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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IPD60R1K5CEAT MA1	0.6500	RFQ	23	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				600 v	3.1A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 90µA	9.4 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 100 V	-	28W（TC）
IPD90P04P405ATMA1	1.3305	RFQ	5040	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道				40 V	90A（TC）	10V	4.7MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	154 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	125W（TC）
BFP650FH6327XTSA1	0.6100	RFQ	3	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP650			500MW			4-TSFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						11DB〜21.5DB																										4.5V	150mA									NPN		110 @ 80mA，3v	42GHz			0.8db〜1.9dB @ 1.8GHz〜6GHz
BFS17WE6327HTSA1	-	RFQ	4974	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BFS17			280MW			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						-																										15V	25mA									NPN		40 @ 2mA，1V	1.4GHz			3.5db〜5dB @ 800MHz
IRLR3410TRLPBF	1.3300	RFQ	63	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR3410		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道				100 v	17a（TC）	4V，10V	105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V	±16V	800 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IRFB4110pbf	4.7700	RFQ	847	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRFB4110		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				100 v	120A（TC）	10V	4.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	9620 PF @ 50 V	-	370W（TC）
IRF6798MTRPBF	-	RFQ	5322	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001529350	Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道				25 v	37A（TA），197A （TC）	4.5V，10V	1.3MOHM @ 37A，10V	2.35V @ 150µA	75 NC @ 4.5 V	±20V	6560 pf @ 13 V	（（（）	2.8W（ta），78W（tc）
BF517E6327HTSA1	-	RFQ	2759	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF517			280兆			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																15 v	25 ma						10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	40 @ 2mA，1V	2.5GHz
63-9015	-	RFQ	5446	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	-	-	-	-					-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					-																										-				-	-		-
64-2096pbf	-	RFQ	3175	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	IRF2907		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				75 v	160a（TC）	10V	3.8mohm @ 110a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	7580 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BSC027N03S g	-	RFQ	5533	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				30 V	25a（25A），100A （TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2V @ 90µA	51 NC @ 5 V	±20V	6540 pf @ 15 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF9910TR	-	RFQ	1441	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF99		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）						20V	10a，12a		13.4mohm @ 10a，10v	2.55V @ 250µA	11NC @ 4.5V		900pf @ 10V	逻辑级别门
BCR166E6433HTMA1	-	RFQ	6714	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR166			200兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	160 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
IRG4RC10SDTRPBFBTMA1	-	RFQ	8067	Infineon技术	hexfred®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		38 w			D-pak（TO-252AA）	-		不适用	到达不受影响	SP001814954	Ear99	8541.29.0095	2,000					480V，8A，100OHM，15V																				28 ns						-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
irg4ph40ud2-ep	-	RFQ	7797	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					800V，21a，10ohm，15V																				50 ns						-	1200 v	41 a	82 a	3.1V @ 15V，21a	（1.95MJ），（1.71mj off）	100 NC	22NS/100NS
FF1400R12IP4BOSA1	930.8700	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF1400			765000 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																														沟渠场停止	1200 v	1400 a		2.05V @ 15V，1400a				5 ma	是的	82 NF @ 25 V
FF300R07ME4B11BOSA1	147.0800	RFQ	5	Infineon技术	EconoDual™3	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF300R07			1100 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2独立																														沟渠场停止	650 v	390 a		1.95V @ 15V，300A				1 MA	是的	18.5 nf @ 25 V
FS100R12N2T4PBPSA1	222.8620	RFQ	5066	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-	-	-	FS100R12					-	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001622498	Ear99	8541.29.0095	10	-																														-				-
T7300N85X203A11XPSA1	19.0000	RFQ	1859年	Infineon技术	-	托盘	积极的				T7300							-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1
IDW75E60FKSA1	3.0100	RFQ	175	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDW75E60		标准				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					600 v	2 V @ 75 A	121 ns	40 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	120a	-
IPA057N08N3GXKSA1	2.5600	RFQ	1435	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA057		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				80 V	60a（TC）	6V，10V	5.7MOHM @ 60a，10v	3.5V @ 90µA	69 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 40 V	-	39W（TC）
BCR192WE6327HTSA1	-	RFQ	5723	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR192			250兆			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
FR900R12IP4DBPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FR900R12			20兆		标准	AG-PRIME3-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	双制动斩波器																														沟渠场停止	1200 v	900 a		2.05V @ 15V，900A				5 ma	是的	54 NF @ 25 V
FF450R12KE4EHOSA1	213.3600	RFQ	18	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R12			2400 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																														沟渠场停止	1200 v	520 a		2.15V @ 15V，450a				5 ma	不	28 NF @ 25 V
TT170N16KOFHPSA1	-	RFQ	6785	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT170N16				系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3				300 MA													1.6 kV	350 a	2 v	5200a @ 50Hz	200 MA	223 a								2 scr
BSZ017NE2LS5IATMA1	1.6400	RFQ	3103	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ017		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				25 v	27a（27A），40a （TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±16V	2000 pf @ 12 V	-	2.1W（ta），50W（TC）
IRF7811WTR	-	RFQ	6972	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001572286	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				30 V	14A（TA）	4.5V	12MOHM @ 15a，4.5V	1V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±12V	2335 PF @ 16 V	-	3.1W（TA）
IRF8721GPBF	-	RFQ	4300	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001555790	Ear99	8541.29.0095	95			n通道				30 V	14A（TA）	4.5V，10V	8.5mohm @ 14a，10v	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	1040 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IRFR7446TRPBF	1.3300	RFQ	2	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR7446		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道				40 V	56A（TC）	6V，10V	3.9MOHM @ 56A，10V	3.9V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	98W（TC）
IRF7324D1TR	-	RFQ	1902年	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道				20 v	2.2A（ta）	2.7V，4.5V	270MOHM @ 1.2A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	7.8 NC @ 4.5 V	±12V	260 pf @ 15 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²