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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IRFS3004TRLPBF	4.0900	RFQ	61	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRFS3004			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道										40 V	（195a）（ta）	10V	1.75MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	380W（TC）
BSB015N04NX3GXUMA1	-	RFQ	1240	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson					MOSFET （金属 o化物）				MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道										40 V	36a（36a），180a （TC）	10V	1.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 20 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
PTFA043002E V1	-	RFQ	3273	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线				800MHz	ldmos				H-30275-4	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				10µA			1.55 a	100W	16dB																				-																			32 v
IRG4PC50UDPBF	-	RFQ	2767	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IRG4PC50	标准			200 w			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400						480V，27a，5ohm，15V																												50 ns						-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	（990µJ）（在590µJ上）	180 NC	46NS/140NS
BBY5305WE63 27	0.1200	RFQ	6	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323									SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	1																																						3.1pf @ 3V，1MHz											1对普通阴极	6 V										2.6	C1/C3	-
IPB80N08S406ATMA1	-	RFQ	7077	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB80N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										80 V	80A（TC）	10V	5.5MOHM @ 80A，10V	4V @ 90µA	70 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRF3808LPBF	-	RFQ	8475	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA					MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3808LPBF	Ear99	8541.29.0095	50			n通道										75 v	106a（TC）	10V	7mohm @ 82a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	5310 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRL2505S	-	RFQ	9920	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL2505S	Ear99	8541.29.0095	50			n通道										55 v	104a（TC）	4V，10V	8mohm @ 54a，10v	2V @ 250µA	130 NC @ 5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRF7341TRPBF	1.2900	RFQ	4108	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF734			MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）												55V	4.7a		50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	36NC @ 10V		740pf @ 25V	逻辑级别门
IKQ120N65EH7XKSA1	11.4200	RFQ	230	Infineon技术	-	管子	积极的														下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240
IPD90R1K2C3ATMA1	0.8583	RFQ	7116	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD90			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道										900 v	5.1A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 310µA	28 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W（TC）
IGCM06F60HAXKMA1	-	RFQ	2317	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的			通过洞	24-PowerDip 模块（1.028英寸，26.10mm）	IGBT									下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	280	3期									6 a	600 v	2000vrms
IRD3CH101DB6	-	RFQ	9783	Infineon技术	-	大部分	过时的			表面安装	死		IRD3CH101			标准				死	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001535420	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													1200 v		2.7 V @ 200 A	360 ns	3.6 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	200a	-
TT162N16KOFHPSA2	157.6900	RFQ	4140	Infineon技术	-	托盘	积极的		125°C（TJ）	底盘安装	模块							系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8					200 MA																		1.6 kV	260 a	2 v	5200a @ 50Hz	150 ma	162 a											2 scr
IM241M6T2JAKMA1	11.1400	RFQ	688	Infineon技术	IM241，CIPOS™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞			IM241M6				13 W		标准	23浸	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																																							-	600 v			1.58V @ 15V，1A								是的
BCR 191L3 E6327	-	RFQ	8615	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-101，SOT-883		BCR 191				250兆			PG-TSLP-3-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																																									50 V	100 ma									100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
IRG7U200HF12B	-	RFQ	9345	Infineon技术	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块		irg7u				1130 w		标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541668	Ear99	8541.29.0095	15	半桥																																							-	1200 v	400 a		2V @ 15V，200a							2 ma	不	20 nf @ 25 V
IRFS4321Trl7pp	2.8400	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		IRFS4321			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道										150 v	86A（TC）	10V	14.7mohm @ 34a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±30V	4460 pf @ 50 V	-	350W（TC）
IPS050N03LGBKMA1	-	RFQ	4516	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK					MOSFET （金属 o化物）				PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000264170	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道										30 V	50A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	31 NC @ 10 V		3200 PF @ 15 V	-	68W（TC）
IRAMS06UP60A-2	-	RFQ	9173	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的			通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT									下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期									6 a	600 v	2000vrms
irlr3715ztrrpbf	-	RFQ	2279	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000			n通道										20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
IRAMX16UP60A-2	-	RFQ	3085	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的			通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT									下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期									16 a	600 v	2000vrms
IDH04SG60CXKSA2	2.9100	RFQ	486	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	积极的			通过洞	TO-220-2		IDH04SG60			SIC （碳化硅）				pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																													600 v		2.3 V @ 4 A	0 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	4a	80pf @ 1V，1MHz
IRAM136-1060BS	-	RFQ	2207	Infineon技术	Imotion™	管子	在sic中停产			通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	IGBT									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	3期									10 a	600 v	2000vrms
IPP60R280P7XKSA1	2.6000	RFQ	9796	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP60R280			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										600 v	12A（TC）	10V	280MOHM @ 3.8A，10V	4V @ 190µA	18 nc @ 10 V	±20V	761 PF @ 400 V	-	53W（TC）
FF17MR12W1M1HB11BPSA1	141.7000	RFQ	24	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的		-	底盘安装	模块		FF17MR12			MOSFET （金属 o化物）	-			ag-easy1b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	-												1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
BAS40-04B5000	1.0000	RFQ	6554	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS40			肖特基				PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																												1对系列连接	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
2PS13512E43W39689NOSA1	-	RFQ	9939	Infineon技术	Primestack™	大部分	过时的		-25°C〜55°C	底盘安装	模块		2PS13512						标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器																																							沟渠场停止	1200 v			-								是的
IRSM636-015MB	6.2798	RFQ	5949	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计				-	-	IRSM636								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	SP001539614	Ear99	8542.39.0001	800	-											-
DD241S14KHPSA1	-	RFQ	6248	Infineon技术	-	大部分	过时的			底盘安装	模块					标准				模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																												1对系列连接	1400 v	240a	1.55 V @ 800 A		200 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²