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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IRLR8256TRPBF	-	RFQ	4722	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8256			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						25 v	81A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1470 pf @ 13 V	-	63W（TC）
IRF7769L2TRPBF	-	RFQ	7954	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						100 v	375a（TC）	10V	3.5mohm @ 74a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRF9310pbf	-	RFQ	8118	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566550	Ear99	8541.29.0095	95		P通道						30 V	20A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2.4V @ 100µA	165 NC @ 10 V	±20V	5250 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
IPP023NE7N3GXKSA1	6.6600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP023			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道						75 v	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 273µA	206 NC @ 10 V	±20V	14400 PF @ 37.5 V	-	300W（TC）
IRF7749L2TR1PBF	-	RFQ	5676	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8				MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™等距l8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						60 V	33A（33A），375a（tc）	10V	1.5MOHM @ 120A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12320 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRLML2030TRPBF	0.3900	RFQ	56	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRLML2030			MOSFET （金属 o化物）		Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						30 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.7a，10v	2.3V @ 25µA	1 NC @ 4.5 V	±20V	110 pf @ 15 V	-	1.3W（TA）
IRF7815TRPBF	1.3600	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7815			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道						150 v	5.1a（ta）	10V	43mohm @ 3.1a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1647 PF @ 75 V	-	2.5W（TA）
IRFH5306TR2PBF	-	RFQ	3012	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Powervdfn				MOSFET （金属 o化物）		PQFN（5x6）单个死亡	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道						30 V	（15A）（TA），44A （TC）		8.1MOHM @ 15A，10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V		1125 PF @ 15 V	-
SGB30N60ATMA1	-	RFQ	2230	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGB30	标准			250 w	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，30a，11ohm，15V																npt	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V，30a	1.29mj	140 NC	44NS/291NS
SGI02N120XKSA1	-	RFQ	1818年	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SGI02N	标准			62 W	pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				800V，2a，91ohm，15V																npt	1200 v	6.2 a	9.6 a	3.6V @ 15V，2A	220µJ	11 NC	23NS/260NS
SGP07N120XKSA1	3.0067	RFQ	4969	Infineon技术	-	管子	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP07N	标准			125 w	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				800V，8a，47ohm，15V																npt	1200 v	16.5 a	27 a	3.6V @ 15V，8a	1MJ	70 NC	27NS/440NS
SGP10N60AXKSA1	-	RFQ	2029	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP10N60	标准			92 w	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				400V，10a，25ohm，15V																npt	600 v	20 a	40 a	2.4V @ 15V，10a	320µJ	52 NC	28NS/178NS
SGW15N120FKSA1	-	RFQ	5765	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SGW15N	标准			198 W	PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				800V，15a，33ohm，15V																npt	1200 v	30 a	52 a	3.6V @ 15V，15a	1.9MJ	130 NC	18NS/580NS
SKB06N60HSATMA1	-	RFQ	8253	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SKB06N	标准			68 w	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，6A，50OHM，15V															100 ns	npt	600 v	12 a	24 a	3.15V @ 15V，6A	190µJ	33 NC	11NS/196NS
SKB15N60HSATMA1	-	RFQ	3871	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SKB15N	标准			138 w	pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，15a，23ohm，15V															111 ns	npt	600 v	27 a	60 a	3.15V @ 15V，15a	530µJ	80 NC	13NS/209NS
SKP02N60XKSA1	-	RFQ	3653	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SKP02N	标准			30 W	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500				400V，2a，118ohm，15V															130 ns	npt	600 v	6 a	12 a	2.4V @ 15V，2A	64µJ	14 NC	20N/259NS
SKW30N60FKSA1	7.4959	RFQ	5174	Infineon技术	-	管子	上次购买		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SKW30N	标准			250 w	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，11ohm，15V															400 ns	npt	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V，30a	1.29mj	140 NC	44NS/291NS
SPD07N20GBTMA1	-	RFQ	1932年	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD07N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						200 v	7A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	31.5 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	40W（TC）
SPD30N03S2L07GBTMA1	-	RFQ	2449	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD30N			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	30A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 30a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	136W（TC）
BCR169WH6327XTSA1	-	RFQ	5544	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	SC-70，SOT-323	BCR169				250兆	PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50 V	100 ma							100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯
BCR183SH6327XTSA1	-	RFQ	2456	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR183				250MW	PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																					50V	100mA							-	2 PNP-）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200MHz	10KOHMS	10KOHMS
BCR22PNH6433XTMA1	0.0975	RFQ	1081	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR22				250MW	PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																					50V	100mA							-	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	130MHz	22KOHMS	22KOHMS
BCR523UE6433HTMA1	0.1621	RFQ	6210	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			表面安装	SC-74，SOT-457	BCR523				330MW	PG-SC74-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000																					50V	500mA							-	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V	100MHz	1KOHMS	10KOHMS
BF2040WH6814XTSA1	-	RFQ	1018	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF2040		800MHz	MOSFET		PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		40mA		15 ma	-	23dB											1.6dB										5 v
BF 5030R E6327	-	RFQ	3326	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	SOT-143R	BF 5030		800MHz	MOSFET		PG-SOT-143R-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道		25mA		10 MA	-	24dB											1.3dB										3 V
BFP650H6327XTSA1	0.6100	RFQ	240	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343	BFP650				500MW	PG-SOT343-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000							10.5db〜21.5dB														4.5V	150mA								NPN		110 @ 80mA，3v	37GHz			0.8db〜1.9dB @ 1.8GHz〜6GHz
BG3123H6327XTSA1	-	RFQ	7714	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BG3123		800MHz	MOSFET		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		25mA，20mA		14 ma	-	25DB											1.8dB										5 v
BG3123RH6327XTSA1	-	RFQ	8524	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BG3123		800MHz	MOSFET		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		25mA，20mA		14 ma	-	25DB											1.8dB										5 v
BG3130RH6327XTSA1	-	RFQ	8239	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BG3130		800MHz	MOSFET		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		25mA		14 ma	-	24dB											1.3dB										5 v
BSC042NE7NS3GATMA1	3.0800	RFQ	34	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC042			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道						75 v	（19a）（100a ta）（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 91µA	69 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 37.5 V	-	2.5W（ta），125W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²