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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRF6626	-	RFQ	7081	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™st	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道							30 V	16a（16a），72a（tc）	4.5V，10V	5.4mohm @ 16a，10v	2.35V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	2380 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
IRGB4615DPBF	-	RFQ	5001	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			99 W			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50						400V，8A，47OHM，15V																									60 ns						-	600 v	23 a	24 a	1.85V @ 15V，8a	（70µJ）（在145µJ上）	19 nc	30ns/95ns
IDP15E60XKSA1	1.2031	RFQ	7436	Infineon技术	-	管子	上次购买			通过洞	TO-220-2	IDP15			标准				PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										600 v		2 V @ 15 A	87 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	29.2a	-
higfed1bosa1	-	RFQ	6279	Infineon技术	-	托盘	过时的		-	-	-	higfed1						-	-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000713564	过时的	0000.00.0000	1	-																																				-				-
BAV70SH6327XTSA1	0.1021	RFQ	4899	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BAV70			标准				PG-SOT363-6-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									2对普通阴极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
IRGP6660DPBF	-	RFQ	9183	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			330 w			TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25						400V，48a，10ohm，15V																									70 ns						-	600 v	95 a	144 a	1.95V @ 15V，48a	600µJ（在）上，1.3mj off）	95 NC	60ns/155ns
IRF3710LPBF	-	RFQ	2337	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							100 v	57A（TC）	10V	23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IPD70N12S311ATMA1	2.0100	RFQ	4218	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD70			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							120 v	70A（TC）	10V	11.1MOHM @ 70A，10V	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	±20V	4355 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IKA10N60TXKSA1	2.3200	RFQ	4364	Infineon技术	Trechstop®	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ika10n	标准			30 W			pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50						400V，10a，23ohm，15V																									115 ns						沟渠场停止	600 v	11.7 a	30 a	2.05V @ 15V，10A	430µJ	62 NC	12NS/215NS
STT3400N16P76XPSA1	1.0000	RFQ	9060	Infineon技术	-	托盘	积极的													-	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	1
62-0162pbf	-	RFQ	2478	Infineon技术	-	管子	过时的													-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1											-
FF600R17ME4B11BPSA1	471.1880	RFQ	6762	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12				20兆		标准	ag-econod	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																																				沟渠场停止	1700 v	950 a		2.3V @ 15V，600A					1 MA	是的	48 nf @ 25 V
ipd25cne8n g	-	RFQ	8931	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD25C			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							85 v	35A（TC）	10V	25mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 40 V	-	71W（TC）
BCR129SH6327XTSA1	0.0975	RFQ	7342	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR129				250MW			PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																						50V	100mA							-			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150MHz	10KOHMS	-
IRFS3207ZPBF	-	RFQ	9337	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							75 v	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
BCR 139F E6327	-	RFQ	5183	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-723	BCR 139				250兆			PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																						50 V	100 ma							100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	22 KOHMS
IRF9Z24NSTRR	-	RFQ	3201	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道							55 v	12A（TC）	10V	175MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
SIGC18T60NCX1SA5	-	RFQ	9698	Infineon技术	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC18	标准						死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1						300V，20a，13ohm，15V																															npt	600 v	20 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-		21NS/110NS
DT61N2516KOFHPSA1	-	RFQ	2002	Infineon技术	-	大部分	过时的		125°C（TJ）	底盘安装	模块						系列连接 -SCR/二极管			下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15					200 ma															1.6 kV	120 a	1.4 v	1550a @ 50Hz	120 MA	76 a											1 sc，1二极管
IPD60R180C7ATMA1	3.2200	RFQ	8721	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							600 v	13A（TC）	10V	180MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 260µA	24 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 400 V	-	68W（TC）
BCR169WH6327XTSA1	-	RFQ	5544	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-70，SOT-323	BCR169				250兆			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																						50 V	100 ma							100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
IRF7601TR	-	RFQ	7984	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）				micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							20 v	5.7A（ta）		35mohm @ 3.8A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V		650 pf @ 15 V	-
IRF1010EZPBF	1.6800	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF1010			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 100µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
SPB100N08S2L-07	-	RFQ	7594	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB100N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							75 v	100A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 68A，10V	2V @ 250µA	246 NC @ 10 V	±20V	7130 PF @ 25 V	-	300W（TC）
T533N80L75C35XPSA1	-	RFQ	7326	Infineon技术	-	大部分	过时的		120°C（TJ）	底盘安装	TO-200AC						单身的			-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					100 ma															8 kV	864 a		10500a @ 50Hz		790 a											1 scr
BAS4006E6327HTSA1	0.4200	RFQ	23	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS4006			肖特基				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																									1对公共阳极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
IRL3715STRR	-	RFQ	2113	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道							20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
irfu9n20d	-	RFQ	5690	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irfu9n20d	Ear99	8541.29.0095	75			n通道							200 v	9.4A（TC）	10V	380MOHM @ 5.6A，10V	5.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	560 pf @ 25 V	-	86W（TC）
IRGP4630DPBF	-	RFQ	5499	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			206 w			TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25						400V，18A，22OHM，15V																									100 ns						-	600 v	47 a	54 a	1.95V @ 15V，18A	95µJ（在）上，350µJ（OFF）	35 NC	40NS/105NS
PTFB211501FV1R250XTMA1	-	RFQ	4350	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFB211501		2.17GHz	ldmos				H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250				-			1.2 a	40W	18db																	-																			30 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²