RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
DF11MR12W1M1B11BPSA1	-	RFQ	2549	Infineon技术	COOLSIC™+	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF11MR12	（SIC）	20mw			Ag-Easy1bm-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP003094734	Ear99	8541.21.0095	24	2 n 通道（双）				1200V（1.2kV）	50a（TJ）		22.5mohm @ 50a，15v	5.55V @ 20mA	124nc @ 15V		3680pf @ 800V	-
IRF3415L	-	RFQ	3927	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3415L	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		150 v	43A（TC）	10V	42mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
BSC026NE2LS5ATMA1	1.4900	RFQ	18	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC026	MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		25 v	24A（24A），82A（tc）	4.5V，10V	2.6mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±16V	1100 pf @ 12 V	-	2.5W（TA），29W（tc）
IMW65R030M1HXKSA1	21.6000	RFQ	5674	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IMW65R	sicfet （碳化硅）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道		650 v	58A（TC）	18V	42MOHM @ 29.5a，18V	5.7V @ 8.8mA	48 NC @ 18 V	+20V，-2V	1643 PF @ 400 V	-	197W（TC）
IRF7494Tr	-	RFQ	9672	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道		150 v	5.2a（ta）		44mohm @ 3.1a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V		1750 pf @ 25 V	-
IPI60R385CP	1.0300	RFQ	78	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）				pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	9A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	83W（TC）
SPW21N50C3FKSA1	-	RFQ	5618	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW21N	MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道		560 v	21a（TC）	10V	190mohm @ 13.1a，10v	3.9V @ 1mA	95 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
F445MR12W1M1B76BPSA1	-	RFQ	1455	Infineon技术	EASYPACK™COOLSIC™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F445MR	（SIC）	-			Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	4（n n 通道（半桥）				1200V（1.2kV）	25A（TJ）		45mohm @ 25a，15v	5.55V @ 10mA	62nc @ 15V		1840pf @ 800V	-
SPP24N60C3XKSA1	6.6600	RFQ	175	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP24N60	MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	24.3A（TC）	10V	160MOHM @ 15.4a，10V	3.9V @ 1.2mA	135 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	240W（TC）
FF2400RB12IP7BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-	-	-	FF2400R				标准	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																												-	750 v	2400 a	-		不
IRL40S212	-	RFQ	5000	Infineon技术	strongirfet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRL40	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		40 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 150µA	137 NC @ 4.5 V	±20V	8320 PF @ 25 V	-	231W（TC）
IPD80P03P4L07ATMA1	1.8200	RFQ	3993	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80P03	MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 80a，10v	2V @ 130µA	80 NC @ 10 V	+5V，-16V	5700 PF @ 25 V	-	88W（TC）
IPU95R3K7P7AKMA1	1.2100	RFQ	917	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU95R3	MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		950 v	2A（TC）	10V	3.7OHM @ 800mA，10V	3.5V @ 40µA	6 NC @ 10 V	±20V	196 pf @ 400 V	-	22W（TC）
IPD60R750E6BTMA1	-	RFQ	6531	Infineon技术	Coolmos™E6	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		600 v	5.7A（TC）	10V	750MOHM @ 2A，10V	3.5V @ 170µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	373 pf @ 100 V	-	48W（TC）
IPU80R3K3P7AKMA1	0.9000	RFQ	5249	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU80R3	MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道		800 v	1.9A（TC）	10V	3.3ohm @ 590mA，10v	3.5V @ 30µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	120 pf @ 500 V	-	18W（TC）
IRF9Z24NPBF	0.8700	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF9Z24	MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道		55 v	12A（TC）	10V	175MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
BSC0901NSATMA1	1.3100	RFQ	32	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC0901	MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		30 V	28a（28a），100a（tc）	4.5V，10V	1.9mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
FP100R12N3T7B11BPSA1	271.8300	RFQ	10	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的	-	-	-	FP100R12				标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																												沟渠场停止	1200 v	100 a	-		不
IRLR7807ZTRRPBF	-	RFQ	7573	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	43A（TC）	4.5V，10V	13.8mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	780 pf @ 15 V	-	40W（TC）
IRF135B203	2.7600	RFQ	2	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF135	MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		135 v	129a（TC）	10V	8.4mohm @ 77a，10v	4V @ 250µA	270 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 50 V	-	441W（TC）
IRF9Z34NSPBF	-	RFQ	9049	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道		55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
FF800R17KE3NOSA1	1.0000	RFQ	9059	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF800R17		4450 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																												-	1700 v		2.45V @ 15V，800A	5 ma	不	72 NF @ 25 V
IQE030N06NM5CGATMA1	3.1000	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	IQE030N	MOSFET （金属 o化物）				PG-TTFN-9-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		60 V	21a（21A），137a （TC）	6V，10V	3mohm @ 20a，10v	3.3V @ 50µA	49 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 30 V	-	2.5W（ta），107W（107W）TC）
IRLR7843CTRPBF	-	RFQ	2871	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000			n通道		30 V	161a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4380 pf @ 15 V	-	140W（TC）
SPB80N06S2L-06	-	RFQ	8031	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SPB80N	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		55 v	80A（TC）	4.5V，10V	6.3mohm @ 69a，10v	2V @ 180µA	150 NC @ 10 V	±20V	5050 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IDH10SG60CXKSA1	-	RFQ	6781	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH10SG60	SIC （碳化硅）				PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																			600 v	2.1 V @ 10 A	0 ns	90 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	10a	290pf @ 1V，1MHz
ETT480N22P60HPSA1	-	RFQ	3793	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜135°C（TC）	底盘安装	模块	ETT480			系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA											2.2 kV	700 a	2.2 v	14700a @ 50Hz	250 MA	480 a								2 scr
ND104N18KHPSA1	-	RFQ	3822	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	ND104N18	标准				BG-PB20-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																			1800 v			20 ma @ 1800 V	-40°C〜135°C	104a	-
FF450R12ME4BDLA1	133.5700	RFQ	8244	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			20兆		标准	Ag-Econod-3-2	-				2156-FF450R12ME4BDLA1			2	半桥逆变器																												沟渠场停止	1200 v	450 a	2.1V @ 15V，450a	3 ma	是的	28 NF @ 25 V
IRL520NSTRR	-	RFQ	6939	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		100 v	10A（TC）	4V，10V	180mohm @ 6a，10v	2V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±16V	440 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），48W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²