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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
T570N65TOFXPSA1	1.0000	RFQ	7411	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC	T570N65					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4						350 MA															6.5 kV	850 a	2.5 v	10500a @ 50Hz	350 MA	760 a								1 scr
PTFA241301E V1	-	RFQ	8542	Infineon技术	Goldmos®	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线			2.42GHz	ldmos				H-30260-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	35				10µA				1.15 a	130W	14dB																	-																28 V
BB857H7902XTSA1	-	RFQ	2845	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-80	BB857							SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																																	0.52pf @ 28V，1MHz											单身的	30 V											12.7	C1/C28	-
IPD49CN10N g	-	RFQ	5395	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD49C			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道								100 v	20A（TC）	10V	49mohm @ 20a，10v	4V @ 20µA	16 NC @ 10 V	±20V	1090 pf @ 50 V	-	44W（TC）
BFN19H6327XTSA1	0.2440	RFQ	5709	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BFN19				1 w			PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																				300 v	200 MA									100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 2mA，20mA	30 @ 30mA，10v	100MHz
BF517E6327HTSA1	-	RFQ	2759	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BF517				280兆			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																				15 v	25 ma									10µA（ICBO）				NPN	400mv @ 1mA，10mA	40 @ 2mA，1V	2.5GHz
IRF7821TR	-	RFQ	5034	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道								30 V	13.6a（ta）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 13A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
SIGC57T120R3LEX1SA3	-	RFQ	9492	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	死	SIGC57	标准						死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1							-																												沟渠场停止	1200 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	-		-
SMBT 3904U E6327	-	RFQ	1353	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-74，SOT-457	SMBT 3904				330MW			PG-SC74-6	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																				40V	200mA									50NA（iCBO）				2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
IPF10N03LA	-	RFQ	7372	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPF10N			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道								25 v	30A（TC）	4.5V，10V	10.4mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	11 NC @ 5 V	±20V	1358 pf @ 15 V	-	52W（TC）
irlu2905pbf	-	RFQ	4085	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的			通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）				我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道								55 v	42A（TC）		27mohm @ 25a，10v	2V @ 250µA	48 NC @ 5 V		1700 PF @ 25 V	-
IRG6S330UPBF	-	RFQ	9487	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRG6S330	标准			160 w			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540476	Ear99	8541.29.0095	50							196V，25a，10ohm																												沟	330 v	70 a		2.1V @ 15V，70a	-	86 NC	39NS/120NS
BAT1705E6327HTSA1	-	RFQ	8585	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT1705							PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000					130 MA															150兆													0.75pf @ 0v，1MHz											肖特基 -1对普通阴极	4V				15 @ @ 5mA，10kHz
BCR10PNH6730	-	RFQ	8007	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR10				250MW			PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																				50V	100mA									100NA（ICBO）				1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130MHz	10KOHMS	10KOHMS
SPW32N50C3FKSA1	9.8800	RFQ	438	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW32N50			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道								560 v	32A（TC）	10V	110mohm @ 20a，10v	3.9V @ 1.8mA	170 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	284W（TC）
FF150R12KE3B8BDLA1	82.6800	RFQ	40	Infineon技术	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					1250 w		标准	AG-62mm	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	半桥																																		-	1200 v	225 a		3.7V @ 15V，150a							5 ma	不	11 nf @ 25 V
IPB009N03LGATMA1	-	RFQ	1709年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB009			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								30 V	180a（TC）	4.5V，10V	0.95MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±20V	25000 pf @ 15 V	-	250W（TC）
AUIRF3315STRL	-	RFQ	2477	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520192	Ear99	8541.29.0095	800			n通道								150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
irll2703	-	RFQ	3568	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）				SOT-223	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irll2703	Ear99	8541.29.0095	80			n通道								30 V	3.9a（ta）	4V，10V	45mohm @ 3.9a，10v	2.4V @ 250µA	14 NC @ 5 V	±16V	530 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IPI65R310CFDXKSA1	-	RFQ	9693	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI65R			MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道								650 v	11.4A（TC）	10V	310MOHM @ 4.4A，10V	4.5V @ 440µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W（TC）
DD180N20SHPSA1	-	RFQ	2167	Infineon技术	-	托盘	过时的			底盘安装	模块				标准				BG-PB34SB-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										1对系列连接	2000 v	226a	1 mA @ 2000 V	-40°C〜135°C
IGW30N100TFKSA1	-	RFQ	8657	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			412 w			pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240							600V，30a，16ohm，15V																												沟渠场停止	1000 v	60 a	90 a	1.9V @ 15V，30a	3.8MJ	217 NC	33NS/535NS
auxepf1405z	-	RFQ	7036	Infineon技术	-	管子	过时的		-	-	-				-				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		50			-									-	-	-	-		-		-	-
IRLR3715TRLPBF	-	RFQ	9842	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道								20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
SIDC81D120F6YX1SA1	-	RFQ	9843	Infineon技术	-	大部分	过时的					sidc81d								-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1
IRFC3710ZEB	-	RFQ	6685	Infineon技术	-	大部分	过时的													下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1												-
BSB165N15NZ3GXUMA1	3.7100	RFQ	4989	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson	BSB165			MOSFET （金属 o化物）				MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道								150 v	（9A）（ta），45A（tc）	8V，10V	16.5MOHM @ 30a，10v	4V @ 110µA	35 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 75 V	-	2.8W（ta），78W（tc）
IRF6621TR1	-	RFQ	1511	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距平方英尺				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™SQ	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								30 V	（12a）（ta），55a（tc（TC）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 12A，10V	2.25V @ 250µA	17.5 NC @ 4.5 V	±20V	1460 pf @ 15 V	-	2.2W（TA），42W（TC）
SPB80N06S2L-07	-	RFQ	2635	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB80N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								55 v	80A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	2V @ 150µA	130 NC @ 10 V	±20V	4210 PF @ 25 V	-	210W（TC）
IRF1010NSTRLPBF	2.3700	RFQ	358	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF1010			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道								55 v	85A（TC）	10V	11MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3210 PF @ 25 V	-	180W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²