RFQ	6354	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-4，DPAK （3 +选项卡）				MOSFET （金属 o化物）		i-pak（lf701）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						30 V	65A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	65W（TC）
irlu8743pbf	1.7000	RFQ	14	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU8743			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道						30 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	59 NC @ 4.5 V	±20V	4880 pf @ 15 V	-	135W（TC）
IRF6894MTR1PBF	-	RFQ	1055	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						25 v	32A（TA），160A （TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 33A，10V	2.1V @ 100µA	39 NC @ 4.5 V	±16V	4160 pf @ 13 V	（（（）	2.1W（ta），54W（tc）
IRGPS4067DPBF	-	RFQ	2178	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-274AA		标准			750 w	SUPER-247™to-274AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001536538	Ear99	8541.29.0095	25				400V，120A，4.7OHM，15V															130 ns	沟	600 v	240 a	360 a	2.05V @ 15V，120a	5.75mj（在）上，3.43mj off）	240 NC	80NS/190NS
IRFHM792TR2PBF	-	RFQ	4705	Infineon技术	-	（CT）	过时的				表面安装	8-Powervdfn	IRFHM792			MOSFET （金属 o化物）	2.3W	8-pqfn二（3.3x3.3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	2 n 通道（双）							100V	2.3a		195MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 10µA	6.3nc @ 10V		251pf @ 25V	-
PTFB191501FV1R250XTMA1	-	RFQ	1210	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFB191501		1.99GHz	ldmos		H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-		1.2 a	150W	18db											-										30 V
PTFB211501FV1R250XTMA1	-	RFQ	4350	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFB211501		2.17GHz	ldmos		H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-		1.2 a	40W	18db											-										30 V
BCV61BE6433HTMA1	0.1302	RFQ	9563	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	30V		当前镜子	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BCV61					PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000			100mA																										2 NPN，基本收集器交界处
BFP 405 H6433	-	RFQ	1840年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP 405				75MW	PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000							23dB														5V	25mA							NPN	60 @ 5mA，4V	25GHz	1.25dB @ 1.8GHz
BFP420H6433XTMA1	0.6900	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）		表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP420				160MW	PG-SOT343-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000							21dB														5V	35mA							NPN	60 @ 20mA，4V	25GHz	1.1db @ 1.8GHz
BSC0901NSIATMA1	1.4500	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	BSC0901			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						30 V	28a（28a），100a（tc）	4.5V，10V	2mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	20 NC @ 15 V	±20V	2600 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
BSC109N10NS3GATMA1	1.5900	RFQ	43	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	BSC109			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						100 v	63A（TC）	6V，10V	10.9MOHM @ 46A，10V	3.5V @ 45µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	78W（TC）
BSF030NE2LQXUMA1	-	RFQ	2768	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）		表面安装	3-wdson	BSF030			MOSFET （金属 o化物）		MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						25 v	24A（24A），75A （TC）	4.5V，10V	3mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1700 pf @ 12 V	-	2.2W（28），28W（tc）
BSO130P03SHXUMA1	1.3300	RFQ	6663	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO130			MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	9.2a（ta）	10V	13mohm @ 11.7a，10v	2.2V @ 140µA	81 NC @ 10 V	±25V	3520 PF @ 25 V	-	1.56W（TA）
BSO200P03SHXUMA1	0.5126	RFQ	9183	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO200			MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						30 V	7.4a（ta）	10V	20mohm @ 9.1a，10v	1.5V @ 100µA	54 NC @ 10 V	±25V	2330 PF @ 25 V	-	1.56W（TA）
BSO203SPHXUMA1	0.5595	RFQ	2569	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO203			MOSFET （金属 o化物）		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						20 v	7a（ta）	2.5V，4.5V	21mohm @ 8.9a，4.5V	1.2V @ 100µA	39 NC @ 4.5 V	±12V	3750 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
IKD04N60RF	-	RFQ	7108	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	ikd04n	标准			75 w	pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				400V，4A，43OHM，15V															34 ns	沟	600 v	8 a	12 a	2.5V @ 15V，4A	110µJ	27 NC	12NS/116NS
IKD10N60RAATMA2	-	RFQ	3514	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	ikd10n	标准			150 w	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				400V，10a，23ohm，15V															62 ns	沟	600 v	20 a	30 a	2.1V @ 15V，10a	-	64 NC	14NS/192NS
IPB049NE7N3GATMA1	2.8000	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB049			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						75 v	80A（TC）	10V	4.9Mohm @ 80a，10v	3.8V @ 91µA	68 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 37.5 V	-	150W（TC）
IPB180N04S401ATMA1	4.0600	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						40 V	180a（TC）	10V	1.3MOHM @ 100A，10V	4V @ 140µA	176 NC @ 10 V	±20V	14000 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IPB65R190C6ATMA1	-	RFQ	4026	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 100 V	-	151W（TC）
IPB65R190CFDATMA1	2.0368	RFQ	7727	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R190			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	17.5A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	4.5V @ 730µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 100 V	-	151W（TC）
IPB65R420CFDATMA1	-	RFQ	9590	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 340µA	32 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
IPD100N04S402ATMA1	2.6300	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD100			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	100A（TC）	10V	2MOHM @ 100A，10V	4V @ 95µA	118 NC @ 10 V	±20V	9430 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPD50N04S410ATMA1	1.1500	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	50A（TC）	10V	9.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 15µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1430 pf @ 25 V	-	41W（TC）
IPD65R660CFDBTMA1	-	RFQ	9895	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	ipd65r			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						650 v	6A（TC）	10V	660MOHM @ 2.1a，10V	4.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
IPD90N04S405ATMA1	1.4700	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	86A（TC）	10V	5.2MOHM @ 86A，10V	4V @ 30µA	37 NC @ 10 V	±20V	2960 pf @ 25 V	-	65W（TC）
SGB07N120ATMA1	2.7031	RFQ	6161	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGB07N	标准			125 w	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				800V，8a，47ohm，15V																npt	1200 v	16.5 a	27 a	3.6V @ 15V，8a	1MJ	70 NC	27NS/440NS
SKB06N60ATMA1	-	RFQ	8352	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SKB06N	标准			68 w	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，6A，50OHM，15V															200 ns	npt	600 v	12 a	24 a	2.4V @ 15V，6a	215µJ	32 NC	25NS/220NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²