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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
SPA04N50C3XKSA1	-	RFQ	5317	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA04N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						560 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	31W（TC）
AUIRGDC0250	-	RFQ	2300	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	auirgdc	标准			543 w			SUPER-220™to-273AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						600V，33A，5OHM，15V																												-	1200 v	141 a	99 a	1.57V @ 15V，33a	（15mj））	227 NC	- /485ns
BSC205N10LSG	1.0000	RFQ	9423	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						100 v	7.4A（TA），45A（TC）	4.5V，10V	20.5MOHM @ 45A，10V	2.4V @ 43µA	41 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 50 V	-	76W（TC）
IPW60R125CPFKSA1	5.4657	RFQ	1478	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R125			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道						600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	208W（TC）
BSC037N025S g	-	RFQ	8349	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						25 v	21a（21A），100A （TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 50a，10v	2V @ 50µA	29 NC @ 5 V	±20V	3660 pf @ 15 V	-	2.8W（TA），69W（tc）
IRL3102STRR	-	RFQ	7324	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						20 v	61A（TC）	4.5V，7V	13mohm @ 37a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	58 NC @ 4.5 V	±10V	2500 pf @ 15 V	-	89W（TC）
IPP80N06S2L-06	1.0000	RFQ	9133	Infineon技术	*	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						55 v	80A（TC）	4.5V，10V	6.3mohm @ 69a，10v	2V @ 180µA	150 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IRG4BC30K-STRRP	-	RFQ	5798	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BC30	标准			100 W			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001532514	Ear99	8541.29.0095	800						480V，16a，23ohm，15v																												-	600 v	28 a	56 a	2.7V @ 15V，16a	360µJ（在）上，510µJ（OFF）	67 NC	26NS/130NS
IPA50R380CE	-	RFQ	4249	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	9.9a（TC）	13V	380MOHM @ 3.2A，13V	3.5V @ 260µA	24.8 NC @ 10 V	±20V	584 pf @ 100 V	-	29.2W（TC）
IRGP6660DPBF	-	RFQ	9183	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			330 w			TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25						400V，48a，10ohm，15V																						70 ns						-	600 v	95 a	144 a	1.95V @ 15V，48a	600µJ（在）上，1.3mj off）	95 NC	60ns/155ns
BTS247Z	1.2700	RFQ	12	Infineon技术	*	大部分	积极的													下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPD70N12S311ATMA1	2.0100	RFQ	4218	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD70			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						120 v	70A（TC）	10V	11.1MOHM @ 70A，10V	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	±20V	4355 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRLMS2002TR	-	RFQ	9526	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	SOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）				Micro6™（SOT23-6）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						20 v	6.5A（TA）		30mohm @ 6.5a，4.5V	1.2V @ 250µA	22 NC @ 5 V		1310 pf @ 15 V	-
PTVA101K02EVV1XWSA1	-	RFQ	8837	Infineon技术	-	托盘	过时的	50 V		底盘安装	H-36275-4			1.03GHz〜1.09GHz	ldmos				H-36275-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001033548	Ear99	8541.29.0095	30	双重的			-			950W	17.5db																	-
T1330N22TOFVTXPSA1	453.2150	RFQ	2393	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC	T1330N22					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4					300 MA														2.2 kV	2600 a	2.2 v	26500A @ 50Hz	250 MA	1330 a									1 scr
IRF3710LPBF	-	RFQ	2337	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						100 v	57A（TC）	10V	23mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 25 V	-	200W（TC）
ISC0605NLSATMA1	1.4175	RFQ	8427	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的													-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-ISC0605NLSATMA1TR			5,000
IRG4PC20U	-	RFQ	8321	Infineon技术	-	包	过时的		-	通过洞	TO-247-3	IRG4PC20	标准			60 W			TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4PC20U	Ear99	8541.29.0095	25						480V，6.5a，50ohm，15V																												-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	（100µJ）（在120µJ）上（120µJ）	27 NC	21NS/86NS
IRF540NPBF	1.4900	RFQ	151	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF540			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	33A（TC）	10V	44mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 25 V	-	130W（TC）
auirfs4127trl	4.4729	RFQ	2865	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRFS4127			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518830	Ear99	8541.29.0095	800			n通道						200 v	72A（TC）	10V	22mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5380 pf @ 50 V	-	375W（TC）
IPW95R130PFD7XKSA1	7.3400	RFQ	5512	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的		-55°C〜150°C	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						950 v	36.5a	10V	-	-	141 NC @ 10 V	±20V		-	227W
FP150R07N3E4BOSA1	195.2600	RFQ	10	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP150R07				430 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																																	沟渠场停止	650 v	150 a		1.95V @ 15V，150a				1 MA	是的	9.3 NF @ 25 V
IRF6626	-	RFQ	7081	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™st	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道						30 V	16a（16a），72a（tc）	4.5V，10V	5.4mohm @ 16a，10v	2.35V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	±20V	2380 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
64-2144pbf	-	RFQ	6538	Infineon技术	*	管子	积极的					64-2144								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001562470	Ear99	8541.29.0095	50
IRGB4615DPBF	-	RFQ	5001	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			99 W			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50						400V，8A，47OHM，15V																						60 ns						-	600 v	23 a	24 a	1.85V @ 15V，8a	（70µJ）（在145µJ上）	19 nc	30ns/95ns
IDP15E60XKSA1	1.2031	RFQ	7436	Infineon技术	-	管子	上次购买			通过洞	TO-220-2	IDP15			标准				PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								600 v	2 V @ 15 A	87 ns	50 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	29.2a	-
IPP086N10N3G	0.5200	RFQ	3879	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载					Ear99	8542.39.0001	150			n通道						100 v	80A（TC）	6V，10V	8.6mohm @ 73a，10v	3.5V @ 75µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 50 V	-	125W（TC）
AIKB30N65DH5ATMA1	4.7700	RFQ	1836年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Aikb30	标准						pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						-																												npt	650 v	30 a		-	-		-
IPI024N06N3GXKSA1	3.2600	RFQ	8269	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI024			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	120A（TC）	10V	2.4MOHM @ 100A，10V	4V @ 196µA	275 NC @ 10 V	±20V	23000 PF @ 30 V	-	250W（TC）
IRL3103D1	-	RFQ	8867	Infineon技术	Fetky™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3103D1	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						30 V	64A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 34a，10v	1V @ 250µA	43 NC @ 4.5 V	±16V	1900 pf @ 25 V	-	2W（ta），89w（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²