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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BAT 68-08S E6327	-	RFQ	1919年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BAT68							PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	6,000					130 MA																	150兆														1pf @ 0v，1MHz										肖特基-3独立	8V				10ohm @ 5mA，10kHz
BSC200P03LSG	0.4300	RFQ	13	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN					MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道										30 V	9.9a（ta），12.5a tc）	10V	20mohm @ 12.5a，10v	1V @ 100µA	48.5 NC @ 10 V	±25V	2430 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
IPP80N06S4L05AKSA1	-	RFQ	3124	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ipp80n			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道										60 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.1MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 60µA	110 NC @ 10 V	±16V	8180 pf @ 25 V	-	107W（TC）
BAR6302VH6327XTSA1	0.3800	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）		SC-79，SOD-523		BAR63							PG-SC79-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000					100 ma																	250兆														0.3pf @ 5V，1MHz										PIN-单	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
Si4410dytrpbf	-	RFQ	6838	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道										30 V	10a（10a）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 10A，10V	1V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1585 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
T1040N22TOFVTXPSA1	396.6725	RFQ	4490	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AC		T1040N22					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4						300 MA																	2.2 kV	2200 a	2.2 v	21500A @ 50Hz	250 MA	1040 a									1 scr
BB914	0.1100	RFQ	62	Infineon技术	*	大部分	积极的													下载					Ear99	8541.10.0070	1
AIKW50N65DF5XKSA1	10.4300	RFQ	9998	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		aikw50	标准			270 w			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30							400V，25a，12ohm，15V																															沟	650 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	1018 NC	21NS/156NS
IRF7726TRPBF	-	RFQ	4867	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）		IRF7726			MOSFET （金属 o化物）				micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道										30 V	7a（ta）	4.5V，10V	26mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	2204 PF @ 25 V	-	1.79W（TA）
irlu8721-701pbf	-	RFQ	6354	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-4，DPAK （3 +选项卡）					MOSFET （金属 o化物）				i-pak（LF701）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道										30 V	65A（TC）	4.5V，10V	8.4mohm @ 25a，10v	2.35V @ 25µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1030 pf @ 15 V	-	65W（TC）
BB644E7904HTSA1	-	RFQ	7802	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323		BB644E							PG-SOD323-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																																				2.75pf @ 28V，1MHz										单身的	30 V					17.8	C1/C28	-
BAR63-05E6433	0.0900	RFQ	3083	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3									PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	2,496					100 ma																	250兆														0.3pf @ 5V，1MHz										引脚-1对普通阴极	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
BSS126IXTSA1	0.5200	RFQ	2	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BSS126			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23-3-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道										600 v	21ma（ta）		500ohm @ 16mA，10v	1.6V @ 8µA	1.4 NC @ 5 V	±20V	21 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
IRF7452Tr	-	RFQ	7052	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道										100 v	4.5A（ta）	10V	60mohm @ 2.7a，10v	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
PTFC262808SVV1XWSA1	-	RFQ	9258	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-				-	-				-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001028996	过时的	0000.00.0000	250	-			-				-	-																				-
IPB65R075CFD7AATMA1	11.6400	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB65R			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										650 v	32A（TC）	10V	75mohm @ 16.4a，10v	4.5V @ 820µA	68 NC @ 10 V	±20V	3288 PF @ 400 V	-	171W（TC）
IRF9956	-	RFQ	5985	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF995			MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9956	Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）												30V	3.5a		100mohm @ 2.2a，10v	1V @ 250µA	14NC @ 10V		190pf @ 15V	逻辑级别门
IPB65R095C7ATMA1	-	RFQ	3881	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB65R			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001080124	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										650 v	24A（TC）	10V	95mohm @ 11.8a，10v	4V @ 590µA	45 NC @ 10 V	±20V	2140 pf @ 400 V	-	128W（TC）
IPP120N08S403AKSA1	5.9900	RFQ	8	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP120			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										80 V	120A（TC）	10V	2.8MOHM @ 100A，10V	4V @ 223µA	167 NC @ 10 V	±20V	11550 PF @ 25 V	-	278W（TC）
BSC112N06LDATMA1	1.7900	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™-T2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		BSC112			MOSFET （金属 o化物）	65W（TC）			PG-TDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）												60V	20A（TC）		11.2Mohm @ 17a，10v	2.2V @ 28µA	55nc @ 10V		4020pf @ 30V	逻辑级别门
IPDQ60R025CFD7XTMA1	21.0500	RFQ	7763	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-Powerbsop模块					MOSFET （金属 o化物）				PG-HDSOP-22-1	下载	rohs3符合条件						750			n通道										600 v	90A（TC）	10V	25mohm @ 32.6a，10V	4.5V @ 1.63mA	141 NC @ 10 V	±20V	5626 PF @ 400 V	-	446W（TC）
IRF9333PBF	-	RFQ	1732年	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001554504	Ear99	8541.29.0095	95			P通道										30 V	9.2a（ta）	4.5V，10V	19.4mohm @ 9.2a，10v	2.4V @ 25µA	38 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRF2804STRL-7P	-	RFQ	8045	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB					MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										40 V	160a（TC）	10V	1.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	6930 PF @ 25 V	-	330W（TC）
IFS150B12N3E4PB11BPSA1	319.6200	RFQ	8674	Infineon技术	MIPAQ™	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		IFS150				750 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	全桥																																					沟渠场停止	1200 v	300 a		2.1V @ 15V，150a						1 MA	是的	9.3 NF @ 25 V
IRF7811	-	RFQ	4196	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）					MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道										28 V	14A（TA）	4.5V	11mohm @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	23 NC @ 5 V	±12V	1800 pf @ 16 V	-	3.5W（TA）
SPW35N60CFDFKSA1	11.2900	RFQ	380	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		SPW35N60			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道										600 v	34.1A（TC）	10V	118mohm @ 21.6a，10v	5V @ 1.9mA	212 NC @ 10 V	±20V	5060 pf @ 25 V	-	313W（TC）
BAR50-03WE6327	0.0400	RFQ	36	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323									PG-SOD323-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000					100 ma																	250兆														0.4pf @ 5V，1MHz										PIN-单	50V				4.5OHM @ 10mA，100MHz
BAS70E6433HTMA1	0.4800	RFQ	30	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS70			肖特基				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																												70 v	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	-55°C〜125°C	70mA	2pf @ 0v，1MHz
IKCM15L60GDXKMA1	17.4200	RFQ	245	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的		通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT	IKCM15								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	14	3期									20 a	600 v	2000vrms
IRGS4064DTRLPBF	-	RFQ	4903	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准			101 w			D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001535958	Ear99	8541.29.0095	800							400V，10a，22ohm，15V																									62 ns						沟	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V，10a	29µJ（在）上，200µJ（200µJ）	32 NC	27NS/79NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²