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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BB914	0.1100	RFQ	62	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载					Ear99	8541.10.0070	1
IRFI1310NPBF	2.4000	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFI1310			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	24A（TC）	10V	36mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	56W（TC）
IRGS4B60KD1TRRP	-	RFQ	8783	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRGS4B60	标准			63 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001534000	Ear99	8541.29.0095	800						400V，4A，100OHM，15V																		93 ns					npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
IDV03S60CXKSA1	-	RFQ	4936	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-220-2完整包	IDV03S60			SIC （碳化硅）		pg-to220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																			600 v		1.9 V @ 3 A	0 ns	30 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	3a	90pf @ 1V，1MHz
PTFC262808SVV1XWSA1	-	RFQ	9258	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			-			-	-		-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001028996	过时的	0000.00.0000	250	-			-			-	-											-
IDW24G65C5BXKSA1	-	RFQ	8859	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3				SIC （碳化硅）		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001224944	Ear99	8541.10.0080	240		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		1对普通阴极	650 v	12A（DC）	1.7 V @ 12 A		190 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
IKU15N60RBKMA1	-	RFQ	5280	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ku15n	标准			250 w	pg-to251-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500						400V，15A，15欧姆，15V																		110 ns					沟	600 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	900µJ	90 nc	16NS/183NS
IRF4905LPBF	2.9300	RFQ	12	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IRF4905			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道						55 v	42A（TC）	10V	20mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	170W（TC）
IRF7726TRPBF	-	RFQ	4867	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	IRF7726			MOSFET （金属 o化物）		micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道						30 V	7a（ta）	4.5V，10V	26mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	2204 PF @ 25 V	-	1.79W（TA）
BSS126IXTSA1	0.5200	RFQ	2	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS126			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT23-3-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道						600 v	21ma（ta）		500ohm @ 16mA，10v	1.6V @ 8µA	1.4 NC @ 5 V	±20V	21 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
BA892-02VE6327	-	RFQ	1487	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-79，SOD-523						PG-SC79-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000					100 ma																							1.1pf @ 3V，1MHz									标准 -单个	35V		500MOHM @ 10mA，100MHz
IRG4RC20F	-	RFQ	2593	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC20F	标准			66 W	D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4RC20F	Ear99	8541.29.0095	75						480V，12A，50OHM，15V																							-	600 v	22 a	44 a	2.1V @ 15V，12A	190µJ（在）上，920µJ（OFF）	27 NC	26NS/194NS
BSC200P03LSG	0.4300	RFQ	13	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道						30 V	9.9a（ta），12.5a tc）	10V	20mohm @ 12.5a，10v	1V @ 100µA	48.5 NC @ 10 V	±25V	2430 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
IPD50N04S410ATMA1	1.1500	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						40 V	50A（TC）	10V	9.3MOHM @ 50a，10v	4V @ 15µA	18.2 NC @ 10 V	±20V	1430 pf @ 25 V	-	41W（TC）
BCV47E6433HTMA1	0.0786	RFQ	6619	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCV47				360兆w	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																														60 V	500 MA								100NA（ICBO）		npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	170MHz
BAT17-05E6327HTSA1	0.0700	RFQ	12	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3						PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000					130 MA													150兆										0.75pf @ 0v，1MHz									肖特基 -1对普通阴极	4V		15 @ @ 5mA，10kHz
IRF7452Tr	-	RFQ	7052	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						100 v	4.5A（ta）	10V	60mohm @ 2.7a，10v	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
AIKW50N65DF5XKSA1	10.4300	RFQ	9998	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	aikw50	标准			270 w	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						400V，25a，12ohm，15V																							沟	650 v		150 a	2.1V @ 15V，50a	（490µJ）（在140µJ上）	1018 NC	21NS/156NS
IRF7702	-	RFQ	4582	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			P通道						12 v	8A（TC）	1.8V，4.5V	14mohm @ 8a，4.5V	1.2V @ 250µA	81 NC @ 4.5 V	±8V	3470 pf @ 10 V	-	1.5W（TC）
IRG4BC20UD	-	RFQ	9352	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			60 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20UD	Ear99	8541.29.0095	50						480V，6.5a，50ohm，15V																		37 ns					-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
irlr3303trl	-	RFQ	6441	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	= 94-4007	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	35A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 21a，10v	1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±16V	870 pf @ 25 V	-	68W（TC）
BB644E7904HTSA1	-	RFQ	7802	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BB644E					PG-SOD323-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																												2.75pf @ 28V，1MHz									单身的	30 V							17.8	C1/C28	-
IRGS4064DTRLPBF	-	RFQ	4903	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准			101 w	D²Pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001535958	Ear99	8541.29.0095	800						400V，10a，22ohm，15V																		62 ns					沟	600 v	20 a	40 a	1.91V @ 15V，10a	29µJ（在）上，200µJ（200µJ）	32 NC	27NS/79NS
IRG4BC30F	-	RFQ	2283	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准			100 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC30F	Ear99	8541.29.0095	50						480V，17a，23ohm，15V																							-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
IDW50E60	-	RFQ	6673	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3				标准		pg-to247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			600 v		2 V @ 50 A	115 ns	40 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	80a	-
IQD063N15NM5CGATMA1	4.8300	RFQ	5141	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										下载		（1 （无限）	到达不受影响				5,000
IGC193T120T12RMAX7SA1	-	RFQ	3114	Infineon技术	*	大部分	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
irlr3103trr	-	RFQ	3181	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	55A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 33a，10v	1V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±16V	1600 pf @ 25 V	-	107W（TC）
BSC150N03LDGATMA1	1.1100	RFQ	8042	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSC150			MOSFET （金属 o化物）	26W	PG-TDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）								30V	8a		15mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	13.2nc @ 10V		1100pf @ 15V	逻辑级别门
BC818K40E6327HTSA1	0.0493	RFQ	7129	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC818				500兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																														25 v	500 MA								100NA（ICBO）		NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	170MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²