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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IPW65R060CFD7XKSA1	9.2300	RFQ	2692	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R060			MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							650 v	36a（TC）	10V	60mohm @ 16.4a，10v	4.5V @ 860µA	68 NC @ 10 V	±20V	3288 PF @ 400 V	-	171W（TC）
IRFS3107-7PPBF	-	RFQ	1315	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							75 v	240a（TC）	10V	2.6mohm @ 160a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	370W（TC）
BCR108WH6433	0.0500	RFQ	40	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BCR108				250兆			PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,123																																		50 V	100 ma							100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
BCR141TE6327	0.0200	RFQ	21	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR141				250兆			PG-SOT23-3-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																																		50 V	100 ma							100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	130 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
FB20R06KL4B1BOMA1	-	RFQ	8371	Infineon技术	-	托盘	过时的					FB20R06								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		20
FF225R17ME4BOSA1	186.9900	RFQ	3799	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF225R17				1500 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																																沟渠场停止	1700 v	340 a		2.3V @ 15V，225a					3 ma	是的	18.5 nf @ 25 V
BSM300GA120DN2S2HDLA1	-	RFQ	1190	Infineon技术	-	托盘	过时的					BSM300								-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10
PTFA082201EV4R250XTMA1	-	RFQ	1598年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	H-36260-2	PTFA082201		894MHz	ldmos				H-36260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250				10µA			1.95 a	220W	18db															-																	30 V
BCR 151F E6327	-	RFQ	4449	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SOT-723	BCR 151				250兆			PG-TSFP-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																		50 V	50 mA							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 5mA，5V	120 MHz	100 kohms	100 kohms
IPP80N08S406AKSA1	3.1300	RFQ	488	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80N08			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							80 V	80A（TC）	10V	5.8mohm @ 80a，10v	4V @ 90µA	70 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPI60R280C6	1.4900	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™C6	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道							600 v	13.8A（TC）		280MOHM @ 6.5a，10V	3.5V @ 430µA	43 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
BSP92PL6327HTSA1	-	RFQ	6726	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP92			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4-21	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道							250 v	260mA ta）	4.5V，10V	12ohm @ 260mA，10v	2V @ 130µA	5.4 NC @ 10 V	±20V	104 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BCR183E6433HTMA1	-	RFQ	9453	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR183				200兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																		50 V	100 ma							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
BCX6916E6327HTSA1	-	RFQ	8143	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCX69				3 W			PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																		20 v	1 a							100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
BC 817-40 E6433	-	RFQ	8327	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC 817				330兆			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																		45 v	500 MA							100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz
IRFSL4510pbf	-	RFQ	1214	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							100 v	61A（TC）	10V	13.9mohm @ 37a，10v	4V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 50 V	-	140W（TC）
FF100R12KS4HOSA1	131.5100	RFQ	7512	Infineon技术	c	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF100R12				780 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																																-	1200 v	150 a		3.7V @ 15V，100a					5 ma	不	650 NF @ 25 V
IPB09N03LA	-	RFQ	9972	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB09N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							25 v	50A（TC）	4.5V，10V	8.9MOHM @ 30a，10v	2V @ 20µA	13 NC @ 5 V	±20V	1642 PF @ 15 V	-	63W（TC）
STT2200N18P55XPSA1	779.7500	RFQ	5559	Infineon技术	-	托盘	积极的		125°C（TJ）	底盘安装	模块	STT2200					1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					300 MA															1.8 kV	2 v	21000a @ 50Hz	200 ma									2 scr
IRFP4710pbf	-	RFQ	7179	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP4710			MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道							100 v	72A（TC）	10V	14mohm @ 45a，10v	5.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	6160 pf @ 25 V	-	190w（TC）
BF 2040 E6814	0.0800	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	8 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA			1GHz	MOSFET				PG-SOT143-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			50µA			15 ma	-	23dB															1.6dB																	5 v
IRL3705ZL	-	RFQ	5706	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3705ZL	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
AUIRFSL8409	-	RFQ	6004	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-262-3短领先，i²pak				MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001516096	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							40 V	195a（TC）	10V	1.2MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	450 NC @ 10 V	±20V	14240 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IRF7805ATR	-	RFQ	4346	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							30 V	13A（TA）	4.5V	11MOHM @ 7A，4.5V	3V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±12V		-	2.5W（TA）
irfr4105ztrl	-	RFQ	9090	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							55 v	30A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IPZ65R065C7XKSA1	11.9900	RFQ	240	Infineon技术	Coolmos™C7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IPZ65R065			MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							650 v	33A（TC）	10V	65mohm @ 17.1a，10v	4V @ 850µA	64 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 400 V	-	171W（TC）
BAL74E6327	-	RFQ	3017	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				标准				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							50 V	1 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜150°C	250mA	2pf @ 0v，1MHz
IKY120N120CH7XKSA1	16.0100	RFQ	240	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IKY120N120	标准			721 w			pg-to247-4-U10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						600V，100a，4ohm，15V																											沟渠场停止	1200 v	212 a	400 a	2.15V @ 15V，100A	2.37mj（在）上，2.65mj off）	714 NC	44NS/359NS
IKY50N120CH7XKSA1	12.0300	RFQ	230	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IKY50N120	标准			398 w			pg-to247-4-U10	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						-																					86 ns						沟渠场停止	1200 v	75 a	200 a	2.15V @ 15V，50a	1.09mj（在）上，1.33mj off）	372 NC	35NS/331NS
IPB80P04P407ATMA1	-	RFQ	2393	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80P			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道							40 V	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 150µA	89 NC @ 10 V	±20V	6085 pf @ 25 V	-	88W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²