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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IRFS4321TRRPBF	2.4113	RFQ	7339	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS4321		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		150 v	85A（TC）	10V	15mohm @ 33a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4460 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IRLR7807ZCPBF	-	RFQ	9788	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
IRFS4410pbf	-	RFQ	9954	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573484	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		100 v	88A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
IRFR6215CPBF	-	RFQ	2627	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			P通道		150 v	13A（TC）		295MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V		860 pf @ 25 V	-	110W（TC）
IRLL024ZPBF	-	RFQ	2749	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	80			n通道		55 v	5A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	3V @ 250µA	11 NC @ 5 V	±16V	380 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRLR3410CPBF	-	RFQ	8164	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		100 v	17a（TC）		105mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	34 NC @ 5 V		800 pf @ 25 V	-	-
IRFR13N15DPBF	-	RFQ	8617	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001556864	Ear99	8541.29.0095	75			n通道		150 v	14A（TC）	10V	180mohm @ 8.3a，10v	5.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	86W（TC）
IRLR8743PBF	-	RFQ	7033	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		30 V	160a（TC）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 100µA	59 NC @ 4.5 V	±20V	4880 pf @ 15 V	-	135W（TC）
IRG4PF50WD-201P	-	RFQ	4389	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001541540	Ear99	8541.29.0095	25				720v，28a，5ohm，15V													90 ns					-	900 v	51 a	204 a	2.7V @ 15V，28a	2.63mj（在）上，1.34mj off）	160 NC	50NS/110NS
IRLR7843CPBF	-	RFQ	8336	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		30 V	161a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4380 pf @ 15 V	-	140W（TC）
IRF7507pbf	-	RFQ	5489	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	IRF7507		MOSFET （金属 o化物）	1.25W	micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566226	Ear99	8541.29.0095	80	n和p通道				20V	2.4a，1.7a		140MOHM @ 1.7A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	8NC @ 4.5V		260pf @ 15V	逻辑级别门
IRF2804SPBF	-	RFQ	9983	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		40 V	75A（TC）	10V	2mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRF7601pbf	-	RFQ	9619	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001551458	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道		20 v	5.7A（ta）	2.7V，4.5V	35mohm @ 3.8A，4.5V	700mv @ 250µA（250µA））	22 NC @ 4.5 V	±12V	650 pf @ 15 V	-	1.8W（TA）
IRFU3518-701PBF	-	RFQ	5009	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		IPAK（TO-251AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		80 V	38A（TC）	10V	29mohm @ 18a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	1710 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IRF6216PBF	-	RFQ	2909	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF6216		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			P通道		150 v	2.2A（ta）	10V	240MOHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRFS4310pbf	-	RFQ	3003	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001578288	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		100 v	130a（TC）	10V	7mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	7670 pf @ 50 V	-	300W（TC）
IRF7809pbf	-	RFQ	4373	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			n通道		28 V	14.5A（TA）	4.5V	-	1V @ 250µA		±12V		-	-
IRG4RC10KDPBF	-	RFQ	9908	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10KDPBF	标准		38 w	D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540504	Ear99	8541.29.0095	75				480V，5A，100OHM，15V													28 ns					-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	（250µJ）（在140µJ上）	19 nc	49NS/97NS
IRF7210pbf	-	RFQ	5350	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001554134	Ear99	8541.29.0095	95			P通道		12 v	16A（TA）	2.5V，4.5V	7MOHM @ 16a，4.5V	600mv @ 500µA（500µA））	212 NC @ 5 V	±12V	17179 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
IDH05G65C5XKSA1	-	RFQ	8461	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH05G65		SIC （碳化硅）		PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v	1.7 V @ 5 A	0 ns	170 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	5a	160pf @ 1V，1MHz
IDW30G65C5FKSA1	-	RFQ	6640	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	IDW30G65		SIC （碳化硅）		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v	1.7 V @ 30 A	0 ns	1.1 ma @ 650 V	-55°C 〜175°C	30a	860pf @ 1V，1MHz
IDW40G65C5FKSA1	-	RFQ	1368	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	IDW40G65		SIC （碳化硅）		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v	1.7 V @ 40 A	0 ns	1.4 ma @ 650 V	-55°C 〜175°C	40a	1140pf @ 1V，1MHz
IPA50R190CE	-	RFQ	4418	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		500 v	18.5A（TC）	13V	190mohm @ 6.2a，13v	3.5V @ 510µA	47.2 NC @ 10 V	±20V	1137 PF @ 100 V	-	32W（TC）
IDW10G65C5FKSA1	-	RFQ	8089	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	IDW10G65		SIC （碳化硅）		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v	1.7 V @ 10 A	0 ns	400 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	10a	300pf @ 1V，1MHz
IDW12G65C5FKSA1	-	RFQ	8978	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	IDW12G65		SIC （碳化硅）		pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v	1.7 V @ 12 A	0 ns	500 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	12a	360pf @ 1V，1MHz
IDW20G65C5FKSA1	-	RFQ	3675	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3	IDW20G65		SIC （碳化硅）		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v	1.7 V @ 20 A	0 ns	700 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	20a	590pf @ 1V，1MHz
IPD50R650CEBTMA1	-	RFQ	9428	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		500 v	6.1A（TC）	13V	650MOHM @ 1.8A，13V	3.5V @ 150µA	15 NC @ 10 V	±20V	342 PF @ 100 V	-	47W（TC）
IDH16G65C5XKSA1	-	RFQ	8089	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH16		SIC （碳化硅）		PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）													650 v	1.7 V @ 16 A	0 ns	550 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	16a	470pf @ 1V，1MHz
IRGP4078DPBF	-	RFQ	3646	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		278 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540792	Ear99	8541.29.0095	25				400V，50a，10ohm，15V																		沟	600 v	74 a	150 a	2.2V @ 15V，50a	1.1mj（（）	92 NC	- /116ns
IRG4PC50UD-MP	-	RFQ	8412	Infineon技术	hexfred®	包	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IRG4PC50	标准		200 w	TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				-													75 ns					-	600 v	55 a	220 a	2V @ 15V，27a	-	270 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²