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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IKD04N60RFATMA1	1.1500	RFQ	2	Infineon技术	Trenchstop™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IKD04N60	标准			75 w			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500						400V，4A，43OHM，15V																									34 ns				沟	600 v	8 a	12 a	2.5V @ 15V，4A	60µJ（在）上，50µJ（50µJ）	27 NC	12NS/116NS
IPP90N06S404AKSA1	-	RFQ	2523	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp90n			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道							60 V	90A（TC）	10V	4MOHM @ 90A，10V	4V @ 90µA	128 NC @ 10 V	±20V	10400 PF @ 25 V	-	150W（TC）
BCR135E6327HTSA1	0.3800	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR135				200兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																				50 V	100 ma							100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms	47科姆斯
PXAC261202FCV1XWSA1	-	RFQ	6463	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	H-37248-4			2.61GHz	ldmos				H-37248-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001178442	过时的	0000.00.0000	1	双重，共同来源			-			230 MA	28W	13.5dB																	-																	28 V
IRFR4105ZPBF	-	RFQ	4835	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道							55 v	30A（TC）	10V	24.5MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRF7606Tr	0.7900	RFQ	4	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）				micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道							30 V	3.6a（ta）	4.5V，10V	90MOHM @ 2.4a，10V	1V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRF6797MTR1PBF	-	RFQ	7190	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX				MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							25 v	36a（TA），210A （TC）	4.5V，10V	1.4mohm @ 38a，10v	2.35V @ 150µA	68 NC @ 4.5 V	±20V	5790 pf @ 13 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
BCR 129F E6327	-	RFQ	9472	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SOT-723	BCR 129				250兆			PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																				50 V	100 ma							100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150 MHz	10 kohms
IAUT260N10S5N019ATMA1	6.2800	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IAUT260			MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道							100 v	260a（TC）	6V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 210µA	166 NC @ 10 V	±20V	11830 PF @ 50 V	-	300W（TC）
IRLHS6342TR2PBF	-	RFQ	9864	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	6-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）				6-PQFN （2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道							30 V	8.7a（ta），19a（tc）		15.5MOHM @ 8.5A，4.5V	1.1V @ 10µA	11 NC @ 4.5 V		1019 pf @ 25 V	-
FZ800R12KF5NOSA1	640.9100	RFQ	92	Infineon技术	*	大部分	积极的													下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRF1503LPBF	-	RFQ	4051	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF1503			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1503LPBF	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							30 V	75A（TC）	10V	3.3mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	5730 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BC 807-16W E6327	-	RFQ	2314	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC 807				250兆			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																				45 v	500 MA							100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz
IRFL4105TRPBF	1.0600	RFQ	7	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRFL4105			MOSFET （金属 o化物）				SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							55 v	3.7a（ta）	10V	45mohm @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 25 V	-	1W（ta）
ISC037N12NM6ATMA1	4.9500	RFQ	2316	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC037			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8 FL	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道							120 v	19.2a（ta），163a （TC）	8V，10V	3.7MOHM @ 50a，10v	3.6V @ 111µA	58 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 60 V	-	（3W（ta），214w（tc）
IPB47N10SL26ATMA1	-	RFQ	2155	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB47N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							100 v	47A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 33a，10v	2V @ 2mA	135 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	175W（TC）
ETT630N16P60HPSA1	255.5000	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜135°C（TC）	底盘安装	模块	ETT630					系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2					300 MA															1.6 kV	700 a	2 v	19800a @ 50Hz	250 MA	635 a									2 scr
FS75R12KE3BPSA1	143.2800	RFQ	4271	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS75R12				350 w		标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	完整的桥梁逆变器																																		-	1200 v	105 a		2.15V @ 15V，75a					5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V
IRF7423Tr	-	RFQ	3290	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							30 V	11.5A（TA）		-	-				-	-
SKB15N60E8151	1.4800	RFQ	1	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SKB15N	标准			139 w			pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						400V，15A，21OHM，15V																									279 ns				npt	600 v	31 a	62 a	2.4V @ 15V，15a	570µJ	76 NC	32NS/234NS
IPW60R099C6FKSA1	8.1900	RFQ	240	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R099			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							600 v	37.9a（TC）	10V	99mohm @ 18.1a，10v	3.5V @ 1.21MA	119 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 100 V	-	278W（TC）
DD261N22KHPSA1	186.6100	RFQ	3	Infineon技术	-	托盘	积极的			底盘安装	模块	DD261N22			标准				模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																									1对系列连接	2200 v	260a	1.42 V @ 800 A		40 mA @ 2200 V	-40°C〜150°C
BFR183E6327HTSA1	0.5100	RFQ	26	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFR183				450MW			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000									17.5db																											12V	65mA										NPN		70 @ 15mA，8v	8GHz			0.9db〜1.4dB @ 900MHz〜1.8GHz
TD250N16KOFHPSA1	215.7400	RFQ	3	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TD250N16					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3					300 MA															1.8 kV	410 a	2 v	8000a @ 50Hz	200 MA	250 a									1 sc，1二极管
IPP023NE7N3GXKSA1	6.6600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP023			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							75 v	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 273µA	206 NC @ 10 V	±20V	14400 PF @ 37.5 V	-	300W（TC）
AUIRFR2407TRL	-	RFQ	4734	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	AUIRFR2407			MOSFET （金属 o化物）				D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							75 v	42A（TC）		26mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V		2400 PF @ 25 V	-	110W（TC）
FF1200R17KE3B2NOSA1	-	RFQ	8084	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					6600 w		标准	A-IHV130-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																																		-	1700 v	1700 a		2.45V @ 15V，1.2KA					5 ma	不	110 nf @ 25 V
SPP100N03S2L03	-	RFQ	3739	Infineon技术	Optimos™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP100N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道							30 V	100A（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	8180 pf @ 25 V	-	300W（TC）
FF800R12KE7EHPSA1	355.7000	RFQ	4	Infineon技术	Trenchstop™	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块							标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥逆变器																																		沟渠场停止	1200 v	800 a		1.75V @ 15V，800A					100 µA	不	122 NF @ 25 V
SPD25N06S2-40	-	RFQ	3989	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD25N			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							55 v	29A（TC）	10V	40mohm @ 13a，10v	4V @ 26µA	18 nc @ 10 V	±20V	710 PF @ 25 V	-	68W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²