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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRLR7821TRPBF	-	RFQ	2067	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道							30 V	65A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 15a，10v	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	75W（TC）
FP75R07N2E4B16BPSA1	127.9073	RFQ	2419	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					20兆		三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																																			沟渠场停止	650 v	95 a		1.95V @ 15V，75a				1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
IRGS4630DPBF	-	RFQ	2681	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		206 w			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					400V，18A，22OHM，15V																									100 ns						-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V，18A	95µJ（在）上，350µJ（OFF）	35 NC	40NS/105NS
IKCM20L60HAXKMA1	-	RFQ	7104	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT								下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	280	3期						20 a	600 v	2000vrms
BCR 103L3 E6327	-	RFQ	6201	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	SC-101，SOT-883		BCR 103			250兆			PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																																					50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，20mA	20 @ 20mA，5V	140 MHz	2.2 kohms	2.2 kohms
DD180N18SHPSA1	-	RFQ	7317	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块				标准				BG-PB34SB-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1对系列连接	1800 v	226a			1 ma @ 1800 V	-40°C〜135°C
IRF8010STRRPBF	-	RFQ	8704	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道							100 v	80A（TC）	10V	15mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3830 pf @ 25 V	-	260W（TC）
BCR112WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	5839	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-70，SOT-323		BCR112			250兆			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																					50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	140 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
BCR183SE6327BTSA1	-	RFQ	1928年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BCR183			250MW			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																					50V	100mA						-			2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
IPB320N20N3GATMA1	3.6100	RFQ	13	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB320		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							200 v	34A（TC）	10V	32MOHM @ 34A，10V	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	136W（TC）
Auxhafr6215	-	RFQ	4047	Infineon技术	-	管子	过时的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1											-
BSL314PEH6327XTSA1	-	RFQ	3466	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		BSL314		MOSFET （金属 o化物）	500MW			PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）									30V	1.5a		140MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 6.3µA	2.9nc @ 10V		294pf @ 15V	逻辑级别门，4.5V驱动器
IRF7751	-	RFQ	3828	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		IRF775		MOSFET （金属 o化物）	1W			8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	2（p 通道（双）									30V	4.5a		35MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	44NC @ 10V		1464pf @ 25V	逻辑级别门
FS400R12A2T4IBPSA1	-	RFQ	2892	Infineon技术	Hybridpack™2	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FS400R12			1500 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	全桥																																			沟渠场停止	1200 v	400 a		1.85V @ 15V，300A				1 MA	是的	25 NF @ 25 V
IRF5305pbf	1.7200	RFQ	44	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRF5305		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道							55 v	31a（TC）	10V	60mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IPZ40N04S5L7R4ATMA1	0.9500	RFQ	10	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		IPZ40N04		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道							40 V	40a（TC）	4.5V，10V	7.4mohm @ 20a，10v	2V @ 10µA	17 NC @ 10 V	±16V	920 PF @ 25 V	-	34W（TC）
BFP450E6327	-	RFQ	1849年	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343					450MW			PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1						15.5db																															5V	100mA									NPN		60 @ 50mA，4V	24GHz			1.25dB @ 1.8GHz
AUIRFS4115	-	RFQ	5324	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		AUIRFS4115		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520256	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
FD400R07PE4RB6BOSA1	-	RFQ	5532	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FD400R12			1150 w		标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器																																			沟渠场停止	650 v	460 a		1.95V @ 15V，400A				20 µA	是的	18.5 nf @ 25 V
FP50R06KE3GBOSA1	104.1200	RFQ	140	Infineon技术	Econopim™3	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					190 w		标准	AG-ECONO3-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																																			沟渠场停止	600 v	60 a		1.9V @ 15V，50a				1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
IRFP9140N	-	RFQ	1361	Infineon技术	Hexfet®	包	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP9140N	Ear99	8541.29.0095	25			P通道							100 v	23A（TC）	10V	117MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	140W（TC）
BAS40B5000	0.0300	RFQ	90	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS40		肖特基				PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz
IRLML6402GTRPBF	-	RFQ	3967	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）				Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道							20 v	3.7a（ta）	2.5V，4.5V	65mohm @ 3.7A，4.5V	1.2V @ 250µA	12 nc @ 5 V	±12V	633 PF @ 10 V	-	1.3W（TA）
IRGPC50U	-	RFQ	5961	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		200 w			TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																																				-	600 v	55 a		3V @ 15V，27a
TZ800N14KOFHPSA2	-	RFQ	6078	Infineon技术	-	大部分	过时的					TZ800N14							-					过时的		1
IRGPS40B120UPBF	-	RFQ	9642	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA			标准		595 w			SUPER-247™to-274AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25					600V，40a，4.7Ohm，15V																															npt	1200 v	80 a	160 a	3.71V @ 15V，50a	1.4MJ（在）上，1.65MJ OFF）	340 NC	-
T1901N80TS05PRXPSA1	-	RFQ	2195	Infineon技术	-	大部分	过时的	125°C（TJ）	底盘安装	TO-200AF						单身的			-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA																8 kV	3300 a	2.5 v	67000a @ 50Hz	350 MA	2930 a										1 scr
IRF7752Tr	-	RFQ	5128	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）		IRF775		MOSFET （金属 o化物）	1W			8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）									30V	4.6a		30mohm @ 4.6A，10V	2V @ 250µA	9NC @ 4.5V		861pf @ 25V	逻辑级别门
IRF3708	-	RFQ	5225	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3708S	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							30 V	62A（TC）	2.8V，10V	12mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
BAS40-07E6327	0.1100	RFQ	760	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA		BAS40		肖特基				SOT143（SC-61）	下载					Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								2独立	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²