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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BCR 148T E6327	-	RFQ	2144	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	BCR 148				250兆			PG-SC-75	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																				50 V	70 MA							100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	100 MHz	47科姆斯	47科姆斯
IRL520NSTRL	-	RFQ	8309	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道							100 v	10A（TC）	4V，10V	180mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）
BAT165	-	RFQ	1062	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323				肖特基				PG-SOD323-2	-						0000.00.0000	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									40 V	740 mv @ 750 mA			150°C （最大）	750mA	12pf @ 10V，1MHz
IRFP3703PBF	5.7600	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP3703			MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道							30 V	210a（TC）	7V，10V	2.8mohm @ 76a，10v	4V @ 250µA	209 NC @ 10 V	±20V	8250 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），230W（TC）
SPB80N03S2L-04 g	-	RFQ	4951	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB80N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 80a，10v	2V @ 130µA	105 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	188W（TC）
IRF2807ZSPBF	-	RFQ	5895	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							75 v	75A（TC）	10V	9.4mohm @ 53a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3270 pf @ 25 V	-	170W（TC）
irfr1010ztrlpbf	0.7149	RFQ	8864	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1010			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564960	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							55 v	42A（TC）	10V	7.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 100µA	95 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IPP029N06NAK5A1	-	RFQ	3689	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道							60 V	（24A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.9MOHM @ 100A，10V	2.8V @ 75µA	56 NC @ 10 V	±20V	4100 PF @ 30 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
IRF5804TRPBF	-	RFQ	9989	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）				Micro6™tsop-6）	下载		2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道							40 V	2.5a（ta）	4.5V，10V	198mohm @ 2.5a，10v	3V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	2W（TA）
IPP06CN10NGXKSA1	-	RFQ	1053	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP06C			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000680822	Ear99	8541.29.0095	500			n通道							100 v	100A（TC）	10V	6.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 180µA	139 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 50 V	-	214W（TC）
IRF8910pbf	-	RFQ	7359	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF89			MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,800	2 n 通道（双）									20V	10a		13.4mohm @ 10a，10v	2.55V @ 250µA	11NC @ 4.5V		960pf @ 10V	逻辑级别门
BSM200GA120DLCHOSA1	167.3260	RFQ	1735年	Infineon技术	-	托盘	上次购买		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM200				1450 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																																		-	1200 v	370 a		2.6V @ 15V，200a					5 ma	不	13 nf @ 25 V
IGP30N65H5XKSA1	2.8100	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IGP30N65	标准			188 w			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50						400V，15a，23ohm，15V																													沟	650 v	55 a	90 a	2.1V @ 15V，30a	280µJ（在）上，100µJ（OFF）	70 NC	19NS/177NS
IRF7854TRPBF	1.6800	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7854			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							80 V	10a（10a）	10V	13.4mohm @ 10a，10v	4.9V @ 100µA	41 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
TTB6C95N16LOF	102.7900	RFQ	239	Infineon技术	-	大部分	积极的		125°C（TJ）	底盘安装	模块						桥梁，三相 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					200 MA															1.6 kV	75 a	2.5 v	720a @ 50Hz	150 ma	130 a									6 scr
IPP80P04P405AKSA1	-	RFQ	1111	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80p			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000652622	Ear99	8541.29.0095	500			P通道							40 V	80A（TC）	10V	5.2MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IRL3303	-	RFQ	9766	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3303	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							30 V	38A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 20a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
irlr3715trl	-	RFQ	2920	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
TT92N12KOFB4HPSA1	-	RFQ	7744	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜130°C	底盘安装	模块	TT92N12					系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15					200 MA															1.2 kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA	104 a									2 scr
T731N44TOHXPSA1	1.0000	RFQ	6075	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	夹紧	TO-200AC	T731N44					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4					350 MA															4.4 kV	2010 a	2.5 v	18000a @ 50Hz	350 MA	1280 a									1 scr
PTFB082817FHV1XWSA1	-	RFQ	9138	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰			821MHz	ldmos				H-34288-4/2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000891180	过时的	0000.00.0000	35				-			2.15 a	60W	19.3db																	-																	28 V
IRFU024NPBF	-	RFQ	7173	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRFU024			MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							55 v	17a（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	45W（TC）
SIDC14D60F6X1SA3	-	RFQ	2963	Infineon技术	-	大部分	过时的			表面安装	死	SIDC14D60			标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									600 v	1.6 V @ 45 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	45a	-
IDH05G65C5XKSA1	-	RFQ	8461	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产			通过洞	TO-220-2	IDH05G65			SIC （碳化硅）				PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																									650 v	1.7 V @ 5 A	0 ns	170 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	5a	160pf @ 1V，1MHz
IRG4RC10KTRR	-	RFQ	6736	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10K	标准			38 w			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000						480V，5A，100OHM，15V																													-	600 v	9 a	18 a	2.62V @ 15V，5A	160µJ（在）上，100µJ（100µJ）	19 nc	11NS/51NS
IRF7821TR	-	RFQ	5034	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							30 V	13.6a（ta）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 13A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
AIDW20S65C5XKSA1	5.5332	RFQ	6411	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买			通过洞	TO-247-3	AIDW20			SIC （碳化硅）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）																									650 v	1.7 V @ 20 A	0 ns	120 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	20a	584pf @ 1V，1MHz
IPN60R2K1CE	-	RFQ	3514	Infineon技术	coolmos™	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3				MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							600 v	3.7A（TC）	10V	2.1OHM @ 800mA，10V	3.5V @ 60µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 100 V	-	5W（TC）
IPB35N10S3L26ATMA1	2.1500	RFQ	8105	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB35N10			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							100 v	35A（TC）	4.5V，10V	26.3MOHM @ 35A，10V	2.4V @ 39µA	39 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 25 V	-	71W（TC）
IRLZ24NSTRL	-	RFQ	5494	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道							55 v	18A（TC）	4V，10V	60mohm @ 11a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²