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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IPP65R280C6XKSA1	-	RFQ	8305	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp65r		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
board29524NOSA1	-	RFQ	1286	Infineon技术	-	托盘	过时的											-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
TZ800N16KOFHPSA3	448.0400	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TZ800N16				单身的			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				500 MA												1.6 kV	1500 a	2 v	35000a @ 50Hz	250 MA	819 a								1 scr
SN7002NH6433XTMA1	0.3900	RFQ	9	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SN7002		MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000			n通道			60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
SDT05S60	-	RFQ	5434	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	SDT05S		SIC （碳化硅）				PG-TO220-2-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																				600 v	1.7 V @ 5 A	0 ns	200 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	170pf @ 1V，1MHz
FP35R12N2T7B11BPSA2	123.6900	RFQ	9217	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP35R12			20兆		三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																													沟渠场停止	1200 v	35 a		1.6V @ 15V，35a				7 µA	是的	6.62 NF @ 25 V
BSL306NL6327HTSA1	-	RFQ	6539	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL306		MOSFET （金属 o化物）	500MW			PG-TSOP6-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）					30V	2.3a		57MOHM @ 2.3a，10V	2V @ 11µA	1.6NC @ 5V		275pf @ 15V	逻辑级别门
IPD60R600P7SE8228AUMA1	0.8800	RFQ	2	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			600 v	6A（TC）	10V	600MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 80µA	9 NC @ 10 V	±20V	363 PF @ 400 V	-	30W（TC）
IRF7703GTRPBF	-	RFQ	7860	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）				8-tssop	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道			40 V	6a（6a）	4.5V，10V	28mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	62 NC @ 4.5 V	±20V	5220 PF @ 25 V	-	1.5W（TA）
IPP600N25N3GXKSA1	3.2000	RFQ	129	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp600		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			250 v	25A（TC）	10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	136W（TC）
T2251N70TOHXPSA1	-	RFQ	1151	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF	T2251N70				单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA												8 kV	3550 a	2.5 v	67000a @ 50Hz	350 MA	3140 a								1 scr
IPP65R225C7	-	RFQ	2113	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1			n通道			650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
SPW15N60CFDFKSA1	-	RFQ	9495	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW15N		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道			650 v	13.4A（TC）	10V	330mohm @ 9.4a，10v	5V @ 750µA	84 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	156W（TC）
SIDC06D60F6X1SA3	-	RFQ	8368	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	SIDC06D60		标准				锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				600 v	1.6 V @ 15 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜150°C	15a	-
IRF7464TRPBF	-	RFQ	9430	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			200 v	1.2A（TA）	10V	730mohm @ 720mA，10v	5.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPF014N08NF2SATMA1	5.1100	RFQ	800	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IPF014N		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO263-7-14	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			80 V	282a（TC）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 267µA	255 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 40 V	-	300W（TC）
FF300R12ME4BDLA1	-	RFQ	7329	Infineon技术	*	大部分	积极的				FF300R12							下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FF300R12ME4BDLA1-448	Ear99	0000.00.0000	2
SPP80N04S2-04	-	RFQ	4305	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	6980 pf @ 25 V	-	300W（TC）
Auirfu4292	-	RFQ	3161	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）				我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519718	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			250 v	9.3A（TC）	10V	345MOHM @ 5.6A，10V	5V @ 50µA	20 nc @ 10 V	±20V	705 pf @ 25 V	-	100W（TC）
BCR185SE6327	0.0300	RFQ	6018	Infineon技术	-	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	9,000
IRFS4010Trl7pp	3.9300	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRFS4010		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			100 v	190a（TC）	10V	4mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	9830 PF @ 50 V	-	380W（TC）
BCX71GE6327	0.0400	RFQ	47	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,454																															45 v	100 ma						20NA（ICBO）			PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	120 @ 2mA，5V	250MHz
IRF7601pbf	-	RFQ	9619	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）				micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001551458	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			20 v	5.7A（ta）	2.7V，4.5V	35mohm @ 3.8A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V	±12V	650 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
IRG4BC40SPBF	-	RFQ	8872	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC40	标准		160 w			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001535562	Ear99	8541.29.0095	1,000					480V，31a，10ohm，15V																									-	600 v	60 a	120 a	1.5V @ 15V，31a	450µJ（在）上，6.5MJ（6.5MJ）	100 NC	22NS/650NS
IRLR8256TRPBF	-	RFQ	4722	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8256		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			25 v	81A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1470 pf @ 13 V	-	63W（TC）
AIMZHN120R120M1TXKSA1	12.1686	RFQ	7276	Infineon技术	*	管子	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZHN120R120M1TXKSA1			240
IRF7807D1TR	-	RFQ	9185	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001577472	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			30 V	8.3a（ta）	4.5V	25mohm @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	17 NC @ 5 V	±12V		Schottky 二极管（孤立）	2.5W（TA）
F575R06KE3B5BOSA1	-	RFQ	7495	Infineon技术	Econopack™3	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F575R06			250 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																													沟渠场停止	600 v	75 a		1.9V @ 15V，75a				1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
BAT6402WH6327XTSA1	-	RFQ	6186	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，BAT64	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-80	BAT64		肖特基				SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																				40 V	750 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 30 V	150°C （最大）	120mA	6pf @ 1V，1MHz
IRFR1018EPBF	-	RFQ	9968	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			60 V	56A（TC）	10V	8.4mohm @ 47a，10v	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	2290 pf @ 50 V	-	110W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²