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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IRLL024NTRPBF	1.0000	RFQ	147	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IRLL024		MOSFET （金属 o化物）				SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			55 v	3.1a（ta）	4V，10V	65mohm @ 3.1a，10v	2V @ 250µA	15.6 NC @ 5 V	±16V	510 pf @ 25 V	-	1W（ta）
irlr3715ztrl	-	RFQ	5338	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001558946	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			20 v	49A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	810 pf @ 10 V	-	40W（TC）
FS13MR12W2M1HC55BPSA1	307.2100	RFQ	15	Infineon技术	-	托盘	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	15
IRFP048N	-	RFQ	7138	Infineon技术	Hexfet®	包	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP048N	Ear99	8541.29.0095	25			n通道			55 v	64A（TC）	10V	16mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF7342PBF	-	RFQ	6799	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF734		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001571984	Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）					55V	3.4a		105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	38nc @ 10V		690pf @ 25V	逻辑级别门
IPW65F6048A	-	RFQ	1472	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
AIDW10S65C5XKSA1	3.0995	RFQ	7332	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW10		SIC （碳化硅）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）																			650 v		1.7 V @ 10 A	0 ns	60 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	10a	303pf @ 1V，1MHz
AUIRF3805S-7P	-	RFQ	7202	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK（7铅）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522074	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			55 v	160a（TC）	10V	2.6mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	7820 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRG4BC10SD-LPBF	-	RFQ	9358	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		38 w			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					480V，8A，100OHM，15V																			28 ns						-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
STT2200N18P55XPSA2	616.1900	RFQ	7827	Infineon技术	TT	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					1相控制器 -scr			下载	rohs3符合条件			448-STT2200N18P55XPSA2	Ear99	8541.30.0080	1				300 MA												1.8 kV	2 v	21000a @ 50Hz	200 ma										2 scr
SGP20N60	-	RFQ	6592	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP20N	标准		179 w			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1					400V，20a，16ohm，15V																									npt	600 v	40 a	80 a	2.4V @ 15V，20A	（440µJ）（在330µJ上）	100 NC	36NS/225NS
900545HOSA1	1.0000	RFQ	6275	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
IPI70N04S406AKSA1	2.0500	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI70N04		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			40 V	70A（TC）	10V	6.5MOHM @ 70A，10V	4V @ 26µA	32 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 25 V	-	58W（TC）
BTS244Z E3043	-	RFQ	1214	Infineon技术	tempfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5			MOSFET （金属 o化物）				P-TO220-5-43	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			55 v	35A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 19a，10v	2V @ 130µA	130 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 25 V	温度传感二极管	170W（TC）
IPP60R125CPXKSA1	7.0000	RFQ	4	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R125		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IRG7CH28	-	RFQ	1258	Infineon技术	-	大部分	过时的				IRG7CH							下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IRFH4210TRPBF	-	RFQ	7078	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）				PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道			25 v	45A（TA）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 50a，10V	2.1V @ 100µA	74 NC @ 10 V	±20V	4812 PF @ 13 V	-	3.6W（ta），104W（tc）
IRF3704ZCLPBF	-	RFQ	7489	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			20 v	67A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 21a，10V	2.55V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1220 pf @ 10 V	-	57W（TC）
BSO612CVG	-	RFQ	2438	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO612		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）			PG-DSO-8	下载					Ear99	8541.29.0095	687	n和p通道					60V	（3A）（2a ta）（2a ta）		120MOHM @ 3A，10V，300MOHM @ 2A，10V	4V @ 20µA，4V @ 450µA	15.5nc @ 10v，16nc @ 10V		340pf，400pf @ 25V	-
IAUC100N10S5N040ATMA1	3.1900	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC100		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			100 v	100A（TC）	6V，10V	4mohm @ 50a，10v	3.8V @ 90µA	78 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 50 V	-	167W（TC）
BAS4005E6327HTSA1	0.4200	RFQ	6449	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS4005		肖特基				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		1对普通阴极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	100 ps	1 µA @ 30 V	150°C （最大）
IPD135N08N3GATMA1	1.2700	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD135		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			80 V	45A（TC）	6V，10V	13.5MOHM @ 45A，10V	3.5V @ 33µA	25 NC @ 10 V	±20V	1730 PF @ 40 V	-	79W（TC）
IPP65R190E6XKSA1	4.2600	RFQ	80	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP65R190		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 100 V	-	151W（TC）
BAS16UE6327HTSA1	0.1129	RFQ	6965	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-74，SOT-457	BAS16		标准				PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		3独立	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µA @ 75 V	150°C （最大）
FS225R17OE4BOSA1	678.7700	RFQ	3	Infineon技术	Econopack™+	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS225R17			1450 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4	三相逆变器																													沟渠场停止	1700 v	350 a		2.3V @ 15V，225a				3 ma	是的	600 pf @ 25 V
BSC027N06LS5ATMA1	2.6800	RFQ	36	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC027		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			60 V	100A（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	2.3V @ 49µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	4400 PF @ 30 V	-	83W（TC）
IRF135S203	3.0000	RFQ	524	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF135		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			135 v	129a（TC）	10V	8.4mohm @ 77a，10v	4V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 50 V	-	441W（TC）
IRF300P227	7.9000	RFQ	262	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRF300		MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			300 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 30a，10v	4V @ 270µA	107 NC @ 10 V	±20V	4893 PF @ 50 V	-	313W（TC）
IRF7821pbf	-	RFQ	3917	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566368	Ear99	8541.29.0095	3,800			n通道			30 V	13.6a（ta）	4.5V，10V	9.1MOHM @ 13A，10V	1V @ 250µA	14 NC @ 4.5 V	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
BSM50GD170DLBOSA1	-	RFQ	1068	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM50G			480 w		标准	模块	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																													-	1700 v	100 a		3.3V @ 15V，50a				100 µA	不	3.5 nf @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²